TDDB(酸化膜破壊)試験
寿命10年を想定した場合、試験デバイスのゲート電圧を、20V以下で使用することが必要
当社で行う、TDDB(酸化膜破壊)試験をご紹介いたします。 半導体の酸化膜に電圧を継続的にかけていると、時間が経つにつれ 酸化膜の破壊が発生します。 これを酸化膜破壊(TDDB：Time Dependent Dielectric Breakdown)といい、 半導体の寿命や信頼性を考える上で、最も重要な要因のうちの一つです。 このTDDB試験においては、電圧加速による寿命試験を行います。 【特長】 ■複数電圧やドレイン-ソース電圧印加、ゲート-ソース電圧印加なども可能 ■恒温槽に入れて、温度加速と組み合わせて試験を行うことも可能 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
基本情報
【試験スペック】 ■印加電圧：最大3kV(200mA) ■検出電流：1nA(検出抵抗1MΩ挿入) ■環境温度：恒温槽使用時、最高150℃、オーブン使用時、最高200℃(電圧1kV以下) ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
価格帯
納期
用途／実績例
※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
カタログ（1）
カタログをまとめてダウンロード
取り扱い会社
設立から今日まで、不良ゼロの実現を目指す現場の声に応えるために、信頼性試験・不良解析・再現実験と同時に、現場改善などの問題に取り組んでまいりました。 また、従来の基板や実装問題だけにとどまらず、現在では製品全般の品質保証、工場内部の検査工程や海外部品調達をはじめ、国内外の工場調査・工場改善までトータルにサポートしております。 私たちクオルテックが目指すのは、お客様にとって最良のビジネスパートナーになることです。
