【解析事例】E面T分岐導波管の電磁界解析
E面T分岐導波管について電磁波解析を実施しました。Sパラメータ(散乱行列)を計算しました。
レーダー等の信号処理に用いられるT字型の導波管に対して、それぞれの ポートから入力された電磁波がどのような分布になるか、有限要素法による 解析を行いました。 E面T分岐導波管に3つのポートを設定。対称性から1/2モデルで作成するので XY平面上は自然境界、それ以外の側面には対称境界条件を付します。 結果、計算で求められたS31とS13の絶対値はそれぞれ0.644と0.631であり、 その誤差は2.0％でした。 【事例概要】 ■解析モジュール：PHOTO-WAVEjω ■解析結果 ・計算で求められたS31とS13の絶対値はそれぞれ0.644と0.631であり、 その誤差は2.0％だった ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
基本情報
【解析条件】 ■E面T分岐導波管に3つのポートを設定 ■ポート面にはインピーダンス境界条件を設定 ■対称性から1/2モデルで作成するのでXY平面上は自然境界、それ以外の側面には対称境界条件を付する ■入力波形はTE10モード ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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フォトンでは、電磁現象を利用した製品、部品などをコンピュータ上でモデル化し、 シミュレーションする「電磁場解析用ソフトウェア」を開発しています。 従来の設計や開発の現場においては技術者の方の経験に基づく試作と、試作品による実験をループにした試行錯誤が中心でした。 しかし、実際に試作品を使った実験を行いその結果を検討するには多大な時間とコストを要します。 今後は、実験・試作ベースから解析ベースの設計への移行が生産性向上において重要課題であり、解析ベースの設計技術の中核となるシミュレーション技術の確立が課題となります。 このような状況の下、フォトンでは、電磁場を中心に、熱、振動についての「解析ソフトウェア」を開発し提供させていただいております。フォトンのソフトを活用して頂くことで、各種工業製品の開発・設計を効率よく行うことが出来ます。このようにして、フォトンは、ユーザー様の製造現場において、試作の回数や開発費用の低減、開発期間の短縮を実現し、ひいてはユーザー様の競争力強化を支援していきたいと考えています。