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Sic SiC MOSFET

低オン抵抗とシリコンの約10倍の耐圧強度により、優れた電力性能を発揮!

当社で取り扱う「Sic SiC MOSFET」について、ご紹介いたします。 絶縁ゲート構造を持つMOSFETであり、シリコンMOSFETと同等の設計で ありながら、より高い耐圧と優れた熱伝導率を実現。高速かつ高い堅牢性を 備え、コンパクトかつ低コストで高効率なシステム設計を可能にします。 SiC MOSFETを採用したシステムは、従来のシリコンベースと比較して、 より高い性能と効率を実現します。 【メリット】 ■高周波スイッチングに対応し、性能と効率を最大化 ■高温環境下でも安定した動作が可能 ■周辺部品(インダクタ、フィルタ等)の小型化により、システム全体の  小型化を実現 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

関連リンク - https://www.onsemi.jp/products/discrete-power-modu…

基本情報

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