SiC キャスケードJFETs
独自のカスコード構成により、高性能SiC高速JFETと最適化されたSi MOSFETを統合！
「SiC キャスケードJFETs」は、クラス最高レベルのスイッチング速度を 実現し、スイッチング損失の低減と高効率化に貢献する製品です。 高周波スイッチングに対応し、最小5mΩからの超低オン抵抗(RDS(on))を 実現しながら、他技術の半分以下のチップサイズで高電力密度を達成。 スルーホール(ケルビン対応含む)および表面実装パッケージに対応し、 優れたコストパフォーマンスを提供します。 【特長】 ■標準的なゲート駆動(0～12V)に対応 ■SiCデバイスでありながら既存ドライバ回路をそのまま活用可能 ■小型チップと既存ドライバ互換性により、システム性能と コスト構造を最適化 ■電力変換に向けて、高効率・高密度・低コストを同時に実現する 革新的SiCカスコードJFETソリューション ※詳しくはPDF(英語版)をダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
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