解析技術：静電気破壊
SiC-MOSFET/ロックイン発熱解析/プラズマFIBの活用！IR-OBIRCHで故障箇所を特定
当社で行った「静電気破壊」の故障解析をご紹介いたします。 破壊したサンプルの外観観察、及び非破壊検査においては異常は確認 されず、このことから、故障規模が微小であることを推察。レーザーと 薬液開封によりSiCチップを露出し、LITによる発熱解析を行うことで 微小な故障箇所を絞り込みました。 アルミ電極を除去後にIR-OBIRCHで故障箇所を特定し、プラズマFIB装置を 用いてSiCチップの断面図を解析した結果、故障したセルのトレンチゲート 左側の酸化膜が破壊している様子が確認されました。 【概要】 ■故障箇所特定 ・レーザーと薬液開封によりSiCチップを露出し、LITによる発熱解析を 行うことで微小な故障箇所を絞り込んだ ■故障箇所の詳細解析 ・アルミ電極を除去後にIR-OBIRCHで故障箇所を特定し、プラズマFIB装置を 用いてSiCチップの断面図を解析 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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設立から今日まで、不良ゼロの実現を目指す現場の声に応えるために、信頼性試験・不良解析・再現実験と同時に、現場改善などの問題に取り組んでまいりました。 また、従来の基板や実装問題だけにとどまらず、現在では製品全般の品質保証、工場内部の検査工程や海外部品調達をはじめ、国内外の工場調査・工場改善までトータルにサポートしております。 私たちクオルテックが目指すのは、お客様にとって最良のビジネスパートナーになることです。
