極薄 無電解Ni/Pd/Auプロセスの開発
Ni層薄化時のENIG・ENEPIGプロセスにおけるワイヤボンディング性・はんだ接合性を評価！
近年、電子機器の小型化・高機能化に伴い、高密度プリント配線板に 半導体を実装したCSPやBGAなどのパッケージ基板が多く使われています。 従来、パッケージ基板にワイヤボンディング性及びはんだ接合性を確保 するため、最終表面処理として無電解Ni/Auめっきや無電解Ni/Pd/Auめっきが 採用されています。 しかし、両めっき皮膜において、Ni層の標準的な厚みは5μmと厚く、 銅配線間距離(ピッチ)が10μm以下の場合、パターン追従性・絶縁信頼性の 確保が困難になることが予測されます。 この問題の解決方法として、従来の接合信頼性を維持しつつNi層を 薄化する事が挙げられます。 本研究ではNi層薄化時のENIG・ENEPIGプロセスにおけるワイヤボンディング性・ はんだ接合性を評価した結果、およびNi層薄化時の接合信頼性を改善する 新プロセスについて検討した結果を紹介します。 ※事例の詳細内容は、関連リンクより閲覧いただけます。 詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
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