真空用 超高温円筒状ヒーターユニット 最高温度1800℃（グラファイト、C/Cコンポジット） ご要望の仕様にて都度製作致します。 さまざまな用途に応用できる高真空中での円筒状加熱ユニットです。 円筒状加熱範囲内に、試料を入れた坩堝の加熱、金属・セラミック・ワイヤー状サンプルの加熱、など目的に応じてカスタムメイド致します。 ◎ 使用可能環境：真空中, 不活性ガス中 etc.. ◎ 発熱体：Graphite, C/Cコンポジットヒーター、SiCコーティング、PGコーティング、タングステン、タンタル、など。 ◎ 製作範囲：ヒーター部（Φ150 x 100mm程度まで）導入フランジ、温度制御ユニット ◎ 用途：各種真空装置プロセスチャンバー内での試料加熱、放電プラズマ生成ユニット熱電子銃（Lab6）用、ガス供給系統配管急速加熱（液体急速気化） その他ご要望に応じ、特注仕様製作致します。詳細は当社までお問い合わせ下さい。

Max2000℃ Φ6〜8inchウエハー専用高温アニール装置 小規模生産も可能なマルチ雰囲気ウエハーアニール装置 ◾️ Max2000℃ ◾️ 有効加熱範囲：Φ6〜Φ8inch 枚葉式 ◾️ ヒーター制御：1ゾーン、又は2ゾーン（カスケード制御） ◾️ ヒーター材質： ・C/Cコンポジット ・SiCコーティング グラファイト ・TaCコーティング グラファイト ・タングステン ◾️ 使用雰囲気： ・真空中、又は不活性ガス（Ar, N2） ◾️ 到達真空度：10-3 Pa台（@1800℃ *但し空炉、高真空ポンプ仕様の場合） ◾️ PLCセミオート運転 ・真空/パージサイクル、自動ベントシーケンス制御 ・タッチパネル操作、操作が分散せず一元管理が可能です。 ◾️ プロセス圧力制御 ・APCコントロール（MFC流量、又は自動開度調整バルブ PIDループ制御） ・MFC最大3系統流量自動制御、又はフロートメーター/ニードルバルブの手動調整 ◾️ PLOT画面グラフ表示、CSVデータ出力（オプション）

◉最高使用温度 Max2000℃ ◉PLCセミオートコントロール 卓上型Mini-BENCHのセミオート制御式上位機種 「真空/パージサイクル」「ガス置換」「ベント」の各工程を自動制御 最高使用温度2000℃ セミオート制御 超高温実験炉（カーボン炉、タングステンメタル炉） 小型・省スペース実験炉 ◉有効加熱範囲 ・面状ヒーター加熱範囲：Φ2inch〜Φ6inch ・円筒状ヒーター加熱範囲：Φ30〜Φ80 x 深さMax100(H)mm ◉到達真空度：10-3 Pa台（@1800℃ *但し空炉、高真空ポンプ仕様の場合） ◉MFC最大3系統 自動流量制御（又は手動調整） ◉APC圧力制御（オプション） ◉インターロック： 冷却水異常・チャンバー温度異常・過昇温異常 ◉小型・省スペース 幅603 x 奥行603 x 高さ1,160mm（*ロータリーポンプ筐体内設置） 実験室での小片試料の超高温加熱実験、新素材研究開発などのさまざまな試料加熱実験が、簡単な操作で行えます。 本体は小型でありながらよりさまざまな分野の研究開発にお使いいただけます。

卓上小型サイズ実験炉・省スペース 最高使用温度2000℃ ◆装置構成◆ 予算・目的に応じてご要望の構成をご提案致します。 (A)最小構成：チャンバー + 温度制御ユニット (B)上記最小構成(A) + 真空排気系（ポンプ、ゲージ、バルブ・真空配管類） ◉ 円筒状ヒーター：るつぼ内サンプル焼成（固形物、粉体、粒形、ペレット形状サンプル用） ◉ 面状ヒーター：Φ2"〜Φ4"ウエハー、小片チップ焼成用 ◆基本仕様◆ ・ヒーター：C/Cコンポジット(カーボン炉）, タングステン(メタル炉) ・断熱材：グラファイトフェルト材, タングステン/モリブデン ・温度制御：プログラム温度調節計、C熱電対 ・到達真空度：10-3 Pa台（@1800℃ *但し空炉、高真空ポンプ仕様の場合） ・電源仕様：AC200V 50/60HZ 三相 6〜10KVA ・冷却水：3L/min, 0.2Mpa 18〜20℃ ◆コントロールボックス仕様◆ ・プログラム温度調節計 ・DC電源装置 ・電流、電圧計 ◆オプション◆ ・真空排気系（真空ポンプ、真空計、バルブ類） ・特注るつぼ ・架台 他

研究開発の現場で求められる均一性の高い「高品質」な薄膜を作成するための様々な条件を備えます。nanoシリーズはコンパクトボディに機能を凝縮した高性能装置です。 欠陥が少なく良質な成膜に欠かせない要素である高真空環境・十分なT/S調整距離を確保する堅牢で機密性が高いステンレスチャンバー・高真空ポンプを採用。又、全モデルに共通するIntelliDepソフトウエア。直感的で分かりやすいタッチパネル操作で作業者の習熟度を問わずどなたでも操作いただけます。 【nano Benchtopコンパクト薄膜実験装置】 ◉ nanoPVD-S10A：RF/DCマグネトロンスパッタリング装置 ◉ nanoPVD-T15A：有機膜・金属膜蒸着装置 ◉ nanoPVD-ST15A：蒸着・スパッタ混在 複合型薄膜実験装置 ◉ ANNEAL：ウエハーアニール装置 ◉ nanoCVD：グラフェン/CNT合成装置 ※ その他詳細仕様は当社までお問合せ下さい。

スパッタカソード・蒸着ソース混在型薄膜実験装置 コンパクトフレームに金属蒸着・有機蒸着・スパッタカソードを設置 抵抗加熱蒸着源（金属蒸着）、有機蒸着源（有機材料）、マグネトロンスパッタ（金属・絶縁材）、3種類の成膜コンポーネントをチャンバー内に設置、様々な薄膜実験装置に1チャンバーで対応が可能です。 ◉組み合わせは3種類 1. スパッタカソード + 抵抗加熱蒸着源x2 2. スパッタカソード + 有機蒸着源x2 3. スパッタカソード + 抵抗加熱源x1 + 有機蒸着源x1（*DCスパッタのみ） 【仕様】 ◉ 対応基板：〜Φ4inch ◉ スパッタリング：2"カソード x 最大3源 ◉ 真空蒸着：抵抗加熱蒸着（最大2）、有機蒸着（最大4） ◉ 7"タッチパネル操作 PLC自動プロセスコントロール ◉ APC自動圧力制御 ◉ Arガス1系統（標準） + N2, O2 増設可能 ◉ USB端子付 Windows PCに接続し、レシピ作成・保存。PCでデータロギング ◉ 他、多彩なオプションを用意 ◉ 7"タッチパネル簡単操作 PLC自動プロセスコントロール

Max1000℃、MFC最大3系統、APC圧力制御、4"〜最大6"基板対応、 高真空アニール装置（<5 × 10-7 mbar） [nanoANNEAL]は、ウエハー等の基板を安定したプロセス雰囲気にて高温熱処理が可能な研究開発用アニール装置です。 高真空水冷式SUSチャンバー内に設置した加熱ステージにより最高1000℃までの高温処理が可能です。チャンバー内にはヒートシールドが設置されインターロックにて安全を確保。マスフローコントローラは最大3系統まで増設が可能、精密に調整されたプロセスガス圧力での焼成作業が可能です（APC自動プロセス制御システムオプション）。 又、フロントビューポート、ドライスクロールポンプ、特殊基板ホルダー、熱電対増設、などオプションも豊富。 チャンバー内加熱ステージは、プロセスガス雰囲気・処理温度により３種類のバリエーションがあります。 ・ハロゲンランプヒーター：Max500℃ ・C/Cコンポジットヒーター：Max1000℃（真空中、不活性ガスのみ） ・SiCコーティングヒーター：Max1000℃（真空、不活性ガス、O2）

◉ コールドウオール式による高効率・高精度プロセスコントロール ◉ 急速昇温：1100℃/約3分間 ◉ 高精度温度制御：±1℃ ◉ 高精度APC自動圧力制御システム：ガス3系統（Ar, H2, CH4） ◉ グラフェン作成用標準レシピ付属 ◉ コンパクトサイズ：405(W) x 415(D) x 280(H)mm ◆特徴◆ ・簡単操作! 5inchタッチパネルによる操作・レシピ管理 ・最大30レシピ，30stepのプログラム作成可能 ・PCソフトウエア付属 USBケーブル接続，PC側でのオフラインレシピ作成→装置へアップ/ダウンロード, CSVデータ出力 ・最大試料サイズ：40 x 40mm：銅（ニッケル）箔, SiO2/Si, Al2O3/Si基板，他 ◆Model. nanoCVD-8G◆ ・グラフェン用標準プログラム付属 ・高真空プロセス, 高精度プロセス圧力制御 ・ロータリーポンプ標準付属 ・ガス供給3系統（Ar, H2, CH4） ・試料加熱ステージ（高純度グラファイト）Max1100℃ ・Kタイプ熱電対

OLED, OPV, OTFT等の有機薄膜蒸着用途に最適。温度応答性/安定性に優れた低温有機蒸着源、金属膜用蒸着元を採用。 難しい操作手順を必要とせずどなたでも直感的に操作ができる分かりやすいHMI。 PC用ソフトウエア'IntelliLink'付属：システムライブモニタ、CSVファイル保存、成膜レシピを作成登録保存。 ◉コンパクトサイズ：804(W) x 530(D) x 600(H)mm ◉重量：40kg〜70kg（装置構成による） ◉優れた基本性能 ・到達圧力 ≤5 x10-7mbar（*10-6mbar台まで最速15分） ・高性能ターボ分子ポンプ搭載 ・Φ2inchもしくはΦ4inch基板 ◉蒸着源 ・抵抗加熱式蒸着源 TE x 最大2基 ・有機蒸着源 LTE x 最大4基（抵抗加熱TEと混在の場合、2基まで） ◉7"タッチパネル ◉連続成膜 ・成膜プログラム自動制御 ・30種類のレシピ登録 ・高精度ワイドレンジ真空ゲージ ◉豊富なオプション ・基板回転 ・上下昇降 300mmストローク ・基板シャッター ・ドライポンプ（RP標準）

＜30W低出力制御によるダメージレスエッチング 出力制御精度10mWで、繊細なエッチング処理を実現。 2010 年に「炭素新素材グラフェンに関する革新的実験」でノーベル物理学賞受賞マンチェスター大学グラフェン研究チームとの共同開発技術 【特徴】 • 2D（遷移金属カルゴゲナイド, グラフェン）エッチング、表面改質クリーニング • PMMA, PPA等のレジスト除去 • 転写後のテープ残渣除去 • h-BNエッチング（*『フッ化ガス供給モジュール』オプション, SF6ガス系統要） • SiO2エッチング（*『フッ化ガス供給モジュール』オプション, CHF3ガス系統要） • テフロン基板などのダメージを受けやすい基板での表面改質、エッチング 仕様】 ◉ 対応基板：〜Φ6inch ◉ 7"タッチパネル簡単操作 PLC自動シーケンス ◉ APC自動圧力コントロール ◉ Arガス1系統（標準） + N2, O2 最大3系統まで増設 ◉ USB端子付 Windows PCに接続し、自動エッチングレシピ作成・保存。PCでデータロギング

研究開発用のRF/DCマグネトロン式スパッタリング装置です。 高性能・多機能にも関わらず、実験室の限られたスペースにもフィットするコンパクトサイズ、7inch前面タッチパネルによる簡単操作。 ● 到達圧力 ≤5 x10-7mbar（*10-6mbar台まで最速15分） ● 膜均一性 ±3% ● 多彩なオプション：上下・回転、ヒータ、磁性材用カソード、他 ● 3源カソード + MFCx3系統、連続多層膜・同時成膜など多目的に活用頂けます。 ・絶縁膜 ・導電性膜 ・化合物、他 【主な特徴】 ◉ 対応基板：2"（〜3元）、又は"（1元源） ◉ 2"カソード x 最大3元 ◉ タッチパネル簡単操作 PLC自動プログラム制御 ◉ APC自動プロセス圧力コントロール ◉ MFC 最大3系統 ◉ USB端子付 Windows PC接続、最大1000layer, 50filmのレシピを作成・保存。PCでシステムライブモニタ、データロギング。 ◉ 真空系：TMP + RP（*ドライポンプオプション） ◉ 基板回転・上下昇降・加熱（Max500℃） ◉ 水晶振動膜厚モニタ/コントローラ

多元マルチスパッタリング装置（Φ12inch基板対応） ・4元同時成膜（DC, RF, 又はPulseDC）スパッタ ・RF3050W, DC1.5KW両電源を4元カソード（Source1, 2, 3, 4）へ自在に配置変更 ・基板加熱ステージ Max800℃（SiCコーティングヒーターでMax1000℃も可能） ・MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング ・メインチャンバー RIEエッチングステージRF300W ・LLチャンバー ＜30W 低出力制御ソフトエッチング ・独自の"Soft-Ething"技術で基板バイアスにより基板のダメージを軽減 ・タッチパネル又はWindows PC操作：操作が分散せず、全ての操作をタッチパネル/PCで行うことができます。 ・装置設置寸法：1,960(W) x 1,100(D) x 1,700(H)mm ・マルチチャンバー式も製作可能です。 ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着などとの混在仕様も構成可能です。

コンパクト/省スペース、ハイスペック 70ℓ容積 蒸着・スパッタ・EB・アニールなどの薄膜モジュールを組込みことができる、様々な用途に対応可能なマルチ薄膜実験装置 コンパクト/省スペース、ハイスペック薄膜実験装置 下記蒸着源から組合せが可能 ・抵抗加熱蒸着元 x 最大4 ・有機蒸着元 x 最大4 ・電子ビーム蒸着 ・2inchマグネトロンスパッタリングカソード x 4 ・プラズマエッチング：メインチャンバー、ロードロックチャンバーのいずれでも設置可能 【スモールフットプリント・省スペース】 ・デュアルラックタイプ（MiniLab-060）：1200(W) x 590(D)mm 【優れた操作性・直観的操作画面】 Windows PC、または７”タッチパネル。熟練度を問わない簡単操作、且つ安全に最大限配慮しております。

コンパクト/省スペース、ハイスペック 70ℓ容積 蒸着・スパッタ・EB・アニールなどの薄膜モジュールを組込みことができる、様々な用途に対応可能なマルチ薄膜実験装置 コンパクト/省スペース、ハイスペック薄膜実験装置 下記蒸着源から組合せが可能 ・抵抗加熱蒸着源 x 最大4 ・有機蒸着源 x 最大4 ・電子ビーム蒸着 ・2inchマグネトロンスパッタリングカソード x 4 ・プラズマエッチング：メインチャンバー、ロードロックチャンバーのいずれでも設置可能 【スモールフットプリント・省スペース】 ・デュアルラックタイプ（MiniLab-070）：1200(W) x 590(D)mm 【優れた操作性・直観的操作画面】 Windows PC、または７”タッチパネル。熟練度を問わない簡単操作、且つ安全に最大限配慮しております。

モジュラー式コンポーネント・制御機器設計による豊富なバリエーション。様々な薄膜プロセス実験への応用が可能になります。小型省スペース・シンプル操作・ハイコストパフォーマンスを実現した、フレキシブルR&D用薄膜実験装置です。 マグネトロンスパッタ（最大3元）もしくは抵抗加熱蒸着（金属源 最大2、有機材料x4）に対応します、又基板加熱ステージを設置しアニール装置、RFエッチングも製作可能。 グローブボックス収納タイプもございます（*要仕様協議）。 フレキシブルにカスタマイズが可能な豊富なオプション部品を揃えております。 ◉ Φ2inchマグネトロンカソード（最大3元） ◉ 抵抗加熱蒸着源フィラメント、ルツボ、ボート式（最大4元 コントローラで自動切替） ◉ 有機蒸着セル：1cc or 5cc ◉ グローブボックス搭載可能（オプション 要仕様協議） ◉ その他オプション： 同時成膜、HiPIMS、デポレート・膜厚レート制御、特注基板ホルダ、ロードロック、基板回転/加熱・冷却などオプション豊富。 ※ まずはご要求の仕様をご連絡下さい、ご要望に合わせシステム構成致します。

80ℓ容積 400(W)x400(D)x570(H)mm D型ボックスチャンバーで構成されるML-080は、070と同等の構成で更にチャンバーを高くすることによりTS距離調整範囲が長く、大口径基板での蒸着時の膜均一性が向上、真空蒸着に最適なモデルです。ロードロック機構も追加できるML-070の上位機種。070同様に、コンパクトながら抵抗加熱蒸着（金属/絶縁物/有機材料）、EB蒸着、RF/DC/PulseDC兼用マグネトロン式スパッタ、RIEプラズマエッチング、アニールなどの幅広い目的にも対応。 ・最大基板サイズ：Φ11inch ・抵抗加熱蒸着源 x 最大4元 ・有機蒸着源 x 最大4元 ・マグネトロンスパッタリングカソード x 4元 ・電子ビーム蒸着 ・基板加熱ステージ（標準500℃、Max1000℃） ・*プラズマエッチング/<30Wソフトエッチング *プラズマエッチングはメインチャンバー、ロードロックチャンバーいずれも設置可能

MiniLab薄膜実験装置は、豊富なオプションから必要な成膜方法・材質に応じて都度最適なコンポーネント、制御モジュールを組み込むことにより、セミカスタムメイドで無駄を省いたコンパクトな装置を構築することができます。モジュラー式コンポーネント・制御機器設計による豊富なバリエーション、様々な薄膜プロセス実験への応用が可能になります。 【MiniLab薄膜実験装置 構成モジュール】 ◎ 製作範囲 抵抗加熱蒸着（TE）、有機蒸着（LTE）、電子ビーム蒸着（EB）、スパッタリング（SP）、ドライエッチング、アニール 【スモールフットプリント・省スペース】 ・シングルラックタイプ（026/090）：590(W) x 590(D)mm ・デュアルラックタイプ（070/080）：1200(W) x 590(D)mm ・トリプルラックタイプ（125）：1770(W) x 755(D)mm 【優れた操作性・直観的操作画面】 Windows PC操作画面で一元管理が可能。熟練度を問わない簡単操作、安全にも最大限配慮しております。チャンバー内部品調整、材料交換以外の全ての操作はPC/HMI画面で行います。

Φ2inchカソード x 4元搭載 同時成膜：3元同時成膜（RF150W or DC780W）+ HiPIMS（PulseDC 5KW） x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング RIEエッチングステージRF150W（メインチャンバー） + <30Wソフトエッチング（LLチャンバー） 基板加熱：Max500℃, 800℃, 又は1000℃（C/C、又はSiCコート） 基板回転・上下昇降（ステッピングモーター自動制御） APC自動制御：アップストリーム（MFC流量調整）又はダウンストリーム（排気側バルブ自動開度調整） デポレート・膜厚レート制御 寸法：1,120(W) x 800(D) ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着などとの混在仕様も構成可能です。

2台の薄膜実験装置をロードロック機構で連結。異なる成膜装置（スパッタ - 蒸着、など）をロードロックでシームレスに連結。Moorfield社独自のロードロックシステムにより、左右・後方へのプロセス室への連結も可能（写真下）。 1. MiniLab-E080A（蒸着装置） ・EB蒸着:7ccるつぼ x 6 ・抵抗加熱蒸着 x 2 ・有機蒸着 x 2 2. MiniLab-S070A（スパッタリング装置） ・Φ2"マグネトロンカソード x 4元同時スパッタ ・DC, RF両電源対応 3. Load Lockチャンバー ・プラズマエッチングステージ ロードロック室では「RF/DC基板バイアスステージ」による基板表面のプラズマクリーニング、又、同社独自の『ソフトエッチング』技術による<30W 低出力・ダメージレスプラズマエッチングステージも搭載可能。2D（PMMA等のレジスト除去など）、グラフェン剥離、又、テフロン基板などのダメージを受けやすい繊細なエッチングプロセスも可能。（*メインチャンバーステージへも搭載可能です）

モジュラー式コンポーネント・制御機器設計による豊富なバリエーション。様々な薄膜プロセス実験への応用が可能になります。小型省スペース・シンプル操作・ハイコストパフォーマンスを実現した、フレキシブルR&D用薄膜実験装置です。 マグネトロンスパッタ（最大3元）もしくは抵抗加熱蒸着（金属源 最大2、有機材料x4）に対応します、又基板加熱ステージを設置しアニール装置、RFエッチングも製作可能。 グローブボックス収納タイプもございます（*要仕様協議）。 フレキシブルにカスタマイズが可能な豊富なオプション部品を揃えております。 ◉ Φ2inchマグネトロンカソード（最大3元） ◉ 抵抗加熱蒸着源フィラメント、ルツボ、ボート式（最大4極 コントローラで自動切替） ◉ 有機蒸着セル：1cc or 5cc ◉ グローブボックス搭載可能（オプション 要仕様協議） ◉ その他オプション： 同時成膜、HiPIMS、自動成膜コントローラ、特注基板ホルダ、ロードロック、基板回転/加熱・冷却などオプション豊富。 ※ まずはご要求の仕様をご連絡下さい、ご要望に合わせシステム構成致します。

多目的に使える、高精度プロセスコントロール【ホットウオール式熱CVD装置】 ◉ グラフェン, カーボンナノチューブ ◉ ZnOナノワイヤ ◉ SiO2等の絶縁膜など その他, ホットウオール式熱CVD装置として幅広いアプリケーションに活用いただけます。

半導体, 電子デバイス等の開発, 真空薄膜プロセス用【高温基板加熱機構】 シリコン基板, サファイア基板, 化合物基板他様々な成膜実験用に活用いただけます。 CVD, スパッタ等の真空装置用超高温Max1800℃基板加熱条件に応じたエレメント、材料の選定が可能 ◉ 超高真空・不活性ガス・O2・各種プロセスガス雰囲気に対応 ◉ 基板上下/回転機構及びRF/DCバイアス印加可能 ◉ 雰囲気に応じたエレメントの選択： NiCr, Inconel, タングステン, グラファイト, CCコンポジット,  グラファイト（SiCコーティング, PBNコーティング） CCコンポジット（PGコーティング） ◉ 各種真空フランジ接続：ICF, VF ◉ 熱電対付属 ◉ その他オプション：モーターコントローラ, 温度制御ユニット, トランスボックス

ローコスト 必要最小構成（手動制御）管状炉・拡散炉・熱CVDとして応用可能 小片試料〜3inch waferまでの小基板用 サセプタ手動昇降式縦型実験炉 大学・企業研究室での基礎実験用に最適な基礎実験用ローコスト版縦型炉 【用途】 ◉ 半導体・太陽電池・燃料電池・電子基板等の熱処理 ◉ 基礎実験：縦型管状炉・酸化拡散炉・LPCVD等の簡易熱処理実験 【主な仕様】 ・炉内温度Max1200℃, 試料最大温度Max950℃ ・小片試料：数ミリサイズ〜3inchウエハーサイズまで対応 ・基板枚数：1〜3枚程度 ・石英サセプタ手動昇降式：停止位置目盛、クランパ付き ・炉芯管：Φ100 x Φ95 x 470L mm ・昇降：手動回転ハンドル ・温度調節：PIDプログラム温度調節計 ・熱電対：2対式K熱電対x1（制御用、過昇温用）、Kタイプ素線（炉芯測温用）

テルモセラ・ジャパン【基板加熱ヒーター】CVD, PVD等の薄膜実験用に最適な1inch〜4inch超高温基板加熱ヒーターのカタログの最新版に更新しました。 ◉ 最高使用温度850℃（SH-IN）、1100℃（SH-BN） 基板ホルダ、上下昇降機構・基板回転機構・RFバイアスなどのカスタマイズ品ご要求にも対応致します。 又、ヒーターコントローラは従来の据置型に加え19inchラックマウントも取扱います。

標準 在庫規格品、従来よりお求めやすい低価格・短納期でのご提供が可能になりました。 *下記構成に限ります。又、在庫状況も変わりますので詳細は当社までお問い合わせください。 【nanoPVD-S10A標準構成仕様】 ● 基板ステージ：Φ4inch、基板シャッター付 ● 最高到達圧力：≤5 x10-7mbar（*10-6mbar台まで最速15分） ● 2"マグネトロンカソード x 2：自動連続多層膜, 2源同時成膜（RF/DCのみ） ● RF150W、DC780W 電源搭載 ● プロセスガス3系統（Ar, O2, N2） ● 主排気TMP、粗挽RP（*ドライポンプ オプション） ● Windows PCリモートソフトウエア"IntelliLink"付属：システムライブモニター、最大1000layer, 50filmのレシピを作成・保存。PCでデータロギング ● 水晶振動子膜厚センサ付属 【主な用途】 ・酸化膜、絶縁膜 ・金属・合金、導電性膜 ・化合物、反応性膜、他 【オプション】 ◉ 基板加熱ヒーター500℃、磁性材用カソード、ドライスクロールポンプ、など

真空用 超高温円筒状ヒーターユニット 最高温度1800℃（グラファイト、C/Cコンポジット） ご要望の仕様にて都度製作致します。 さまざまな用途に応用できる高真空中での円筒状加熱ユニットです。 円筒状加熱範囲内に、試料を入れた坩堝の加熱、金属・セラミック・ワイヤー状サンプルの加熱、など目的に応じてカスタムメイド致します。 ◎ 使用可能環境：真空中, 不活性ガス中 etc.. ◎ 発熱体：Graphite, C/Cコンポジットヒーター、SiCコーティング、PGコーティング、タングステン、タンタル、など。 ◎ 製作範囲：ヒーター部（Φ150 x 100mm程度まで）導入フランジ、温度制御ユニット ◎ 用途：各種真空装置プロセスチャンバー内での試料加熱、放電プラズマ生成ユニット熱電子銃（Lab6）用、ガス供給系統配管急速加熱（液体急速気化） その他ご要望に応じ、特注仕様製作致します。詳細は当社までお問い合わせ下さい。

OLED蒸発源は最高使用温度1500℃の真空装置用高温加熱ヒーターです。 蒸発温度の高い材料も蒸発することができますので、低温有機蒸着（～ 800℃）セルから、高温抵抗加熱蒸着（～ 1500℃）MBEセルまで、真空高温ヒーター・蒸着セルとして幅広い様々な用途に活用いただけます。 シャッター・アクチュエータ、水冷ジャケットも用意。 800℃以上の高温ヒーターは、内部シールドを備え、断熱・熱遮蔽を考慮した設計。 【主仕様】 ■最高制御温度：800℃、又は1500℃ ■使用環境：真空中・不活性ガス（*O2 は800℃まで） ■ヒーター：タングステンフィラメント ■るつぼ容積：1cc（最大充填量1.5cc） ■るつぼ材質：アルミナ ■ケース材質：SUS304, 又はモリブデン ■熱電対：K、又はC 【オプション】 ⚫︎るつぼ材質：PBN, グラファイト, 石英 ⚫︎ヒーター：NiCr 線, カンタル線（*O2 用） ⚫︎るつぼ容積：10cc（最大充填量15cc） ⚫︎シャッター：空圧式, 又はモーター駆動 ⚫︎水冷ジャケット ⚫︎コントローラー（ヒーター・シャッター制御）

高真空対応 多彩なヒーター材質オプション。 PVD（スパッタ、蒸着、EB等）、高温真空アニール、高温解析用基板ステージ、などに応用いただけます。 様々なご要望仕様にカスタムメイド対応致します。 【特徴】 ● 予備ヒーター素線との交換が容易 ●設置、メンテナンスが容易（M6スタッドボルト、支柱） 【対応基板サイズ】 ◉ Φ1inch〜Φ6inch 【標準付属品】 ● 熱電対：素線タイプ アルミナ絶縁スリーブ付き ● 取付用スタッドボルト 【オプション】 ● 標準外ヒーター素線（Nb, Mo, Pt/Re, WRe他） ● 基板保持クリップ ● 取付ブラケット ● 基板ホルダー ● ホルダー設置用タップ穴加工 ● トッププレート材質変更（PBN, 石英, カーボン, Inconel, 他） ● 過昇温用追加熱電対 ● ベースフランジ、真空導入端子

コンパクト・省スペース・省エネルギー！ 高性能 R&D用超高温実験炉 小片試料を最高2900℃まで加熱実験ができるR&D用超高温小型実験炉。 実験室での超高温加熱実験、新素材開発などのさまざまな焼成実験を行うことができます。 ◆主な特徴◆ ・省スペース ・ロータリーポンプ、コンプレッサー付属 ・インターロック：断水警報、過昇温、ガス圧力低下 ◆基本仕様◆ ・電源仕様：AC200V 75A NFB 50/60HZ（C-500） ・Max2900℃（カーボン炉）、2400℃（メタル炉）、 ・プログラム温度調節計、C熱電対 ◆オプション◆ ・記録計 ・ターボ分子ポンプ ・るつぼ ◆主なアプリケーション◆ ・新素材開発 ・燃料電池 ・その他

OLED, OPV, OTFT等の有機薄膜蒸着用途に最適。温度応答性/安定性に優れた低温有機蒸着源、金属膜用高温蒸着源を採用。 簡単タッチパネル操作でPLC全自動制御、操作性・メンテナンス性にも優れたR&D用真空蒸着装置。 難しい操作手順を必要とせずどなたでも直感的に操作ができる分かりやすいHMI。 USBケーブルでPCに接続、ログを保存、自動成膜レシピを作成保存。 ◉コンパクトサイズ：804(W) x 530(D) x 600(H)mm ◉重量：40kg〜70kg（装置構成による） ◉優れた基本性能 ・≤5 x10-7mbar（*10-6mbar台まで最速15分） ・高性能ターボ分子ポンプ搭載 ・Φ2inchもしくはΦ4inch基板 ◉蒸着源 ・抵抗加熱式蒸着源 TE x 最大2基 ・有機蒸着源 LTE x 最大4基（抵抗加熱TEと混在の場合、2基まで） ◉7"タッチパネル ◉連続成膜 ・成膜プログラム自動制御 ・30種類のレシピ登録 ・高精度ワイドレンジ真空ゲージ ◉豊富なオプション ・基板回転 ・上下昇降 ・基板シャッター ・ドライポンプ（RP標準）