OLED, OPV, OTFT等の有機薄膜蒸着用途に最適。温度応答性/安定性に優れた低温有機蒸着源、金属膜用高温蒸着源を採用。 簡単タッチパネル操作でPLC全自動制御、操作性・メンテナンス性にも優れたR&D用真空蒸着装置。 難しい操作手順を必要とせずどなたでも直感的に操作ができる分かりやすいHMI。 USBケーブルでPCに接続、ログを保存、自動成膜レシピを作成保存。 ◉コンパクトサイズ：804(W) x 530(D) x 600(H)mm ◉重量：40kg〜70kg（装置構成による） ◉優れた基本性能 ・≤5 x10-7mbar（*10-6mbar台まで最速15分） ・高性能ターボ分子ポンプ搭載 ・Φ2inchもしくはΦ4inch基板 ◉蒸着源 ・抵抗加熱式蒸着源 TE x 最大2基 ・有機蒸着源 LTE x 最大4基（抵抗加熱TEと混在の場合、2基まで） ◉7"タッチパネル ◉連続成膜 ・成膜プログラム自動制御 ・30種類のレシピ登録 ・高精度ワイドレンジ真空ゲージ ◉豊富なオプション ・基板回転 ・上下昇降 ・基板シャッター ・ドライポンプ（RP標準）

Φ2inchカソード x 4搭載 同時成膜：3元同時成膜（RF150W or DC780W）+ HiPIMS（PulseDC 5KW） x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング RIEエッチングステージRF150W（メインチャンバー） + <30Wソフトエッチング（LLチャンバー） 基板加熱：Max500℃, 800℃, 又は1000℃（C/C、又はSiCコート） 基板回転・上下昇降（ステッピングモーター自動制御） APC自動制御：アップストリーム（MFC流量調整）又はダウンストリーム（排気側バルブ自動開度調整） デポレート・膜厚レート制御 寸法：1,120(W) x 800(D) ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。

多元マルチスパッタリング装置（Φ12inch基板対応） ・4元同時成膜（RF, DC, 又はPulseDC） ・RF300W, DC1.5KW両電源を4元カソード（Source1, 2, 3, 4）へ自在に配置変更 ・基板加熱ステージ Max800℃（SiCコーティングヒーターでMax1000℃も可能） ・MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング ・メインチャンバー RIEエッチングステージRF300W ・LLチャンバー ＜30W 低出力制御ソフトエッチング ・独自の"Soft-Ething"技術で基板バイアスにより基板のダメージを軽減 ・タッチパネル又はWindows PC操作：操作が分散せず、全ての操作をタッチパネル/PCで行うことができます。 ・装置設置寸法：1,960(W) x 1,100(D) x 1,700(H)mm ・マルチチャンバー式も製作可能です。 ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。

2台の薄膜実験装置をロードロック機構で連結。異なる成膜装置（スパッタ - 蒸着、など）をロードロックでシームレスに連結。Moorfield社独自のロードロックシステムにより、左右・後方へのプロセス室への連結も可能（写真下）。 1. MiniLab-E080A（蒸着装置） ・EB蒸着:7ccるつぼ x 6 ・抵抗加熱蒸着 x 2 ・有機蒸着限 x 2 2. MiniLab-S070A（スパッタリング装置） ・Φ2"マグネトロンカソード x 4源同時スパッタ ・DC, RF両電源対応 3. Load Lockチャンバー ・プラズマエッチングステージ ロードロック室では「RF/DC基板バイアスステージ」による基板表面のプラズマクリーニング、又、同社独自の『ソフトエッチング』技術による<30W 低出力・ダメージレスプラズマエッチングステージも搭載可能。2D（PMMA等のレジスト除去など）、グラフェン剥離、又、テフロン基板などのダメージを受けやすい繊細なエッチングプロセスも可能。（*メインチャンバーステージへも搭載可能です）

スパッタカソード・蒸着ソース混在型薄膜実験装置 コンパクトフレームに金属蒸着・有機蒸着・スパッタカソードを設置 抵抗加熱蒸着源（金属蒸着）、有機蒸着源（有機材料）、マグネトロンスパッタ（金属・絶縁材）、3種類の成膜コンポーネントをチャンバー内に設置、様々な薄膜実験装置に1チャンバーで対応が可能です。 ◉組み合わせは3種類 1. スパッタカソード + 抵抗加熱蒸着源x2 2. スパッタカソード + 有機蒸着源x2 3. スパッタカソード + 抵抗加熱源x1 + 有機蒸着源x1（*DCスパッタのみ） 【仕様】 ◉ 対応基板：〜Φ4inch ◉ スパッタリング：2"カソード x 最大3源 ◉ 真空蒸着：抵抗加熱蒸着（最大2）、有機蒸着（最大4） ◉ 7"タッチパネル操作 PLC自動プロセスコントロール ◉ APC自動圧力制御 ◉ Arガス1系統（標準） + N2, O2 増設可能 ◉ USB端子付 Windows PCに接続し、レシピ作成・保存。PCでデータロギング ◉ 他、多彩なオプションを用意 ◉ 7"タッチパネル簡単操作 PLC自動プロセスコントロール

Max2000℃ Φ6〜8inchウエハー専用高温アニール装置 小規模生産も可能なマルチ雰囲気ウエハーアニール装置 ◾️ Max2000℃ ◾️ 有効加熱範囲：Φ6〜Φ8inch 枚葉式 ◾️ ヒーター制御：1ゾーン、又は2ゾーン（カスケード制御） ◾️ ヒーター材質： ・C/Cコンポジット ・SiCコーティング グラファイト ・TaCコーティング グラファイト ・タングステン ◾️ 使用雰囲気： ・真空中、又は不活性ガス（Ar, N2） ◾️ 到達真空度：10-3 Pa台（@1800℃ *但し空炉、高真空ポンプ仕様の場合） ◾️ PLCセミオート運転 ・真空/パージサイクル、自動ベントシーケンス制御 ・タッチパネル操作、操作が分散せず一元管理が可能です。 ◾️ プロセス圧力制御 ・APCコントロール（MFC流量、又は自動開度調整バルブ PIDループ制御） ・MFC最大3系統流量自動制御、又はフロートメーター/ニードルバルブの手動調整 ◾️ PLOT画面グラフ表示、CSVデータ出力（オプション）

◉最高使用温度 Max2000℃ ◉PLCセミオートコントロール 卓上型Mini-BENCHのセミオート制御式上位機種 「真空/パージサイクル」「ガス置換」「ベント」の各工程を自動制御 最高使用温度2000℃ セミオート制御 超高温実験炉（カーボン炉、タングステンメタル炉） 小型・省スペース実験炉 ◉有効加熱範囲 ・面状ヒーター加熱範囲：Φ2inch〜Φ6inch ・円筒状ヒーター加熱範囲：Φ30〜Φ80 x 深さMax100(H)mm ◉到達真空度：10-3 Pa台（@1800℃ *但し空炉、高真空ポンプ仕様の場合） ◉MFC最大3系統 自動流量制御（又は手動調整） ◉APC圧力制御（オプション） ◉インターロック： 冷却水異常・チャンバー温度異常・過昇温異常 ◉小型・省スペース 幅603 x 奥行603 x 高さ1,160mm（*ロータリーポンプ筐体内設置） 実験室での小片試料の超高温加熱実験、新素材研究開発などのさまざまな試料加熱実験が、簡単な操作で行えます。 本体は小型でありながらよりさまざまな分野の研究開発にお使いいただけます。

Max2000℃ Φ6〜8inchウエハー専用高温アニール装置 小規模生産も可能なマルチ雰囲気ウエハーアニール装置 ◾️ Max2000℃ ◾️ 有効加熱範囲：Φ6〜Φ8inch 枚葉式 ◾️ ヒーター制御：1ゾーン、又は2ゾーン ◾️ ヒーター材質： ・C/Cコンポジット ・SiCコーティング 高純度グラファイト ・TaCコーティンググラファイトヒーター ・タングステン ◾️ 使用雰囲気： ・真空、又は不活性ガス（Ar, N2） ◾️ 到達真空度：10-3 Pa台（@1800℃ *但し空炉、高真空ポンプ仕様の場合） ◾️ PLCセミオート運転 ・真空/パージサイクル、自動ベントシーケンス制御 ・タッチパネル操作、操作が分散せず一元管理が可能です。 ◾️ プロセス圧力制御 ・APC制御（MFC流量、又は自動開度調整バルブ PIDループ制御） ・MFC最大3系統流量PIDループ制御、又はフロートメーター/ニードルバルブの手動調整 ◾️ PLOT画面グラフ表示、CSVデータ出力（オプション） ◾️ ロータリーポンプ（又はドライスクロール）、ターボ分子ポンプ（オプション）

卓上小型サイズ実験炉・省スペース 最高使用温度2000℃ ◆装置構成◆ 予算・目的に応じてご要望の構成をご提案致します。 (A)最小構成：チャンバー + 温度制御ユニット (B)上記最小構成(A) + 真空排気系（ポンプ、ゲージ、バルブ・真空配管類） ◉ 円筒状ヒーター：るつぼ内サンプル焼成（固形物、粉体、粒形、ペレット形状サンプル用） ◉ 面状ヒーター：Φ2"〜Φ4"ウエハー、小片チップ焼成用 ◆基本仕様◆ ・ヒーター：C/Cコンポジット(カーボン炉）, タングステン(メタル炉) ・断熱材：グラファイトフェルト材, タングステン/モリブデン ・温度制御：プログラム温度調節計、C熱電対 ・到達真空度：10-3 Pa台（@1800℃ *但し空炉、高真空ポンプ仕様の場合） ・電源仕様：AC200V 50/60HZ 三相 6〜10KVA ・冷却水：3L/min, 0.2Mpa 18〜20℃ ◆コントロールボックス仕様◆ ・プログラム温度調節計 ・DC電源装置 ・電流、電圧計 ◆オプション◆ ・真空排気系（真空ポンプ、真空計、バルブ類） ・特注るつぼ ・架台 他

◉最高使用温度 Max2000℃ ◉PLCセミオートコントロール 卓上型Mini-BENCHのセミオート制御式上位機種 「真空/パージサイクル」「ガス置換」「ベント」の各工程を自動制御 最高使用温度2000℃ セミオート制御 超高温実験炉（カーボン炉、タングステンメタル炉） 小型・省スペース実験炉 ◉有効加熱範囲（るつぼ寸法） ・面状ヒーター：Φ2inch〜Φ6inch ・円筒状ヒーター：Φ30〜Φ80 x 深さMax100(H)mm ◉到達真空度：10-3 Pa台（@1800℃ *但し空炉、高真空ポンプ仕様の場合） ◉MFC最大3系統 自動流量制御（又は手動調整） ◉APC自動圧力コントロール ◉インターロック：冷却水断水・チャンバー温度異常・過昇温異常 ◉小型・省スペース 幅603 x 奥行603 x 高さ1,160mm（*ロータリーポンプ筐体内設置） 実験室での小片試料の超高温加熱実験、新素材研究開発などのさまざまな試料加熱実験が、簡単な操作で行えます。 本体は小型でありながらよりさまざまな分野の研究開発にお使いいただけます。

MiniLab薄膜実験装置は、豊富なオプションから必要な成膜方法・材質に応じて都度最適なコンポーネント、制御モジュールを組み込むことにより、セミカスタムメイドで無駄を省いたコンパクトな装置を構築することができます。モジュラー式コンポーネント・制御機器設計による豊富なバリエーション、様々な薄膜プロセス実験への応用が可能になります。 【MiniLab薄膜実験装置 構成モジュール】 ◎ 製作範囲 抵抗加熱蒸着（TE）、有機蒸着（LTE）、電子ビーム蒸着（EB）、スパッタリング（SP）、CVD、ドライエッチング 【スモールフットプリント・省スペース】 ・シングルラックタイプ（026/090）：590(W) x 590(D)mm ・デュアルラックタイプ（070/080）：1200(W) x 590(D)mm ・トリプルラックタイプ（125）：1770(W) x 755(D)mm 【優れた操作性・直観的操作画面】 Windows PC、または７”タッチパネル。熟練度を問わない簡単操作、安全にも最大限配慮しております。チャンバー内部品調整、材料交換以外の全ての操作はPC/HMI画面で行います。

Max1000℃、MFC最大3系統、APC圧力制御、4"〜最大6"基板対応、 高真空アニール装置（<5 × 10-7 mbar） [nanoANNEAL]は、ウエハー等の基板を安定したプロセス雰囲気にて高温熱処理が可能な研究開発用アニール装置です。 高真空水冷式SUSチャンバー内に設置した加熱ステージにより最高1000℃までの高温処理が可能です。チャンバー内にはヒートシールドが設置されインターロックにて安全を確保。マスフローコントローラは最大3系統まで増設が可能、精密に調整されたプロセスガス圧力での焼成作業が可能です（APC自動プロセス制御システムオプション）。 又、フロントビューポート、ドライスクロールポンプ、特殊基板ホルダー、熱電対増設、などオプションも豊富。 チャンバー内加熱ステージは、プロセスガス雰囲気・処理温度により３種類のバリエーションがあります。 ・ハロゲンランプヒーター：Max500℃ ・C/Cコンポジットヒーター：Max1000℃（真空中、不活性ガスのみ） ・SiCコーティングヒーター：Max1000℃（真空、不活性ガス、O2）