◉ コールドウオール式による高効率・高精度プロセスコントロール ◉ 急速昇温：1100℃/約3分間 ◉ 高精度温度制御：±1℃ ◉ 高精度APC自動圧力制御システム：ガス3系統（Ar, H2, CH4） ◉ グラフェン作成用標準レシピ付属 ◉ コンパクトサイズ：405(W) x 415(D) x 280(H)mm ◆特徴◆ ・簡単操作! 5inchタッチパネルによる操作・レシピ管理 ・最大30レシピ，30stepのプログラム作成可能 ・PCソフトウエア付属 USBケーブル接続，PC側でのオフラインレシピ作成→装置へアップ/ダウンロード, CSVデータ出力 ・最大試料サイズ：40 x 40mm：銅（ニッケル）箔, SiO2/Si, Al2O3/Si基板，他 ◆Model. nanoCVD-8G◆ ・グラフェン用標準プログラム付属 ・高真空プロセス, 高精度プロセス圧力制御 ・ロータリーポンプ標準付属 ・ガス供給3系統（Ar, H2, CH4） ・試料加熱ステージ（高純度グラファイト）Max1100℃ ・Kタイプ熱電対

小型計量・堅牢ボディ・高精度±1%・240msec高速応答 産業用機械制御用、生産現場の温度監視など多目的に応用できます。 【特徴】 ◎ アンプ・センサ一体型 ◎ 4-20mA出力（標準）、0-50mV、熱電対K, J, T出力（オプション） ◎ 精度：±1% or ±1℃（いずれか大きい値） ◎ 再現性：±0.5% or ±0.5℃（いずれか大きい値） ◎ 応答速度：240msec ◎ 保護等級：IP65 【その他仕様】 ◉ 視野角：2:1, もしくは15:1 ◉ 温度範囲： ・LT（-20℃〜100℃） ・MT（0〜250℃） ・HT（0〜500℃） ◉ 測定波長領域：8〜14μm ◉ 放射率：0.95（固定） ◉ 電源：24VDC ◉ 本体寸法：Φ18mm（径） x 103mm（長さ） ◉ 重量：約95g ◉ ケーブル1m（標準付属）：延長最長3m（オプション）

【概要】 標準付属の「CalexConfig」とUSBケーブル（1.8m付属）でWindowsPCに接続、PC上でセンサの測定パラメータ設定、測定結果の解析・CSV出力ができます。 1) 4-20mA出力 2) USB出力（USBバスパワーで動作） 3) 4-20mA/USB出力の同時使用 の3通りの使い方が可能です。 【特徴】 ◎ USBデータロギング/4-20mAアナログ出力の同時使用可能 ◎ 優れた基本性能：精度±1%, 再現性±0.5%、200msec高速応答 ◉ PUA2：短波長2.0〜2.4μmもカバー、金属表面も測定可能 ◉ PUA5：ガラス表面測定用に最適 波長5μm ◉ PUA8：一般用途 幅広い用途に 波長8-14um 【その他仕様】 ◉ 視野角：15:1, 25:1, 30:1, 又は75:1 ◉ 放射率設定範囲：0.1〜1.0 ◉ 電源：24VDC ◉ 本体寸法：Φ27.6mm（径） x 61mm（長さ） ◉ 重量：約155g ◉ アナログ信号ケーブル1m（標準付属、延長最長30mまで） *USBケーブル1.8m（USBケーブルは延長不可）

ExTempは、石油化学プラント・医薬品工場・薬品工場などの危険物取扱設備や工場で使用することができる本質安全防爆構造の放射温度センサーです。 （TIIS型式検定合格番号：第21097号） TIIS（産業安全技術協会）検定取得 危険場所（Zone0, 1, & 2）で使用可能 ● 危険場所Zone 0、1 及び2（特別危険箇所、第一類危険箇所及び第二類危険箇所）で使用可 ● 測定温度範囲：-20℃ ～ +1000℃ ● 最大最小設定可能スパン：Max1000℃, Mini100℃（-20〜1000℃範囲で設定可能） ● 2線式、4-20mA出力 ● 本質安全防爆絶縁バリヤ付属 ● USB接続コンフィグレーション設定器「LCT設定器」付属：WindowsPCで付属の専用ソフトでスケーリング・スパン調整・放射率などの設定が可能 ● オプション：固定金具, エアパージキット, 延長ケーブル（10m, 25m） ● 過酷な環境に対応、316 ステンレス容器採用 ● 保護等級IP65

【概要】 標準付属の「CalexConfig」とUSBケーブル（1.8m付属）でWindowsPCに接続、PC上でセンサの測定パラメータ設定、測定結果の解析・CSV出力ができます。 1) 4-20mA出力 2) USB出力（USBバスパワーで動作） 3) 4-20mA/USB出力の同時使用 の3通りの使い方が可能です。 【特徴】 ◎ USBデータロギング/4-20mAアナログ出力の同時使用可能 ◎ 優れた基本性能：精度±1%, 再現性±0.5%、200msec高速応答 ◉ PUA2：短波長2.0〜2.4μmもカバー、金属表面も測定可能 ◉ PUA5：ガラス表面測定用に最適 波長5μm ◉ PUA8：一般用途 幅広い用途に 波長8-14um 【その他仕様】 ◉ 視野角：15:1, 25:1, 30:1, 又は75:1 ◉ 放射率設定範囲：0.1〜1.0 ◉ 電源：24VDC ◉ 本体寸法：Φ27.6mm（径） x 61mm（長さ） ◉ 重量：約155g ◉ アナログ信号ケーブル1m（標準付属、延長最長30mまで） *USBケーブル1.8m（USBケーブルは延長不可）

USB接続式小型赤外線温度センサー 電源不要 PCからUSBバスパワーで給電 付属の専用ソフトでパラメータ設定・データ管理 【概要】 標準付属の「CalexConfig」をインストール、あとはUSBケーブルでWindowsPCに接続するだけ。Plug&Play感覚で簡単にPC上でセンサの測定パラメータ設定、測定、測定結果の解析・CSV出力ができます。 【特徴】 ◎ USBデータロギング ◎ 優れた基本性能：精度±1%, 再現性±0.5%、240msec高速応答 ◎ 測定波長領域8〜14μmをカバー ◎ 小型Φ18mm x 45mm 【その他仕様】 ◉ 視野角： ・PMU21：2:1 ・PMU201：20:1 ◉ 温度範囲： -20℃〜1000℃ ◉ 測定波長領域：8-14um ◉ 放射率：0.2〜1.0 ◉ 電源：不要 ◉ 本体寸法：Φ18mm（径） x 45mm（長さ） ◉ 重量：約85g ◉ USBケーブル1.5m

温度範囲・放射率・アラーム等のパラメータをスマートホン、タブレットで設定 表示計器、計器用電源を必要とせず簡単に設定できます。 ● スマホ・タブレットを使い設定を行う事ができます。 ● 専用アプリをGoogle Playから無料ダウンロード（Android4.1〜5.1） ● AndroidのNFC通信を使い、センサ部にタッチするだけで読込み・書出しをします。 ● 超小型センサ（Φ31mm x t29mm）狭い場所でも温度測定が可能。 ● 高速応答125msec、高精度±1.5% ● 電圧出力（0-5V or 0-10V）、又はK熱電対出力 【その他仕様】 ◉ 視野角：15:1 ◉ 温度範囲：0℃〜1000℃ ◉ 測定波長領域：8〜14μm ◉ 放射率： 0.2〜1.0 ◉ 電源：24VDC（最小6V/10V〜最大28VDC） ◉ ケーブル：1m付属（最長30m延長可能） 【オプション】 ◉ 本体固定金具 ◉ 延長ケーブル ◉ エアパージキット

高機能タッチパネル変換器で簡単設定・データロギング・microSDカードにデータ保存 PM2.2は光沢金属表面の測定も可能 【概要】 視認性の良い高輝度タッチパネルディスプレーで、温度レンジ・放射率・サンプリングレート等のパラメータを直感的に操作・設定。 microSDカードで長期間のデータ保存・管理が可能です。 （*オプションでディスプレー無しの変換器もあります） φ18mm x 45mmの小型センサヘッドで、狭い場所での温度測定も可能、耐ノイズ性に優れたセンサ・ケーブルを採用しておりますので、ロボットアームなどの動く機器への組込みにも適します。 PM2.2モデルは、短波長2.2um波長を採用、高温（Max2000℃）、光沢性のある金属材料表面の測定などにも対応します。 【特徴】 ◎ ワイドレンジ：-20〜1000℃（PM）, 100〜2000℃（PM2.2） ◎ 優れた基本性能：精度±1%, 再現性±0.5%、240msec高速応答 ◎ 測定波長領域：8〜14μm（PM）, 2.0〜2.2μm（PM2.2） ◎ 小型Φ18mm x 45mm

PVD（スパッタ、蒸着、EB等）、CVDなどの各種真空薄膜実験、高温真空アニール、高温試料解析用基板ステージ、などに応用いただけます。 様々なご要望仕様にカスタムメイド対応致します。 【特徴】 ●セミカスタム製品です。ご要望に応じて設計製作いたします。 ●予備ヒーター素線との交換が容易 ●設置、メンテナンスが容易（M6スタッドボルト、支柱） ●RF/DCバイアス、基板回転などにも対応 【標準付属品】 ● 熱電対：素線タイプ アルミナ絶縁スリーブ付き ● 取付用スタッドボルト 【オプション】 ● RF（150W）/DC（1KW）バイアス印加 ● 標準外ヒーター素線（Nb, Mo, Pt/Re, WRe他） ● 基板保持クリップ ● 取付ブラケット ● 基板ホルダー ● ホルダー設置用タップ穴加工 ● トッププレート材質変更（PBN, 石英, カーボン, Inconel, 他） ● 過昇温用追加熱電対 ● ベースフランジ、真空導入端子

不純物なく金属・絶縁物等を堆積するRF, DC, パルスDC対応高効率マグネトロンスパッタカソード。メンテナンス性にも優れます。 【特徴】 ・高真空対応 ・Φ2inch、Φ3inch、Φ4inchサイズ ・クランプリング式を採用、ボンディングが不要 ・メンテナンス性に優れ、容易にターゲットの交換が可能 ・シャッター、チムニーポート、ガスインジェクション、磁性材用高強度マグネット、などのオプションが豊富 ・各種フランジサイズ接続に対応 【主仕様】 ■RF, DC, パルスDC対応 ■ターゲット厚さ：1/16"〜1/4" ■N型同軸コネクター接続 ■水冷式：4ℓ/min, 0.35Mpa Φ6mmチューブ接続 ■ケース材質：SUS304 ■ターゲットクランプ材質：Al, or SUS304 ■ベローズ（*Flexi-headタイプ）材質：SUS316 ■絶縁材：PEEK/PTFE ■シール材：Viton ■高強度マグネットパック：NiFe

Φ3inch、Φ4inch ウエハーサイズ対応プラズマCVD 装置。不純物を抑制し清浄・高品質なグラフェンを高速合成。 熱CVD、低温～高温プラズマCVD いずれの方法でも利用可能。マスフローガス供給系統、基板加熱ヒーターなどご要望により構成をカスタマイズ致します。 【装置構成例】 ・基板：Cu, Ni, 他..（フィルム, フォイル） ・原料：CH4, C2H4, solids (PMMA), etc.. ・プロセスガス：H2, Ar, N2, etc.. ・基板サイズ：Φ4inch ・150W, 13.56MHz RF電源 ・500℃～Max1100℃基板加熱 ・高精度プロセスガス圧力APC制御 ・マスフローコントローラー最大4ch

Max1000℃、MFC最大3系統、APC圧力制御、4"〜最大6"基板対応、 高真空アニール装置（<5 × 10-7 mbar） [ANNEAL]は、ウエハー等の基板を安定したプロセス雰囲気にて高温熱処理が可能な研究開発用アニール装置です。 高真空水冷式SUSチャンバー内に設置した加熱ステージにより最高1000℃までの高温処理が可能です。チャンバー内にはヒートシールドが設置されインターロックにて安全を確保。マスフローコントローラは最大3系統まで増設が可能、精密に調整されたプロセスガス圧力での焼成作業が可能です（APC自動プロセス制御システムオプション）。 又、フロントビューポート、ドライスクロールポンプ、特殊基板ホルダー、熱電対増設、などオプションも豊富。 チャンバー内加熱ステージは、プロセスガス雰囲気・処理温度により３種類のバリエーションがあります。 ・ハロゲンランプヒーター：Max500℃ ・C/Cコンポジットヒーター：Max1000℃（真空中、不活性ガスのみ） ・SiCコーティングヒーター：Max1000℃（真空、不活性ガス、O2）

テルモセラ・ジャパン【基板加熱ヒーター】CVD, PVD等の薄膜実験用に最適な1inch〜4inch超高温基板加熱ヒーターのカタログの最新版に更新しました。 ◉ 最高使用温度850℃（SH-IN）、1100℃（SH-BN） 基板ホルダ、上下昇降機構・基板回転機構・RFバイアスなどのカスタマイズ品ご要求にも対応致します。 又、ヒーターコントローラは従来の据置型に加え19inchラックマウントも取扱います。

テルモセラ・ジャパン【基板加熱ヒーター】CVD, PVD等の薄膜実験用に最適な1inch〜4inch超高温基板加熱ヒーターのカタログの最新版に更新しました。 ◉ 最高使用温度850℃（SH-IN）、1100℃（SH-BN） 基板ホルダ、上下昇降機構・基板回転機構・RFバイアスなどのカスタマイズ品ご要求にも対応致します。 又、ヒーターコントローラは従来の据置型に加え19inchラックマウントも取扱います。

nanoPVD-S10A マグネトロンスパッタリング装置、nanoPVD-T15A 金属膜/ 有機膜蒸着装置、nanoPVD-ST15A 複合型薄膜実験装置に専用のリモート管理ソフト「IntelliLink（インテリリンク）」をリリースしました。 装置付属の7"タッチパネルで装置運転・成膜制御までを一元管理できる制御ソフト” IntelliDep” に加え、新たにオプションのIntelliLink によりWindows PC でリモート管理が可能となりました。 IntelliLinkにより、装置の主制御（真空引き、ベント操作、インターロック監視）を除くほぼ全ての操作がPCから可能になります。 ⑴ システムライヴモニタリング（装置運転状態モニター） ・チャンバー圧力、MFC流量設定 ・膜厚表示、設定、校正 ・ステージ回転、加熱、シャッター開閉操作 ⑵ エラー解析 ⑶ レシピ作成・保存・アップロード ⑷ データロギング、CSVフォーマット出力→他端末でのデータ共有 ◉ 装置背面Eathernetポートに、付属のUSBケーブルにて接続します。

小型・省スペース! 有機薄膜開発に最適 蒸着・スパッタ・アニール等全ての作業をグローブボックス内でシームレスに行う事ができます。 有機EL, 有機薄膜太陽電池, 有機薄膜太陽電池, 又, グラフェン・2D材料（遷移金属ダイカルコゲナイドなどの二次元層状無機ナノ材料）などの開発プロセスでは、酸素・水分から隔離された不活性ガス雰囲気で試料を取扱う必要があります。PVDチャンバーをGB内に収納することにより有機膜用途の「酸素・水分フリー」実験環境をコンパクトな省スペース環境で実現。 【特徴】 ◉ PVD成膜、スピンコート塗布・ホットプレートベーキングなど一連の作業を外気に晒すことなく、GB内でシームレスに行うことができます。 ◉ 省スペース：背面にチャンバーがせり出しませんので、スペースを取りません。 【MiniLab対象】 ◉ MiniLab-026（26ℓ容積）：金属/絶縁物/有機材料蒸着、スパッタリグ、RF/DCエッチング、アニール ◉ MiniLab-090（90ℓ容積）：金属/絶縁物/有機材料蒸着、スパッタリグ、RF/DCエッチング、アニール

研究開発の現場で求められる均一性の高い「高品質」な薄膜を作成するための様々な条件を備えます。nanoシリーズはコンパクトボディに機能を凝縮した高性能装置です。 欠陥が少なく良質な成膜に欠かせない要素である高真空環境・十分なT/S調整距離を確保する堅牢で機密性が高いステンレスチャンバー・高真空ポンプを採用。又、全モデルに共通するIntelliDepソフトウエア。直感的で分かりやすいタッチパネル操作で作業者の習熟度を問わずどなたでも操作いただけます。 【nano Benchtopコンパクト薄膜実験装置】 ◉ nanoPVD-S10A：RF/DCマグネトロンスパッタリング装置 ◉ nanoPVD-T15A：有機膜・金属膜蒸着装置 ◉ nanoPVD-ST15A：蒸着・スパッタ混在 複合型薄膜実験装置 ◉ ANNEAL：ウエハーアニール装置 ◉ nanoCVD：グラフェン/CNT合成装置 ◉ nanoEM：高真空EMコーター ※ その他詳細仕様は当社までお問合せ下さい。

多目的に使える、高精度プロセスコントロール【ホットウオール式熱CVD装置】 ◉ グラフェン, カーボンナノチューブ ◉ ZnOナノワイヤ ◉ SiO2等の絶縁膜など その他, ホットウオール式熱CVD装置として幅広いアプリケーションに活用いただけます。

ローコスト 必要最小構成（手動制御）管状炉・拡散炉・熱CVDとして応用可能 小片試料〜3inch waferまでの小基板用 サセプタ手動昇降式縦型実験炉 大学・企業研究室での基礎実験用に最適な基礎実験用ローコスト版縦型炉 【用途】 ◉ 半導体・太陽電池・燃料電池・電子基板等の熱処理 ◉ 基礎実験：縦型管状炉・酸化拡散炉・LPCVD等の簡易熱処理実験 【主な仕様】 ・炉内温度Max1200℃, 試料最大温度Max950℃ ・小片試料：数ミリサイズ〜3inchウエハーサイズまで対応 ・基板枚数：1〜3枚程度 ・石英サセプタ手動昇降式：停止位置目盛、クランパ付き ・炉芯管：Φ100 x Φ95 x 470L mm ・昇降：手動回転ハンドル ・温度調節：PIDプログラム温度調節計 ・熱電対：2対式K熱電対x1（制御用、過昇温用）、Kタイプ素線（炉芯測温用）

Endless possibility_thermal engineering　いつの時代でも欠かす事のできない「熱」に対する尽きぬ需要、研究開発ニーズに少しでもお役に立てるべく、最新の熱エンジニアリング、温度計測技術を紹介してまいりたいと考えます。当社は放射温度センサ等の温度計測機器、半導体・電子機器基礎開発部門を支える、ヒーター、実験炉などを販売します。 ・CVD, PVD真空薄膜実験用超高温基板加熱ヒーター ・超高温小型実験炉 ・研究開発用薄膜実験装置 ・コンパクトシリーズ薄膜実験装置 ・赤外線放射温度センサー ・各種真空コンポーネント

スパッタカソード・蒸着ソース混在型薄膜実験装置 コンパクトフレームに金属蒸着・有機蒸着・スパッタカソードを設置 抵抗加熱蒸着源（金属蒸着）、有機蒸着源（有機材料）、マグネトロンスパッタ（金属・絶縁材）、3種類の成膜コンポーネントをチャンバー内に設置、様々な薄膜実験装置に1チャンバーで対応が可能です。 ◉組み合わせは3種類 1. スパッタカソード + 抵抗加熱蒸着源x2 2. スパッタカソード + 有機蒸着源x2 3. スパッタカソード + 抵抗加熱源x1 + 有機蒸着源x1（*DCスパッタのみ） 【仕様】 ◉ 対応基板：〜Φ4inch ◉ スパッタリング：2"カソード x 最大3源 ◉ 真空蒸着：抵抗加熱蒸着（最大2）、有機蒸着（最大4） ◉ 7"タッチパネル操作 PLC自動プロセスコントロール ◉ APC自動圧力制御 ◉ Arガス1系統（標準） + N2, O2 増設可能 ◉ USB端子付 Windows PCに接続し、レシピ作成・保存。PCでデータロギング ◉ 他、多彩なオプションを用意 ◉ 7"タッチパネル簡単操作 PLC自動プロセスコントロール

真空用 超高温円筒状ヒーターユニット 最高温度1800℃（グラファイト、C/Cコンポジット） ご要望の仕様にて都度製作致します。 さまざまな用途に応用できる高真空中での円筒状加熱ユニットです。 円筒状加熱範囲内に、試料を入れた坩堝の加熱、金属・セラミック・ワイヤー状サンプルの加熱、など目的に応じてカスタムメイド致します。 ◎ 使用可能環境：真空中, 不活性ガス中 etc.. ◎ 発熱体：Graphite, C/Cコンポジットヒーター、SiCコーティング、PGコーティング、タングステン、タンタル、など。 ◎ 製作範囲：ヒーター部（Φ150 x 100mm程度まで）導入フランジ、温度制御ユニット ◎ 用途：各種真空装置プロセスチャンバー内での試料加熱、放電プラズマ生成ユニット熱電子銃（Lab6）用、ガス供給系統配管急速加熱（液体急速気化） その他ご要望に応じ、特注仕様製作致します。詳細は当社までお問い合わせ下さい。

お客様各位 当社では、従来品より更に高機能・操作性に優れた高温実験炉を近々にアップデートいたします。 本年9月末までに製品ラインナップを一新し、あらたな装置情報をご紹介できることと思います。 大学・研究機関向けの最小構成「Mini-BENCH」を基本とし、基本機能を充実、様々なオプション機能を追加します。 *主な改善点 ・ベンチトップフレームのデザイン変更 ・クラムシェル式チャンバー（ダンパー、orリニアドライブ式） ・プラグ&プレイ式、ポンプ・ゲージ等の交換・メンテナンス・増設などが容易になります。 ・APCプロセス圧力制御（PIDループ自動圧力調整：アップ or ダウンストリーム制御） ・TEシリーズ、MiniLab-CFを「Mini-BENCH-prism」と「MiniLab-WCF」に統合 研究開発のみに留まらず、工場・開発現場での試作・小規模生産に現場の厳しい安全規格にも対応致します。 アップデートまでしばらくお待ちください。 それまでの間現状製品で掲載継続しますが、ご要望がございましたら度対応しますので、まずは当社までご相談ください。

コンパクト・省スペース・省エネルギー！ 高性能 R&D用超高温実験炉 小片試料を最高2900℃まで加熱実験ができるR&D用超高温小型実験炉。 実験室での超高温加熱実験、新素材開発などのさまざまな焼成実験を行うことができます。 ◆主な特徴◆ ・省スペース ・ロータリーポンプ、コンプレッサー付属 ・インターロック：断水警報、過昇温、ガス圧力低下 ◆基本仕様◆ ・電源仕様：AC200V 75A NFB 50/60HZ（C-500） ・Max2900℃（カーボン炉）、2400℃（メタル炉）、 ・プログラム温度調節計、C熱電対 ◆オプション◆ ・記録計 ・ターボ分子ポンプ ・るつぼ ◆主なアプリケーション◆ ・新素材開発 ・燃料電池 ・その他

研究開発用のRF/DCマグネトロン式スパッタリング装置です。 高性能・多機能にも関わらず、実験室の限られたスペースにもフィットするコンパクトサイズ、7inch前面タッチパネルによる簡単操作。 ● 到達圧力 5x10-5Pa（*1x10-4Paまで最速30分！） ● 膜均一性 ±3% ● 多彩なオプション：上下・回転、ヒータ、磁性材用カソード、他 ● 3源カソード + MFCx3系統、RF/DC電源追加し、多層膜・同時成膜など多目的に活用頂けます。 ・絶縁膜 ・導電性膜 ・化合物、他 【主な特徴】 ◉ 対応基板：2"（〜3源）、又は"（1源） ◉ 2"カソード x 最大3源 ◉ タッチパネル簡単操作 PLC自動プログラム制御 ◉ MFC高精度APC自動プロセス圧力コントロール ◉ MFC 最大3系統 ◉ USB端子付 Windows PC接続、最大1000layer, 50filmのレシピを作成・保存。PCでライブデータロギング。 ◉ 真空系：TMP + RP（*ドライポンプオプション） ◉ 基板回転・上下昇降・加熱（Max500℃） ◉ 水晶振動膜厚モニタ/コントローラ

OLED, OPV, OTFT等の有機薄膜蒸着用途に最適。温度応答性/安定性に優れた低温有機蒸着源、金属膜用蒸着源を採用。 簡単タッチパネル操作でPLC自動制御、各種設定を一元管理。 難しい操作手順を必要とせずどなたでも直感的に操作ができる分かりやすいHMI。 USBケーブルでPC接続、ログ・CSVファイル保存、成膜レシピを作成登録保存。 ◉コンパクトサイズ：804(W) x 530(D) x 600(H)mm ◉重量：40kg〜70kg（装置構成による） ◉優れた基本性能 ・到達真空度 5x10-5Pascal ・高性能ターボ分子ポンプ搭載 ・Φ2inchもしくはΦ4inch基板 ◉蒸着源 ・抵抗加熱式蒸着源 TE x 最大2基 ・有機蒸着源 LTE x 最大4基（抵抗加熱TEと混在の場合、2基まで） ◉7"タッチパネル ◉連続成膜 ・成膜プログラム自動制御 ・30種類のレシピ登録 ・高精度ワイドレンジ真空ゲージ ◉豊富なオプション ・基板回転 ・上下昇降 300mmストローク ・基板シャッター ・ドライポンプ（RP標準）

多目的に使える、高精度プロセスコントロール【ホットウオール式熱CVD装置】 ◉ グラフェン, カーボンナノチューブ ◉ ZnOナノワイヤ ◉ SiO2等の絶縁膜など その他, ホットウオール式熱CVD装置として幅広いアプリケーションに活用いただけます。

◉最高使用温度 Max2000℃ ◉PLCセミオートコントロール 卓上型Mini-BENCHのセミオート制御式上位機種 「真空/パージサイクル」「ガス置換」「ベント」の各工程を自動制御 最高使用温度2000℃ セミオート制御 超高温実験炉（カーボン炉、タングステンメタル炉） 小型・省スペース実験炉 ◉有効加熱範囲（るつぼ寸法） ・面状ヒーター加熱範囲：Φ2inch〜Φ6inch ・円筒状ヒーター加熱範囲：Φ30〜Φ80 x 深さMax100(H)mm ◉MFC最大3系統 自動流量制御（又は手動調整） ◉APC自動圧力コントロール ◉作業中の安全を確保 冷却水異常・チャンバー温度異常・過圧異常を監視SUS製 堅牢な水冷チャンバー、最高温度で連続使用中でも安全にご使用いただけます。 ◉小型・省スペース 幅603 x 奥行603 x 高さ1,160mm（*ロータリーポンプ筐体内設置） 実験室での小片試料の超高温加熱実験、新素材研究開発などのさまざまな試料加熱実験が、簡単な操作で行えます。 本体は小型でありながらよりさまざまな分野の研究開発にお使いいただけます。

Max2000℃ Φ6〜8inchウエハー専用高温アニール装置 小規模生産も可能なマルチ雰囲気ウエハーアニール装置 ◾️ Max2000℃ ◾️ 有効加熱範囲：Φ6〜Φ8inch 枚葉式、又はバッチ式（多段5枚カセット） ◾️ ヒーター制御：1ゾーン、又は2ゾーン（カスケード制御） ◾️ ヒーター材質： ・C/Cコンポジット：Φ6〜Φ8inch ・PGコーティング 高純度グラファイト：Φ6〜Φ8inch ◾️ 使用雰囲気： ・真空（1x10-2Pa）、不活性ガス（Ar, N2） ◾️ PLCセミオート運転 ・真空/パージサイクル、ベントの自動シーケンス制御 ・フルオート自動運転（オプション） ・タッチパネル操作、操作が分散せず一元管理が可能です。 ◾️ プロセス圧力制御 ・APCコントロール（MFC流量、又は自動開度調整バルブ PIDループ制御） ・MFC最大3系統流量自動制御、又はフロートメーター/ニードルバルブの手動調整 ◾️ PLOT画面グラフ表示、CSVデータ出力