【MiniLab（ミニラボ）】シリーズフレキシブル薄膜実験装置
モジュラー組込式の為必要な成膜方法に応じ都度フレキシブルに専用機の組立が可能。様々な研究用途に対応可能な小型薄膜実験装置。
【フレキシブルシステム】 MiniLab薄膜実験装置シリーズは、豊富なオプションから必要な成膜方法・材料に応じて都度、ご要望に適したコンポーネント（成膜ソース、ステージなど）、制御モジュールを組み込み、カスタマイズ品でありながら無駄の無いコンパクトな装置構成を容易に構築することができます。モジュラー式制御ユニットをPlug&Play 感覚で装置を構成することにより応用範囲が広がり、様々な薄膜プロセス実験への応用が可能になります。 MiniLabシリーズは、研究開発から小規模生産用途まで幅広く対応するハイコストパフォーマンスシステムです。 【スモールフットプリント・省スペース】 ・シングルラックタイプ（MiniLab-026）：590(W) x 590(D)mm ・デュアルラックタイプ（MiniLab-060）：1200(W) x 590(D)mm ・トリプルラックタイプ（MiniLab-125）：1770(W) x 755(D)mm 【優れた操作性・直観的操作画面】 Windows PC、または７”タッチパネル。熟練度を問わない簡単操作、且つ安全に最大限配慮しております。
基本情報
【MiniLabフレキシブル薄膜実験装置 構成モジュール】 ◉ 製作範囲 抵抗加熱蒸着（TE）、有機膜蒸着（LTE）、電子ビーム蒸着（EB）、RF/DCスパッタリング（SP）、T-CVD/PE-CVD、プラズマエッチング（RIE） ◉ チャンバー ・026（26Litter）-TE/LTE/SP/CVD/Etch/*Globe Box option：MaxΦ6inch ・060（60Litter）-TE/LTE/EB/SP/Etch/：MaxΦ8inch ・080（80Litter）-TE/LTE/EB/SP/Etch/：MaxΦ10inch ・090（90Litter）*Globe Box option -TE/LTE/EB/SP/Etch/：MaxΦ10inch ・125（125Litter）-TE/LTE/EB/SP/Etch/CVD：MaxΦ12inch ※ その他仕様は当社ホームページ参照下さい。
価格情報
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納期
用途／実績例
主な用途 ・新素材/新材料の開発 ・先端技術開発 ・小規模試作生産 など
詳細情報
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MiniLab-026-TE/LTE/SP MiniLabシリーズ最小の、19inchシングルラックフレームスタンドアロン型薄膜実験装置。幅600 奥行き600の最小設置スペースの小型サイズに、TE（抵抗加熱蒸着）、 LTE（有機薄膜蒸着）、 SP（スパッタリング）実験が可能。小型ながらPID自動ループ成膜コントロール（手動も可）、同時成膜も可能。
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MiniLab-026-GB（グローブボックス収納型） MiniLab-026チャンバーを作業ベンチ内に設置、制御ユニットをベンチ下に収納したグローブボックスモデル。
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MiniLab-026-Etch/Anneal Station MiniLab-026チャンバーに、RFドライエッチングステージ・基板加熱ステージを搭載した装置。全てをMiniLabシリーズ19inchラックフレームに収納したスタンドアロン、グローブボックス収納したMiniLab-026-GBの応用型の2機種。マンチェスタ大学グラフェンGrとの共同開発品。独自の30W以下での低ダメージ・制御精度に優れたRIEシステムとの組合せでTMDC・2D開発に寄与します。
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MiniLab-060-TE/LTE/EB/Sputtering装置 『MiniLab-060』シリーズは、豊富なコンポーネントをモジュラー式に組み込むことにより、TE（抵抗加熱蒸着）、LTE（低温有機膜蒸着）、EB蒸着、RF/DCマグネトロンスパッタなどの幅広い目的に構成することができるR&D用装置です。上下昇降/基板回転/加熱・冷却ステージ・ロードロックなどのオプションも豊富。（ 写真は6 pockets蒸着源を搭載したEBモデル）
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MiniLab-060 PECVD装置 『MiniLab-060-PECVD』は、4系統までのガスライン、 RF/DC電源ユニット, 基板加熱・回転ステージ（Max1200℃）を搭載したセミオート式プラズマCVD専用機。60L容積チャンバーに、RP（DP）+TMP搭載した高真空仕様に対応、安定したPLC/MFCによる真空・ガス圧力自動制御が行えます。ウエハーサイズ1～8inchまでの成膜実験が可能です。
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MiniLab-080-TE/LTE/SP ボックス型チャンバー：チャンバー高さ570mm、80リットル大型チャンバーにロードロック機構を追加できるMiniLab-060の上位機種。T/S距離調整幅が長く膜均一性の向上に寄与。
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MiniLab-090（*グローブBox収納型） 400x400x570の大型80L大容積チャンバーを作業ベンチ内に収納したMini-Lab-080のグローブボックスモデル。スライドドア開閉フロントローディング式、チャンバー背面からアクセスできるメンテナンス用ドア、大チャンバーながら作業ベンチを最大限活用した省スペース・ハイスペックモデル。真空蒸着・スパッタ・RFエッチなど多目的に使用いただけます。プロセス処理後のサンプルを大気・水分に露出せずクリーンな薄膜実験が可能です。
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MiniLab-125 大型大容積チャンバー（500x500x600mm）にMiniLabシリーズ全てのオプション搭載可能。研究開発から小規模生産用途までカバーするMiniLabシリーズの最上位フラッグシップモデル。ロードロックシステム・オートマスクチェンジャー・プラネタリードームなどのオプションが豊富。
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この製品に関するニュース（60）
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nanoPVD-S10Aスパッタ装置 標準規格品登場！従来よりお求めやすい価格・短納期でご提供可能になりました。
標準 在庫規格品、従来よりお求めやすい低価格・短納期でのご提供が可能になりました。 *下記構成に限ります。又、在庫状況も変わりますので詳細は当社までお問い合わせください。 【nanoPVD-S10A標準構成仕様】 ● 基板ステージ：Φ4inch、基板シャッター付 ● 最高到達圧力：5 x 10-5 Pa（10-3paまで10分、10-4paまで20分以内） ● 2"マグネトロンカソード x 2：自動連続多層膜, 2源同時成膜（RF/DCのみ） ● RF150W、DC780W 電源搭載 ● プロセスガス3系統（Ar, O2, N2） ● 主排気TMP、粗挽RP（*ドライポンプ オプション） ● Windows PCリモートソフトウエア"IntelliLink"付属：システムライブモニター、最大1000layer, 50filmのレシピを作成・保存。PCでデータロギング ● 水晶振動子膜厚センサ付属 【主な用途】 ・酸化膜、絶縁膜 ・金属・合金、導電性膜 ・化合物、反応性膜、他 【オプション】 ◉ 基板加熱ヒーター500℃、磁性材用カソード、ドライスクロールポンプ、など
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ウエハーアニール装置【ANNEAL】Max1000℃ APC自動圧力制御 MFC x3系統 Φ4〜6inch基板対応
Max1000℃、MFC最大3系統、APC圧力制御、4"〜最大6"基板対応、 高真空アニール装置（<5 × 10-7 mbar） [ANNEAL]は、ウエハー等の基板を安定したプロセス雰囲気にて高温熱処理が可能な研究開発用アニール装置です。 高真空水冷式SUSチャンバー内に設置した加熱ステージにより最高1000℃までの高温処理が可能です。チャンバー内にはヒートシールドが設置されインターロックにて安全を確保。マスフローコントローラは最大3系統まで増設が可能、精密に調整されたプロセスガス圧力での焼成作業が可能です（APC自動プロセス制御システムオプション）。 又、フロントビューポート、ドライスクロールポンプ、特殊基板ホルダー、熱電対増設、などオプションも豊富。 チャンバー内加熱ステージは、プロセスガス雰囲気・処理温度により３種類のバリエーションがあります。 ・ハロゲンランプヒーター：Max500℃ ・C/Cコンポジットヒーター：Max1000℃（真空中、不活性ガスのみ） ・SiCコーティングヒーター：Max1000℃（真空、不活性ガス、O2）
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◉超高温実験炉 【Mini-BENCH-prism】 セミオート式 Max2000℃
◉最高使用温度 Max2000℃ ◉PLCセミオートコントロール 卓上型Mini-BENCHのセミオート制御式上位機種 「真空/パージサイクル」「ガス置換」「ベント」の各工程を自動制御 最高使用温度2000℃ セミオート制御 超高温実験炉（カーボン炉、タングステンメタル炉） 小型・省スペース実験炉 ◉有効加熱範囲（るつぼ寸法） ・面状ヒーター加熱範囲：Φ2inch〜Φ6inch ・円筒状ヒーター加熱範囲：Φ30〜Φ80 x 深さMax100(H)mm ◉MFC最大3系統 自動流量制御（又は手動調整） ◉APC自動圧力コントロール ◉作業中の安全を確保 冷却水異常・チャンバー温度異常・過圧異常を監視SUS製 堅牢な水冷チャンバー、最高温度で連続使用中でも安全にご使用いただけます。 ◉小型・省スペース 幅603 x 奥行603 x 高さ1,160mm（*ロータリーポンプ筐体内設置） 実験室での小片試料の超高温加熱実験、新素材研究開発などのさまざまな試料加熱実験が、簡単な操作で行えます。 本体は小型でありながらよりさまざまな分野の研究開発にお使いいただけます。
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【MiniLab-125】 多元マルチスパッタ装置（Φ8"対応）1000℃ヒーターステージ(SiCコーティング ）搭載！コンパクトサイズ！
多元マルチスパッタリング装置（Φ8inch基板対応） ・3元同時成膜 + 1元PulseDCスパッタ ・RF500W, DC850W両電源を3元カソード（Source1, 2, 3）へ自在に配置変更 ・5KW PulseDC電源も搭載 → 専用カソード（4）で使用 ・基板加熱ステージ Max800℃（SiCコーティングヒーターでMax1000℃も可能） ・MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング ・メインチャンバー RIEエッチングステージRF300W ・LLチャンバー ＜30W 低出力制御ソフトエッチング ・独自の"Soft-Ething"技術で基板バイアスにより基板のダメージを軽減 ・タッチパネル又はWindows PC操作：操作が分散せず、全ての操作をタッチパネル/PCで行うことができます。 ・装置設置寸法：1,960(W) x 1,100(D) x 1,700(H)mm ・マルチチャンバー式も製作可能です。 ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。
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◆◇◆【nanoCVD-8G】 グラフェン合成装置◆◇◆
◉ コールドウオール式による高効率・高精度プロセスコントロール ◉ 急速昇温：1100℃/約3分間 ◉ 高精度温度制御：±1℃ ◉ 高精度APC自動圧力制御システム：ガス3系統（Ar, H2, CH4） ◉ グラフェン作成用標準レシピ付属 ◉ コンパクトサイズ：405(W) x 415(D) x 280(H)mm ◆特徴◆ ・簡単操作! 5inchタッチパネルによる操作・レシピ管理 ・最大30レシピ，30stepのプログラム作成可能 ・PCソフトウエア付属 USBケーブル接続，PC側でのオフラインレシピ作成→装置へアップ/ダウンロード, CSVデータ出力 ・最大試料サイズ：40 x 40mm：銅（ニッケル）箔, SiO2/Si, Al2O3/Si基板，他 ◆Model. nanoCVD-8G◆ ・グラフェン用標準プログラム付属 ・高真空プロセス, 高精度プロセス圧力制御 ・ロータリーポンプ標準付属 ・ガス供給3系統（Ar, H2, CH4） ・試料加熱ステージ（高純度グラファイト）Max1100℃ ・Kタイプ熱電対
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取り扱い会社
【Endless possibility_thermal engineering...】 当社は半導体・電子機器基礎研究用真空薄膜装置、CVD基板加熱用超高温ヒーター、実験炉、温度計測機器などを販売しております。 いつの時代でも欠かす事のできない「熱」に対する尽きぬ需要、基礎技術開発分野での様々なご要求にお応えすべく、最新の機器を紹介し、日本の研究開発に貢献してまいりたいと考えます。