高機能タッチパネル変換器で簡単設定・データロギング・microSDカードにデータ保存 PM2.2は光沢金属表面の測定も可能 【概要】 視認性の良い高輝度タッチパネルディスプレーで、温度レンジ・放射率・サンプリングレート等のパラメータを直感的に操作・設定。 microSDカードで長期間のデータ保存・管理が可能です。 （*オプションでディスプレー無しの変換器もあります） φ18mm x 45mmの小型センサヘッドで、狭い場所での温度測定も可能、耐ノイズ性に優れたセンサ・ケーブルを採用しておりますので、ロボットアームなどの動く機器への組込みにも適します。 PM2.2モデルは、短波長2.2um波長を採用、高温（Max2000℃）、光沢性のある金属材料表面の測定などにも対応します。 【特徴】 ◎ ワイドレンジ：-20〜1000℃（PM）, 100〜2000℃（PM2.2） ◎ 優れた基本性能：精度±1%, 再現性±0.5%、240msec高速応答 ◎ 測定波長領域：8〜14μm（PM）, 2.0〜2.2μm（PM2.2） ◎ 小型Φ18mm x 45mm

温度範囲・放射率・アラーム等のパラメータをスマートホン、タブレットで設定 表示計器、計器用電源を必要とせず簡単に設定できます。 ● スマホ・タブレットを使い設定を行う事ができます。 ● 専用アプリをGoogle Playから無料ダウンロード（Android4.1〜5.1） ● AndroidのNFC通信を使い、センサ部にタッチするだけで読込み・書出しをします。 ● 超小型センサ（Φ31mm x t29mm）狭い場所でも温度測定が可能。 ● 高速応答125msec、高精度±1.5% ● 電圧出力（0-5V or 0-10V）、又はK熱電対出力 【その他仕様】 ◉ 視野角：15:1 ◉ 温度範囲：0℃〜1000℃ ◉ 測定波長領域：8〜14μm ◉ 放射率： 0.2〜1.0 ◉ 電源：24VDC（最小6V/10V〜最大28VDC） ◉ ケーブル：1m付属（最長30m延長可能） 【オプション】 ◉ 本体固定金具 ◉ 延長ケーブル ◉ エアパージキット

小型計量・堅牢ボディ・高精度±1%・240msec高速応答 産業用機械制御用、生産現場の温度監視など多目的に応用できます。 【特徴】 ◎ アンプ・センサ一体型 ◎ 4-20mA出力（標準）、0-50mV、熱電対K, J出力（オプション） ◎ 精度：±1% or ±1℃（いずれか大きい値） ◎ 再現性：±0.5% or ±0.5℃（いずれか大きい値） ◎ 応答速度：240msec ◎ 保護等級：IP65 【その他仕様】 ◉ 視野角：2:1, もしくは15:1 ◉ 温度範囲： ・LT（-20℃〜100℃） ・MT（0〜250℃） ・HT（0〜500℃） ◉ 測定波長領域：8〜14μm ◉ 放射率：0.95（固定） ◉ 電源：24VDC ◉ 本体寸法：Φ18mm（径） x 103mm（長さ） ◉ 重量：約95g ◉ ケーブル1m（標準付属）：延長最長3m（オプション）

【概要】 標準付属の「CalexConfig」とUSBケーブル（1.8m付属）でWindowsPCに接続、PC上でセンサの測定パラメータ設定、測定結果の解析・CSV出力ができます。 1) 4-20mA出力 2) USB出力（USBバスパワーで動作） 3) 4-20mA/USB出力の同時使用 の3通りの使い方が可能です。 【特徴】 ◎ USBデータロギング/4-20mAアナログ出力の同時使用可能 ◎ 優れた基本性能：精度±1%, 再現性±0.5%、200msec高速応答 ◉ PUA2：短波長2.0〜2.4μmもカバー、金属表面も測定可能 ◉ PUA5：ガラス表面測定用に最適 波長5μm ◉ PUA8：一般用途 幅広い用途に 波長8-14um 【その他仕様】 ◉ 視野角：15:1, 25:1, 30:1, 又は75:1 ◉ 放射率設定範囲：0.1〜1.0 ◉ 電源：24VDC ◉ 本体寸法：Φ27.6mm（径） x 61mm（長さ） ◉ 重量：約155g ◉ アナログ信号ケーブル1m（標準付属、延長最長30mまで） *USBケーブル1.8m（USBケーブルは延長不可）

OLED蒸発源は最高使用温度1500℃の真空装置用高温加熱ヒーターです。 蒸発温度の高い材料も蒸発することができますので、低温有機蒸着（～ 800℃）セルから、高温抵抗加熱蒸着（～ 1500℃）MBEセルまで、真空高温ヒーター・蒸着セルとして幅広い様々な用途に活用いただけます。 シャッター・アクチュエータ、水冷ジャケットも用意。 800℃以上の高温ヒーターは、内部シールドを備え、断熱・熱遮蔽を考慮した設計。 【主仕様】 ■最高制御温度：800℃、又は1500℃ ■使用環境：真空中・不活性ガス（*O2 は800℃まで） ■ヒーター：タングステンフィラメント ■るつぼ容積：1cc（最大充填量1.5cc） ■るつぼ材質：アルミナ ■ケース材質：SUS304, 又はモリブデン ■熱電対：K、又はC 【オプション】 ⚫︎るつぼ材質：PBN, グラファイト, 石英 ⚫︎ヒーター：NiCr 線, カンタル線（*O2 用） ⚫︎るつぼ容積：10cc（最大充填量15cc） ⚫︎シャッター：空圧式, 又はモーター駆動 ⚫︎水冷ジャケット ⚫︎コントローラー（ヒーター・シャッター制御）

ExTempは、石油化学プラント・医薬品工場・薬品工場などの危険物取扱設備や工場で使用することができる本質安全防爆構造の放射温度センサーです。 （TIIS型式検定合格番号：第21097号） TIIS（産業安全技術協会）検定取得 危険場所（Zone0, 1, & 2）で使用可能 ● 危険場所Zone 0、1 及び2（特別危険箇所、第一類危険箇所及び第二類危険箇所）で使用可 ● 測定温度範囲：-20℃ ～ +1000℃ ● 最大最小設定可能スパン：Max1000℃, Mini100℃（-20〜1000℃範囲で設定可能） ● 2線式、4-20mA出力 ● 本質安全防爆絶縁バリヤ付属 ● USB接続コンフィグレーション設定器「LCT設定器」付属：WindowsPCで付属の専用ソフトでスケーリング・スパン調整・放射率などの設定が可能 ● オプション：固定金具, エアパージキット, 延長ケーブル（10m, 25m） ● 過酷な環境に対応、316 ステンレス容器採用 ● 保護等級IP65

USB接続式小型赤外線温度センサー 電源不要 PCからUSBバスパワーで給電 付属の専用ソフトでパラメータ設定・データ管理 【概要】 標準付属の「CalexConfig」をインストール、あとはUSBケーブルでWindowsPCに接続するだけ。Plug&Play感覚で簡単にPC上でセンサの測定パラメータ設定、測定、測定結果の解析・CSV出力ができます。 【特徴】 ◎ USBデータロギング ◎ 優れた基本性能：精度±1%, 再現性±0.5%、240msec高速応答 ◎ 測定波長領域8〜14μmをカバー ◎ 小型Φ18mm x 45mm 【その他仕様】 ◉ 視野角： ・PMU21：2:1 ・PMU201：20:1 ◉ 温度範囲： -20℃〜1000℃ ◉ 測定波長領域：8-14um ◉ 放射率：0.2〜1.0 ◉ 電源：不要 ◉ 本体寸法：Φ18mm（径） x 45mm（長さ） ◉ 重量：約85g ◉ USBケーブル1.5m

PyroCVは、アスファルト及び、反射しない建築資材の温度測定にも適します。 その他、反射の無い非鉄金属、コンクリート、塗装表面の温度測定など、幅広くご使用いただけます。 ● 安定した高速応答性能：125msec ● 2種類の出力オプション：電圧出力（0-5V）, CAN BUS通信出力 ● 耐久性：SUS316製 堅牢ボディ 保護等級IP67/IP65 ● 準拠規格：工事 建設機械向けEMC規格 ISO 13766-1適合 ● 道路舗装工事の過酷な環境にも耐えられる頑丈な設計 ● M12（5極）防水コネクタを採用、配線着脱が容易 PyroCV（パイロCV）は車載機器の電気的負荷試験の規格 ISO16750-2 に適合するテストに適合しています。また、ISO 13766-1 適合により、ロードダンプサージ抑制を提供すると同じ電気システムと等価の性能を保持しています。 【主な用途】 ⚪︎ アスファルト舗装 ⚪︎ ロードローラー ⚪︎ コンクリートの加工・養生、など

2台の薄膜実験装置をロードロック機構で連結。異なる成膜装置（スパッタ - 蒸着、など）をロードロックでシームレスに連結。Moorfield社独自のロードロックシステムにより、左右・後方へのプロセス室への連結も可能（写真下）。 1. MiniLab-E080A（蒸着装置） ・EB蒸着:7ccるつぼ x 6 ・抵抗加熱蒸着 x 2 ・有機蒸着 x 2 2. MiniLab-S070A（スパッタリング装置） ・Φ2"マグネトロンカソード x 4元同時スパッタ ・DC, RF両電源対応 3. Load Lockチャンバー ・プラズマエッチングステージ ロードロック室では「RF/DC基板バイアスステージ」による基板表面のプラズマクリーニング、又、同社独自の『ソフトエッチング』技術による<30W 低出力・ダメージレスプラズマエッチングステージも搭載可能。2D（PMMA等のレジスト除去など）、グラフェン剥離、又、テフロン基板などのダメージを受けやすい繊細なエッチングプロセスも可能。（*メインチャンバーステージへも搭載可能です）

モジュラー式コンポーネント・制御機器設計による豊富なバリエーション。様々な薄膜プロセス実験への応用が可能になります。小型省スペース・シンプル操作・ハイコストパフォーマンスを実現した、フレキシブルR&D用薄膜実験装置です。 マグネトロンスパッタ（最大3元）もしくは抵抗加熱蒸着（金属源 最大2、有機材料x4）に対応します、又基板加熱ステージを設置しアニール装置、RFエッチングも製作可能。 グローブボックス収納タイプもございます（*要仕様協議）。 フレキシブルにカスタマイズが可能な豊富なオプション部品を揃えております。 ◉ Φ2inchマグネトロンカソード（最大3元） ◉ 抵抗加熱蒸着源フィラメント、ルツボ、ボート式（最大4極 コントローラで自動切替） ◉ 有機蒸着セル：1cc or 5cc ◉ グローブボックス搭載可能（オプション 要仕様協議） ◉ その他オプション： 同時成膜、HiPIMS、自動成膜コントローラ、特注基板ホルダ、ロードロック、基板回転/加熱・冷却などオプション豊富。 ※ まずはご要求の仕様をご連絡下さい、ご要望に合わせシステム構成致します。

コンパクト設計、設置場所を選ばない省スペース設計。 コンパクトボディながら高度計算ソフトにより高解像度のデータを生成します。 ＊ X線管電圧：0〜150kV ＊ 焦点径：7μm（5μm@4W） ＊ 検出器画素：49.5μm、675万画素！ ＊ サンプルサイズ：Φ100mm ◉ Vcap（制御ソフト）： 撮影対象物、目的に合わせたカスタムメイドの撮影ステージ。撮影から画像出力までの一連の作業をクリック操作だけで行えます。最速20秒で高速連続撮影、撮影開始から画像再構成まで約30秒で処理 ◉ VCT（再構成ソフト）： ご指定の撮影対象物に特化した自動計測・解析ソフトをカスタマイズ可能 撮影画像992 x 992ピクセル、プロジェクション数600の撮影データをわずか3.8秒で高速再構成！ ◉ MolcerPlus（3D表示解析）： 従来他のソフトウエアで困難であった測定条件を可能にするカスタムソフトウエア 画像化した物体を、表示・加工・計測するためのソフトウエア ●高い安全性、 ●多種・多様なサンプルにも対応 ●直感的HMI、簡単操作

多目的に使える、高精度プロセスコントロール【ホットウオール式熱CVD装置】 ◉ グラフェン, カーボンナノチューブ ◉ ZnOナノワイヤ ◉ SiO2等の絶縁膜など その他, ホットウオール式熱CVD装置として幅広いアプリケーションに活用いただけます。

抵抗加熱蒸着源（金属蒸着）・有機蒸着源（有機材料）・マグネトロンスパッタ（金属・絶縁材）などのソース混在システム。 2種類の成膜コンポーネントをチャンバー内に最大3源まで設置、様々な薄膜実験装置に1チャンバーで対応が可能です。 【仕様】 ◉ 対応基板：〜Φ4inch ◉ スパッタリング：2"カソード x 最大2源 ◉ 真空蒸着：抵抗加熱蒸着（最大2）、有機蒸着（最大2） ◉ 7"タッチパネル操作 PLC自動プロセスコントロール ◉ APC自動圧力制御 ◉ Arガス1系統（標準） + N2, O2 増設可能 ◉ USB端子付 Windows PCに接続し、レシピ作成・保存。PCでデータロギング ◉ 他、多彩なオプションを用意 ◉ 7"タッチパネル簡単操作 PLC自動プロセスコントロール

コンパクト設計、設置場所を選ばない省スペース設計。 コンパクトボディながら高度計算ソフトにより高解像度のデータを生成します。 ＊ X線管電圧：20〜90kV, 又は40〜最大130kV ＊ 焦点径：7μm（5μm@4W） ＊ 検出器画素：89μm、約320万画素！ ＊ サンプルサイズ：Φ120mm ◉ Vcap（制御ソフト）： 撮影対象物、目的に合わせたカスタムメイドの撮影ステージ。撮影から画像出力までの一連の作業をクリック操作だけで行えます。最速20秒で高速連続撮影、撮影開始から画像再構成まで約30秒で処理 ◉ VCT（再構成ソフト）： ご指定の撮影対象物に特化した自動計測・解析ソフトをカスタマイズ可能 撮影画像992 x 992ピクセル、プロジェクション数600の撮影データをわずか3.8秒で高速再構成！ ◉ MolcerPlus（3D表示解析）： 従来他のソフトウエアで困難であった測定条件を可能にするカスタムソフトウエア 画像化した物体を、表示・加工・計測するためのソフトウエア ●高い安全性、 ●多種・多様なサンプルにも対応 ●直感的HMI、簡単操作

◉最高使用温度 Max2000℃ ◉PLCセミオート制御：真空/パージ、ガス置換、ベントの各工程を自動制御 ◉使用雰囲気：真空、大気圧ガス置換焼成（Ar, N2, O2）、APCプロセス圧力制御 ◉ヒーター材質： ・C/Cコンポジット ・SiC/TaCコーティング ・タングステン ◉有効加熱範囲 ・面状ヒーター加熱範囲：Φ2inch〜Φ6inch ・円筒状ヒーター加熱範囲：Φ30〜Φ80 x 深さMax100(H)mm ◉到達真空度：10-3 Pa台（@1800℃ *但し空炉、高真空ポンプ仕様の場合） ◉MFC最大3系統 自動流量制御（又は手動） ◉APC圧力制御（オプション） ◉インターロック：冷却水異常・チャンバー温度異常・過昇温異常 ◉小型・省スペース：幅603 x 奥行603 x 高さ1,160mm（*ロータリーポンプ筐体内設置） ◆主な応用アプリケーション◆ ・新素材開発 ・材料分析 ・その他各種先端材料開発に応用

◾️Max2000℃ ◾️有効加熱範囲：Φ6〜Φ8inch 枚葉式、又はバッチ式 ◾️ヒーター制御：1ゾーン、又は2ゾーン ◾️ヒーター材質： ・C/Cコンポジット ・SiCコーティンググ ・TaCコーティング ・タングステン ◾️使用雰囲気： ・真空（10-3Pa台@1800℃（*但し空炉、高真空ポンプ仕様の場合）、大気圧ガス置換（Ar, N2, O2）、APCプロセス圧力制御 ◾️PLCセミオート運転 ・真空/パージサイクル、ベントの自動シーケンス制御 ・タッチパネル操作 ◾️ プロセス圧力制御 ・APCコントロール（MFC流量、又は自動開度調整バルブ（PIDループ制御） ・MFC最大3系統流量自動制御、又はフロートメーター/ニードルバルブの手動調整 ◆主な応用アプリケーション◆ ・ワイドギャップ半導体 結晶成長およびデバイス作製プロセス中での高温アニール ・窒化物半導体結晶 エピタキシャル成長プロセス中での高温アニール ・SiC、GaN（窒化ガリウム）パワー半導体高温アニール ・薄膜ニオブ酸リチウム ・他各種先端材料基礎開発に応用

◾️Max2000℃ ◾️有効加熱範囲：Φ6〜Φ8inch 枚葉式、又はバッチ式 ◾️ヒーター制御：1ゾーン、又は2ゾーン ◾️ヒーター材質： ・C/Cコンポジット ・SiCコーティンググ ・TaCコーティング ・タングステン ◾️使用雰囲気： ・真空（10-3Pa台@1800℃（*但し空炉、高真空ポンプ仕様の場合）、大気圧ガス置換ル（Ar, N2, O2）、APCプロセス圧力制御 ◾️PLCセミオート運転 ・真空/パージサイクル、ベントの自動シーケンス制御 ・タッチパネル操作 ◾️ プロセス圧力制御 ・APCコントロール（MFC流量、又は自動開度調整バルブ（PIDループ制御） ・MFC最大3系統流量自動制御、又はフロートメーター/ニードルバルブの手動調整 ◆主な応用アプリケーション◆ ・ワイドギャップ半導体 結晶成長およびデバイス作製プロセス中での高温アニール ・窒化物半導体結晶 エピタキシャル成長プロセス中での高温アニール ・SiC、GaN（窒化ガリウム）パワー半導体高温アニール ・薄膜ニオブ酸リチウム ・他各種先端材料基礎開発に応用

OLED, OPV, OTFT等の有機薄膜蒸着用途に最適。温度応答性/安定性に優れた低温有機蒸着源、金属膜用高温蒸着源を採用。 簡単タッチパネル操作でPLC全自動制御、操作性・メンテナンス性にも優れたR&D用真空蒸着装置。 難しい操作手順を必要とせずどなたでも直感的に操作ができる分かりやすいHMI。 USBケーブルでPCに接続、ログを保存、自動成膜レシピを作成保存。 ◉コンパクトサイズ：804(W) x 530(D) x 600(H)mm ◉重量：40kg〜70kg（装置構成による） ◉優れた基本性能 ・≤5 x10-7mbar（*10-6mbar台まで最速15分） ・高性能ターボ分子ポンプ搭載 ・Φ2inchもしくはΦ4inch基板 ◉蒸着源 ・抵抗加熱式蒸着源 TE x 最大2基 ・有機蒸着源 LTE x 最大4基（抵抗加熱TEと混在の場合、2基まで） ◉7"タッチパネル ◉連続成膜 ・成膜プログラム自動制御 ・30種類のレシピ登録 ・高精度ワイドレンジ真空ゲージ ◉豊富なオプション ・基板回転 ・上下昇降 ・基板シャッター ・ドライポンプ（RP標準）

Φ2inchカソード x 4搭載 同時成膜：3元同時成膜（RF150W or DC780W）+ HiPIMS（PulseDC 5KW） x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング RIEエッチングステージRF150W（メインチャンバー） + <30Wソフトエッチング（LLチャンバー） 基板加熱：Max500℃, 800℃, 又は1000℃（C/C、又はSiCコート） 基板回転・上下昇降（ステッピングモーター自動制御） APC自動制御：アップストリーム（MFC流量調整）又はダウンストリーム（排気側バルブ自動開度調整） デポレート・膜厚レート制御 寸法：1,120(W) x 800(D) ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。

高真空対応 多彩なヒーター材質オプション。 PVD（スパッタ、蒸着、EB等）、高温真空アニール、高温解析用基板ステージ、などに応用いただけます。 様々なご要望仕様にカスタムメイド対応致します。 【特徴】 ● 予備ヒーター素線との交換が容易 ●設置、メンテナンスが容易（M6スタッドボルト、支柱） 【対応基板サイズ】 ◉ Φ1inch〜Φ6inch 【標準付属品】 ● 熱電対：素線タイプ アルミナ絶縁スリーブ付き ● 取付用スタッドボルト 【オプション】 ● 標準外ヒーター素線（Nb, Mo, Pt/Re, WRe他） ● 基板保持クリップ ● 取付ブラケット ● 基板ホルダー ● ホルダー設置用タップ穴加工 ● トッププレート材質変更（PBN, 石英, カーボン, Inconel, 他） ● 過昇温用追加熱電対 ● ベースフランジ、真空導入端子

多元マルチスパッタリング装置（Φ12inch基板対応） ・4元同時成膜（RF, DC, 又はPulseDC） ・RF300W, DC1.5KW両電源を4元カソード（Source1, 2, 3, 4）へ自在に配置変更 ・基板加熱ステージ Max800℃（SiCコーティングヒーターでMax1000℃も可能） ・MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング ・メインチャンバー RIEエッチングステージRF300W ・LLチャンバー ＜30W 低出力制御ソフトエッチング ・独自の"Soft-Ething"技術で基板バイアスにより基板のダメージを軽減 ・タッチパネル又はWindows PC操作：操作が分散せず、全ての操作をタッチパネル/PCで行うことができます。 ・装置設置寸法：1,960(W) x 1,100(D) x 1,700(H)mm ・マルチチャンバー式も製作可能です。 ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。

MiniLab薄膜実験装置は、豊富なオプションから必要な成膜方法・材質に応じて都度最適なコンポーネント、制御モジュールを組み込むことにより、セミカスタムメイドで無駄を省いたコンパクトな装置を構築することができます。モジュラー式コンポーネント・制御機器設計による豊富なバリエーション、様々な薄膜プロセス実験への応用が可能になります。 【MiniLab薄膜実験装置 構成モジュール】 ◎ 製作範囲 抵抗加熱蒸着（TE）、有機蒸着（LTE）、電子ビーム蒸着（EB）、スパッタリング（SP）、CVD、ドライエッチング 【スモールフットプリント・省スペース】 ・シングルラックタイプ（026/090）：590(W) x 590(D)mm ・デュアルラックタイプ（070/080）：1200(W) x 590(D)mm ・トリプルラックタイプ（125）：1770(W) x 755(D)mm 【優れた操作性・直観的操作画面】 Windows PC、または７”タッチパネル。熟練度を問わない簡単操作、安全にも最大限配慮しております。チャンバー内部品調整、材料交換以外の全ての操作はPC/HMI画面で行います。

Max1000℃、MFC最大3系統、APC圧力制御、4"〜最大6"基板対応、 高真空アニール装置（<5 × 10-7 mbar） [nanoANNEAL]は、ウエハー等の基板を安定したプロセス雰囲気にて高温熱処理が可能な研究開発用アニール装置です。 高真空水冷式SUSチャンバー内に設置した加熱ステージにより最高1000℃までの高温処理が可能です。チャンバー内にはヒートシールドが設置されインターロックにて安全を確保。マスフローコントローラは最大3系統まで増設が可能、精密に調整されたプロセスガス圧力での焼成作業が可能です（APC自動プロセス制御システムオプション）。 又、フロントビューポート、ドライスクロールポンプ、特殊基板ホルダー、熱電対増設、などオプションも豊富。 チャンバー内加熱ステージは、プロセスガス雰囲気・処理温度により３種類のバリエーションがあります。 ・ハロゲンランプヒーター：Max500℃ ・C/Cコンポジットヒーター：Max1000℃（真空中、不活性ガスのみ） ・SiCコーティングヒーター：Max1000℃（真空、不活性ガス、O2）

真空用 超高温円筒状ヒーターユニット 最高温度1800℃（グラファイト、C/Cコンポジット） ご要望の仕様にて都度製作致します。 さまざまな用途に応用できる高真空中での円筒状加熱ユニットです。 円筒状加熱範囲内に、試料を入れた坩堝の加熱、金属・セラミック・ワイヤー状サンプルの加熱、など目的に応じてカスタムメイド致します。 ◎ 使用可能環境：真空中, 不活性ガス中 etc.. ◎ 発熱体：Graphite, C/Cコンポジットヒーター、SiCコーティング、PGコーティング、タングステン、タンタル、など。 ◎ 製作範囲：ヒーター部（Φ150 x 100mm程度まで）導入フランジ、温度制御ユニット ◎ 用途：各種真空装置プロセスチャンバー内での試料加熱、放電プラズマ生成ユニット熱電子銃（Lab6）用、ガス供給系統配管急速加熱（液体急速気化） その他ご要望に応じ、特注仕様製作致します。詳細は当社までお問い合わせ下さい。

Φ3inch、Φ4inch ウエハーサイズ対応プラズマCVD 装置。不純物を抑制し清浄・高品質なグラフェンを高速合成。 熱CVD、低温～高温プラズマCVD いずれの方法でも利用可能。マスフローガス供給系統、基板加熱ヒーターなどご要望により構成をカスタマイズ致します。 【装置構成例】 ・基板：Cu, Ni, 他..（フィルム, フォイル） ・原料：CH4, C2H4, solids (PMMA), etc.. ・プロセスガス：H2, Ar, N2, etc.. ・基板サイズ：Φ4inch ・150W, 13.56MHz RF電源 ・500℃～Max1100℃基板加熱 ・高精度プロセスガス圧力APC制御 ・マスフローコントローラー最大4ch

小型・省スペース! 有機薄膜開発に最適 蒸着・スパッタ・アニール等全ての作業をグローブボックス内でシームレスに行う事ができます。 有機EL, 有機薄膜太陽電池, 有機薄膜太陽電池, 又, グラフェン・2D材料（遷移金属ダイカルコゲナイドなどの二次元層状無機ナノ材料）などの開発プロセスでは、酸素・水分から隔離された不活性ガス雰囲気で試料を取扱う必要があります。PVD成膜プロセスチャンバーをGB内に収納することにより有機膜用途の「酸素・水分フリー」実験環境をコンパクトな省スペース環境で実現。 【特徴】 ◉ PVD成膜、スピンコート塗布・ホットプレートベーキングなど一連の作業を外気に晒すことなく、GB内でシームレスに行うことができます。 ◉ 省スペース：背面にチャンバーがせり出しませんので、スペースを取りません。 【MiniLab対象】 ◉ MiniLab-026（26ℓ容積）：金属/絶縁物/有機材料蒸着、スパッタリング、アニール ◉ MiniLab-090（90ℓ容積）：金属/絶縁物/有機材料蒸着、スパッタリング、アニール

HTEヒーターは最高使用温度1500℃の真空装置用高温加熱ヒーターです。 蒸発温度の高い材料も蒸発することができますので、低温有機蒸着（～ 800℃）セルから高温抵抗加熱蒸着（～ 1500℃）MBEセルまで、真空高温ヒーター・蒸着セルとして幅広い様々な用途に活用頂けます。 シャッター・アクチュエータ、水冷ジャケットも用意。 800℃以上の高温ヒーター仕様は、内部シールドを備え、断熱・熱遮蔽を考慮した設計。 【主仕様】 ■最高制御温度：800℃、又は1500℃ ■使用環境：真空中・不活性ガス（*O2 は800℃まで） ■ヒーター：タングステンフィラメント ■るつぼ容積：1cc（最大充填量1.5cc） ■るつぼ材質：アルミナ ■ケース材質：SUS304, 又はモリブデン ■熱電対：K、又はC 【オプション】 ⚫︎るつぼ材質：PBN, グラファイト, 石英 ⚫︎ヒーター：NiCr 線, カンタル線（*O2 用） ⚫︎るつぼ容積：10cc（最大充填量15cc） ⚫︎シャッター：空圧式, 又はモーター駆動 ⚫︎水冷ジャケット ⚫︎コントローラー（ヒーター・シャッター制御）

半導体, 電子デバイス等の開発, 真空薄膜プロセス用【高温基板加熱機構】 シリコン基板, サファイア基板, 化合物基板他様々な成膜実験用に活用いただけます。 CVD, PVD, ALD等の真空装置用超高温Max1800℃基板加熱条件に応じたエレメント、材料の選定が可能 ◉ 超高真空・不活性ガス・O2・各種プロセスガス雰囲気に対応 ◉ 基板上下/回転機構及びRF/DCバイアス印加可能 ◉ 雰囲気に応じたエレメントの選択： カンタル, NiCr, タングステン, グラファイト, CCコンポジット,  グラファイト（SiCコーティング, TaCコーティング） ◉ 各種真空フランジ接続：ICF, VF ◉ 熱電対付属 ◉ その他オプション：温度制御ユニット, 特注ウエハーホルダー

テルモセラ・ジャパン【基板加熱ヒーター】CVD, PVD等の薄膜実験用に最適な1inch〜4inch超高温基板加熱ヒーターのカタログの最新版に更新しました。 ◉ 最高使用温度850℃（SH-IN）、1100℃（SH-BN） 基板ホルダ、上下昇降機構・基板回転機構・RFバイアスなどのカスタマイズ品ご要求にも対応致します。 又、ヒーターコントローラは従来の据置型に加え19inchラックマウントも取扱います。

真空用 超高温円筒状ヒーターユニット 最高温度1800℃（グラファイト、C/Cコンポジット） ご要望の仕様にて都度製作致します。 さまざまな用途に応用できる高真空中での円筒状加熱ユニットです。 円筒状加熱範囲内に、試料を入れた坩堝の加熱、金属・セラミック・ワイヤー状サンプルの加熱、など目的に応じてカスタムメイド致します。 ◎ 使用可能環境：真空中, 不活性ガス中 etc.. ◎ 発熱体：Graphite, C/Cコンポジットヒーター、SiCコーティング、PGコーティング、タングステン、タンタル、など。 ◎ 製作範囲：ヒーター部（Φ150 x 100mm程度まで）導入フランジ、温度制御ユニット ◎ 用途：各種真空装置プロセスチャンバー内での試料加熱、放電プラズマ生成ユニット熱電子銃（Lab6）用、ガス供給系統配管急速加熱（液体急速気化） その他ご要望に応じ、特注仕様製作致します。詳細は当社までお問い合わせ下さい。