パワーモジュール Si/SiCハイブリッドモジュール
高出力かつ低損失が求められるアプリケーションに好適！高電力密度を実現
当社で取り扱う「パワーモジュール Si/SiCハイブリッドモジュール」 について、ご紹介いたします。 高電力密度を実現するIGBT統合パワーモジュールで、従来の非ハイブリッド モジュールと比較してスイッチング損失を低減し、より高温環境での動作が 可能。 高周波スイッチングシステムにおいて、優れた効率特性を発揮します。 【製品(一部)】 ■NXH600N105H7F5S2HG ■NXH600N105H7F5S1HG ■NXH600N105H7F5P2HG ■NXH600B100H4Q2F2S1G ■NXH600B100H4Q2F2 ※詳しくはPDF(英語版)をダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
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