取り扱い製品カテゴリ
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◉ nanoETCH ソフトエッチング装置
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□■□MiniLabシリーズ実験装置□■□
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◉ 【MiniLab-026】小型真空蒸着装置
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◉ 【MiniLab-060】フレキシブル薄膜実験装置
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◉ 【MiniLab-080】フレキシブル薄膜実験装置
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◉ 【MiniLab-090】フレキシブル薄膜実験装置
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【MiniLab-026/090】グローブボックス薄膜実験装置
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□■□薄膜実験装置(コンパクトタイプ)□■□
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◉ nanoPVD-S10A マグネトロンスパッタリング装置
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◆nanoPVD-T15A◆ 高性能 有機膜・金属膜蒸着装置
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◆ANNEAL◆ ウエハーアニール装置
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◉ nanoCVD-8G/8N グラフェン/CNT合成装置
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◉ Nanofurnace "BWS-NANO" 熱CVD装置
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◇◆成膜コンポーネント◆◇
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□■□超高温小型実験炉シリーズ□■□
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◉ Mini-BENCH超高温小型卓上実験炉 Max2200℃
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◉ TCF-C500 超高温小型実験炉Max2900℃
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● MiniLab-WCF超高温ウエハーアニール炉2200℃
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◆◇◆ R&D用小型縦型実験炉 TVF-110 ◆◇◆
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□■□基板加熱ヒーター□■□
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◉ BHシリーズ基板加熱ヒーター Max 1600℃
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◉ SHシリーズ基板加熱ヒーター Max 1100℃
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◉ ホットステージ「基板加熱機構」Max 1800℃
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◆HTEヒーター◆ 高真空るつぼ加熱ヒーター Max1500℃
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□■□温度センサー□■□
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□■□赤外線温度計測機器□■□
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◉ 小型・高精度赤外線放射温度センサー
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◉ USB接続式・放射率可変 高温用赤外線放射温度センサー
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◉ 本質安全防爆型赤外線放射温度センサー
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◉ スマートホン設定式赤外線放射温度センサー
製品・サービス(55件)
ニュース一覧
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☆★☆★【nanoCVD-8G】グラフェン合成装置 ☆★☆★
◉ コールドウオール式による高効率・高精度プロセスコントロール ◉ 急速昇温:1100℃/約3分間 ◉ 高精度温度制御:±1℃ ◉ 高精度APC自動圧力制御システム:ガス3系統(Ar, H2, CH4) ◉ グラフェン作成用標準レシピ付属 ◉ コンパクトサイズ:405(W) x 415(D) x 280(H)mm ◆特徴◆ ・簡単操作! 5inchタッチパネルによる操作・レシピ管理 ・最大30レシピ,30stepのプログラム作成可能 ・PCソフトウエア付属 USBケーブル接続,PC側でのオフラインレシピ作成→装置へアップ/ダウンロード, CSVデータ出力 ・最大試料サイズ:40 x 40mm:銅(ニッケル)箔, SiO2/Si, Al2O3/Si基板,他 ◆Model. nanoCVD-8G◆ ・グラフェン用標準プログラム付属 ・高真空プロセス, 高精度プロセス圧力制御 ・ロータリーポンプ標準付属 ・ガス供給3系統(Ar, H2, CH4) ・試料加熱ステージ(高純度グラファイト)Max1100℃ ・Kタイプ熱電対
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◉Mini-BENCH-prism セミオート式 超高温実験炉 Max2000℃
◉最高使用温度 Max2000℃ ◉PLCセミオートコントロール 卓上型Mini-BENCHのセミオート制御式上位機種 「真空/パージサイクル」「ガス置換」「ベント」の各工程を自動制御 最高使用温度2000℃ セミオート制御 超高温実験炉(カーボン炉、タングステンメタル炉) 小型・省スペース実験炉 ◉有効加熱範囲(るつぼ寸法) ・面状ヒーター加熱範囲:Φ2inch〜Φ6inch ・円筒状ヒーター加熱範囲:Φ30〜Φ80 x 深さMax100(H)mm ◉MFC最大3系統 自動流量制御(又は手動調整) ◉APC自動圧力コントロール ◉作業中の安全を確保 冷却水異常・チャンバー温度異常・過圧異常を監視SUS製 堅牢な水冷チャンバー、最高温度で連続使用中でも安全にご使用いただけます。 ◉小型・省スペース 幅603 x 奥行603 x 高さ1,160mm(*ロータリーポンプ筐体内設置) 実験室での小片試料の超高温加熱実験、新素材研究開発などのさまざまな試料加熱実験が、簡単な操作で行えます。 本体は小型でありながらよりさまざまな分野の研究開発にお使いいただけます。
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◆nanoPVD-T15A◆ 高性能 有機膜・金属膜蒸着装置
OLED, OPV, OTFT等の有機薄膜蒸着用途に最適。温度応答性/安定性に優れた低温有機蒸着源、金属膜用高温蒸着源を採用。 簡単タッチパネル操作でPLC全自動制御、操作性・メンテナンス性にも優れたR&D用真空蒸着装置。 難しい操作手順を必要とせずどなたでも直感的に操作ができる分かりやすいHMI。 USBケーブルでPCに接続、ログを保存、自動成膜レシピを作成保存。 ◉コンパクトサイズ:804(W) x 530(D) x 600(H)mm ◉重量:40kg〜70kg(装置構成による) ◉優れた基本性能 ・到達真空度 5x10-5Pascal ・高性能ターボ分子ポンプ搭載 ・Φ2inchもしくはΦ4inch基板 ◉蒸着源 ・抵抗加熱式蒸着源 TE x 最大2基 ・有機蒸着源 LTE x 最大4基(抵抗加熱TEと混在の場合、2基まで) ◉7"タッチパネル ◉連続成膜 ・成膜プログラム自動制御 ・30種類のレシピ登録 ・高精度ワイドレンジ真空ゲージ ◉豊富なオプション ・基板回転 ・上下昇降 300mmストローク ・基板シャッター ・ドライポンプ(RP標準)
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◆HTEヒーター◆ 高真空るつぼ加熱ヒーター Max1500℃
HTEヒーターは最高使用温度1500℃の真空装置用高温加熱ヒーターです。 蒸発温度の高い材料も蒸発することができますので、低温有機蒸着(~ 800℃)セルから高温抵抗加熱蒸着(~ 1500℃)MBEセルまで、真空高温ヒーター・蒸着セルとして幅広い様々な用途に活用頂けます。 シャッター・アクチュエータ、水冷ジャケットも用意。 800℃以上の高温ヒーター仕様は、内部シールドを備え、断熱・熱遮蔽を考慮した設計。 【主仕様】 ■最高制御温度:800℃、又は1500℃ ■使用環境:真空中・不活性ガス(*O2 は800℃まで) ■ヒーター:タングステンフィラメント ■るつぼ容積:1cc(最大充填量1.5cc) ■るつぼ材質:アルミナ ■ケース材質:SUS304, 又はモリブデン ■熱電対:K、又はC 【オプション】 ⚫︎るつぼ材質:PBN, グラファイト, 石英 ⚫︎ヒーター:NiCr 線, カンタル線(*O2 用) ⚫︎るつぼ容積:10cc(最大充填量15cc) ⚫︎シャッター:空圧式, 又はモーター駆動 ⚫︎水冷ジャケット ⚫︎コントローラー(ヒーター・シャッター制御)
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ウエハーアニール装置【ANNEAL】Max1000℃ APC自動圧力制御 MFC x3系統 Φ4〜6inch基板対応
Max1000℃、MFC最大3系統、APC圧力制御、4"〜最大6"基板対応、 高真空アニール装置(<5 × 10-7 mbar) [ANNEAL]は、ウエハー等の基板を安定したプロセス雰囲気にて高温熱処理が可能な研究開発用アニール装置です。 高真空水冷式SUSチャンバー内に設置した加熱ステージにより最高1000℃までの高温処理が可能です。チャンバー内にはヒートシールドが設置されインターロックにて安全を確保。マスフローコントローラは最大3系統まで増設が可能、精密に調整されたプロセスガス圧力での焼成作業が可能です(APC自動プロセス制御システムオプション)。 又、フロントビューポート、ドライスクロールポンプ、特殊基板ホルダー、熱電対増設、などオプションも豊富。 チャンバー内加熱ステージは、プロセスガス雰囲気・処理温度により3種類のバリエーションがあります。 ・ハロゲンランプヒーター:Max500℃ ・C/Cコンポジットヒーター:Max1000℃(真空中、不活性ガスのみ) ・SiCコーティングヒーター:Max1000℃(真空、不活性ガス、O2)

テルモセラ・ジャパン株式会社について
本社
Professional Thermal Engineering. 熱応用技術で日本の研究開発に貢献してまいります。
【Endless possibility_thermal engineering...】 当社は半導体・電子機器基礎研究用真空薄膜装置、CVD基板加熱用超高温ヒーター、実験炉、温度計測機器などを販売しております。 いつの時代でも欠かす事のできない「熱」に対する尽きぬ需要、基礎技術開発分野での様々なご要求にお応えすべく、最新の機器を紹介し、日本の研究開発に貢献してまいりたいと考えます。