【故障解析事例】静電気破壊の再現実験
プラズマFIB装置を用いて断面を観察！広く破壊されている様子が確認された事例
RC-IGBT（Reverse-Conducting IGBT）を用いた、故障解析事例をご紹介します。 今回はシステムレベルの規格として広く用いられるIEC61000-4-2に倣って、 人体からの放電を模擬したESD破壊の再現実験を行いました。 チップ表面の観察後に、ロックイン発熱解析を行い、微小な故障箇所を特定。 プラズマFIB装置を用いて断面を観察した結果、表面のクレーターから、 トレンチゲート及びその直下のコレクタ領域まで広く破壊されている様子が 確認されました。 【故障解析 手順】 ■初動調査（外観観察、電気的特性測定） ■非破壊検査（X線観察、超音波顕微鏡など） ■故障箇所特定（ロックイン発熱解析、IR-OBIRCHなど） ■物理解析（断面研磨、SEMなど） ■詳細解析（FIB、FE-SEM／EDS、STEMなど） ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
基本情報
【半導体チップの故障原因】 ■IGBT製造上の問題 ・ゲート絶縁膜破壊 ・接合リーク ■実装、使用上の問題 ・静電気破壊 ・アバランシェ破壊など ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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用途／実績例
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取り扱い会社
設立から今日まで、不良ゼロの実現を目指す現場の声に応えるために、信頼性試験・不良解析・再現実験と同時に、現場改善などの問題に取り組んでまいりました。 また、従来の基板や実装問題だけにとどまらず、現在では製品全般の品質保証、工場内部の検査工程や海外部品調達をはじめ、国内外の工場調査・工場改善までトータルにサポートしております。 私たちクオルテックが目指すのは、お客様にとって最良のビジネスパートナーになることです。
