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蒸着・スパッタ・EB等ご要望によりフレキシブルに構成可能。 高さ570mmトールチャンバー採用 蒸着時の均一性向上に寄与

【主仕様】 ・SUS304 80ℓ容積 400x400x570mm フロントローディングチャンバー ・ポンプ：ターボ分子ポンプ, ロータリーポンプ（ドライポンプも可） ・真空排気：真空/ベント自動制御 ・抵抗加熱蒸着：最大4元（Model. TE1～TE4蒸着源） ・有機蒸着：最大4元（Model. LTEC-1cc/5cc) ・EB電子ビーム蒸着：7ccるつぼｘ６（又は4ccるつぼｘ8） ・Φ2〜4inchマグネトロンスパッタリングカソード x 最大４元 ・プロセス制御：手動、又は自動多層連続成膜・多元同時成膜、APC自動制御 ・膜厚モニタ：水晶振動子センサヘッドｘ4 ・膜厚制御：Inficon社 SQC-310（又はSQM-160薄膜モニター） 多チャンネル成膜コントローラ  ・ユーティリティ：電源200V ３相 20A, 水冷1ℓ/min, N2ベント0.1Mkpa  ・その他オプション：基板加熱, 冷却, 基板昇降・回転, ドライエッチング, ドライスクロールポンプ , ロードロック機構

蒸着・スパッタ・EB・アニールなどの薄膜モジュールをご要望の構成で組み立てることができるセミカスタムメイド薄膜実験装置

【主仕様】 ・SUS304 70ℓ容積 438x425x425mm フロントローディングチャンバー ・最大基板サイズ：Φ11inch ・ポンプ：ターボ分子ポンプ, ロータリーポンプ（又はドライスクロールポンプ） ・真空排気：真空/ベント自動制御 ・抵抗加熱蒸着：最大4元（Model. TE1～TE4蒸着元） ・有機蒸着：最大4元（Model. LTEC-1cc/5cc) ・電子ビーム蒸着：7ccるつぼｘ６（又は4ccるつぼｘ8） ・Φ2〜4inchマグネトロンスパッタリングカソード x 最大４元 ・プロセス制御：手動/自動連続多層膜・同時成膜、APC自動制御、デポレート・膜厚レート自動制御 ・膜厚モニタ：水晶振動子センサヘッドｘ4 ・膜厚制御：Inficon社 SQC-310（又はSQM-160薄膜モニター） 2ch/4ch薄膜コントローラ  ・ユーティリティ：電源200V ３相 20A, 水冷1ℓ/min, N2ベント0.1Mkpa  ・その他オプション：基板加熱, 冷却, 基板昇降・回転, プラズマエッチング, ドライポンプ , ロードロック機構

グローブボックス収納可能 PVDフレキシブル薄膜実験装置 高さ570mmトールチャンバー採用 蒸着時の均一性向上に寄与

【主仕様】 ・最大基板サイズ：Φ11inch ・SUS304 80ℓ容積 400x400x570mm フロントローディングチャンバー ・ポンプ：ターボ分子ポンプ, ロータリーポンプ（ドライポンプも可） ・真空排気：真空/ベント自動制御 ・抵抗加熱蒸着：最大4元（Model. TE1～TE4蒸着源） ・有機蒸着：最大4元（Model. LTEC-1cc/5cc) ・EB電子ビーム蒸着：7ccるつぼｘ６（又は4ccるつぼｘ8） ・Φ2〜4inchマグネトロンスパッタリングカソード x 最大４ ・プロセス制御：手動/自動連続多層膜・同時成膜、APC自動制御、デポレート・膜厚レート制御 ・膜厚モニタ：水晶振動子センサヘッドｘ4 ・膜厚制御：Inficon社 SQC-310（又はSQM-160薄膜モニター） 2ch/4ch薄膜コントローラ  ・ユーティリティ：電源200V ３相 20A, 水冷1ℓ/min, N2ベント0.1Mkpa  ・その他オプション：基板回転/昇降, プラズマエッチング, ドライポンプ

コンパクト、70ℓ容積チャンバーにスパッタ・蒸着・EB・アニールなどの薄膜モジュールを組込み、様々な用途に対応するマルチ薄膜装置

【主仕様】 ・SUS304 70ℓ容積 438x425x425mm フロントローディングチャンバー ・最大基板サイズ：Φ11inch ・ポンプ：ターボ分子ポンプ, ロータリーポンプ（ドライポンプ可） ・真空排気：真空/ベント自動制御 ・抵抗加熱蒸着：最大4元（Model. TE1～TE4蒸着元） ・有機蒸着：最大4元（Model. LTEC-1cc/5cc) ・電子ビーム蒸着源：7ccるつぼｘ６（又は4ccるつぼｘ8） ・Φ2〜4inchマグネトロンスパッタリングカソード x 最大４元 ・プロセス制御：手動、又は自動連続多層膜・同時成膜、APC自動制御、デポレート・膜厚レート制御 ・膜厚モニタ：水晶振動子センサヘッド ・膜厚制御：Inficon社 SQC-310 2ch/4ch薄膜コントローラ  ・その他オプション：基板回転/昇降, 基板加熱（Max500℃、又は800℃）, プラズマエッチングステージ, ドライポンプ , ロードロック機構

高機能マルチスパッタリング装置 6元マルチスパッタ（Φ4inch用） 4元マルチスパッタ（Φ6, 8inch用）

【主仕様】 ・基板サイズ：Max12inch対応 ・チャンバー：SUS304 UHV対応、500 x 500 x 600mm ・到達真空度：5 x 10-5pascal ・スパッタカソード：Φ2"（最大6）、Φ3"（最大4） ・プラズマ電源：RF300W, DC1.5KW, HiPIMS 5KW ・MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング ・ターボ分子ポンプ + ドライスクロールポンプ ・メインチャンバー RIEエッチングステージRF300W ・LLチャンバー ＜30W 低出力制御*ソフトエッチング *独自の"Soft-Etching"技術で基板バイアスにより基板のダメージを軽減 ・タッチパネル又はWindows PC制御：操作が分散せず、全ての操作をタッチパネル/PCで行うことができます。 ・装置設置寸法：1,767(W) x 754(D) x 1,645(H)mm ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着などの混在仕様も構成可能です。 ●マルチチャンバー式も製作可能です。

モジュラー組込式の為必要な成膜方法に応じ都度フレキシブルに専用機の組立が可能。様々な研究用途に対応可能な小型薄膜実験装置。

【MiniLabフレキシブル薄膜実験装置 構成モジュール】 ◉ 製作範囲 抵抗加熱蒸着（TE）、有機膜蒸着（LTE）、電子ビーム蒸着（EB）、RF/DCスパッタリング（SP）、プラズマエッチング（RIE） ◉ チャンバー ・026（26Litter）-TE/LTE/SP/CVD/Etch/*Globe Box option：MaxΦ6inch ・070（70Litter）-TE/LTE/EB/SP/Etch/：MaxΦ11inch ・080（80Litter）-TE/LTE/EB/SP/Etch/：MaxΦ11inch ・090（90Litter）*Globe Box option -TE/LTE/EB/SP/Etch/：MaxΦ11inch ・125（125Litter）-TE/LTE/EB/SP/Etch/CVD：MaxΦ12inch ※ その他仕様は当社ホームページ参照下さい。

2台の薄膜実験装置をロードロック機構で連結。異なる成膜装置（スパッタ、蒸着、など）をロードロックでシームレスに連結

【装置構成事例】 *Chamber-1. MiniLab-E080A（蒸着装置） ・EB蒸着:7ccるつぼ x 6 ・抵抗加熱蒸着元 x 2 ・有機蒸着元 x 2 *Chamber-2. MiniLab-S070A（スパッタリング装置） ・Φ2"マグネトロンカソード x 4元同時スパッタ DC, RF両対応 *Chamber-3. Load Lockチャンバー ・プラズマエッチングステージ ロードロック室で「RF/DC基板バイアスステージ」による基板表面のプラズマクリーニング、又、同社独自の『ソフトエッチング』技術による<30W 低出力・ダメージレスプラズマエッチングステージも搭載可能。2D（PMMA等のレジスト除去など）、グラフェン剥離、又、テフロン基板などのダメージを受けやすい繊細なエッチングプロセスも可能。（*メインチャンバーステージへも搭載可能です）

小型・省スペース! 有機薄膜開発に好適 蒸着・スパッタ・アニール等全ての作業をグローブボックス内でシームレスに行う事ができます。

【GB対応 MiniLab-026/090主仕様】 ◉ 基板サイズ：最大Φ6"(026）、最大Φ11"（090） ◉ チャンバ：SUS304製 UHV対応（*090はスライドドア式, 背面メンテナンスドア） ◉ 19inch制御ラックは作業ベンチ下に収納 ◉ MLチャンバー内成膜モジュール： ・抵抗加熱蒸着源（最大4元） ・有機蒸着源（最大4元） ・Φ2"マグネトロンカソード（最大3元） ・プラズマエッチング ・基板加熱ステージなどを搭載 ◉ 高精度膜厚制御 ◉ ターボ分子ポンプ+ロータリーポンプ（ドライスクロールポンプオプション） ◉ その他豊富なオプション ＊その他の詳細仕様は当社へお問い合わせ下さい。

高機能マルチスパッタリング装置 6元マルチスパッタ、4元マルチスパッタ（Φ2〜4inchカソード）

【主仕様】 ・基板サイズ：Max12inch対応 ・チャンバー：SUS304 UHV対応、500 x 500 x 600mm ・到達真空度：5 x 10-5pascal ・スパッタカソード：Φ2"、Φ3"、Φ4" ・プラズマ電源：RF300W, DC1.5KW, HiPIMS 5KW ・MFC x 3系統（Ar, O2, N2）*1系統増設可能 ・ターボ分子ポンプ + ドライスクロールポンプ ・メインチャンバー RIEエッチングステージRF300W ・LLチャンバー ＜30W 低出力制御*ソフトエッチング *独自の"Soft-Etching"技術で基板バイアスにより基板のダメージを軽減 ・タッチパネル又はWindows PC制御：操作が分散せず、全ての操作をタッチパネル/PCで行うことができます。 ・装置設置寸法：1,767(W) x 754(D) x 1,645(H)mm ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着などの混在仕様も構成可能です。 ●マルチチャンバー式も製作可能です。

限られたラボスペースを有効活用できる小型ベンチトップサイズ装置に、最新の真空蒸着技術の全てを収納しました。

◉寸法：804(W) x 530(D) x 600(H)mm ◉重量：40kg〜70kg（装置構成による） ◉優れた基本性能 ・到達真空度 5x10-5Pascal ・高性能ターボ分子ポンプ搭載 ・〜Φ4inch基板 ◉蒸着源 ・金属蒸着源 TE x 最大2基 ・有機蒸着源 LTE x 最大4基（抵抗加熱TEと混在の場合、2基まで） ◉7"タッチパネル ◉連続成膜 ・成膜プログラム自動制御 ・30種類のレシピ登録 ・高精度ワイドレンジ真空ゲージ ◉豊富なオプション ・基板回転 ・上下昇降 300mmストローク ・基板シャッター ・ドライポンプ（RP標準） ・PC用ソフトウエア'IntelliLink'付属：システムライブモニター、ログ、レシピアップ・ダウンロード

＜30W ローパワー・エッチング制御精度10mW ダメージレス・繊細なエッチング処理を実現

【特徴・主なアプリケーション】 • 2D（遷移金属カルゴゲナイド, 材料転写後のグラフェン剥離）：表面改質クリーニング • PMMA, PPA等のポリマーレジスト除去 • テフロン基板などのダメージを受けやすい基板での表面改質、エッチング • h-BNサイドウオールエッチング（*『フッ化ガス供給モジュール』オプション, SF6ガス系統要） • SiO2エッチング（*『フッ化ガス供給モジュール』オプション, CHF3ガス系統要） 【仕様】 ◉ 対応基板：〜Φ6inch ◉ 7"タッチパネル簡単操作 PLC自動シーケンス ◉ APC自動圧力制御 ◉ ガス最大3系統（Ar, O2標準付属） *N2、又はフッ化ガス系増設 ◉ PCソフトウエア付属：自動エッチングレシピ作成・保存・保存、データロギング 【寸法・ユーティリティ】 寸法：750（W） x 500（D） x 400（H）mm 電源：200V 単相 15A プロセスガス：0.17Mpa 99.99%推奨 ベントガス：34-41kpa 冷却水：1L/min, 400kpa, 18-20℃ 圧縮空気：413-550Kpa

Max1000℃、MFC最大3系統、APC圧力制御、4"、又は6"基板対応、 高真空アニール装置（<5 × 10-7 mbar）

◉ 基板サイズ：Φ4inch、又は6inch ◉ SUS304水冷式チャンバー ◉ 到達圧力 5x10-5Pascal ◉ 最大3系統プロセスガス入力 ◉ 最大3系統マスフローコントローラ（オプション） ◉ 7"HMIタッチパネル ◉ 高精度ワイドレンジ真空ゲージ 10-9〜1000mbar ◉ USB端子付、PCデータロギング機能 ◉ ターボ分子ポンプ：EXT75DX（Edwards社） ◉ ロータリーポンプ：RV3/RV8（Edwards社）（*ドライポンプへの変更可能） ◉ Kタイプ熱電対（ヒーター制御用）付属

標準モデル登場！低コスト・短納期で提供可能になりました｡ 高真空、多層連続膜・同時成膜、RF/DC多目的スパッタ装置。

◉ 酸化膜・絶縁膜・導電性膜・化合物、反応性膜も可能な高機能多目的スパッタリング装置 ◉ 装置運転・レシピ管理などの全てを7"タッチパネルで一元管理。 ◉ オペレータが登録したフィルムレシピ、プロセス制御（真空引/ベント、成膜レート、カソード切替、シャッター開閉、加熱・昇降回転調整など）を全自動運転（手動も可能） Windows PC用付属ソフト（IntelliLink）で装置のライブモニター、データロギング、レシピダウン&アップロードができます。 【主な仕様】 ・RF/DCマグネトロン方式 ・2inchマグネトロンカソードx2 ・RF電源：150W 自動マッチング ・DC電源：780W ・対応基板サイズ：〜4inch ・上下昇降 ・プロセスガス制御：MFC x 3（Ar, N2, O2） ・水晶振動子膜厚センサ ・基板シャッター ・寸法：804(W) x 570(D) x 600(H)mm ・重量：約70kg ・電源：200VAC 50.60Hz 20A ・チャンバーサイズ：Φ225（内径）x 250mm ・真空系：TMP + RP（*ドライポンプ オプション）

真空蒸着（金属・有機蒸着源）、スパッタリングカソードの混在設置が可能な「複合型」薄膜実験装置 nanoPVD-ST15A

◆成膜源◆ ・Φ2inchマグネトロンスパッタカソード x 1 ・抵抗加熱蒸着源（最大2） ・有機蒸着源（最大2） ◆基板サイズ◆ ・〜Φ4inch/Φ100mm基板ホルダー（特注ホルダー 応相談） ◆膜厚センサー◆】 ・水晶振動子膜厚センサー x 1 ◆真空排気◆ ・ターボ分子ポンプ、ロータリーポンプ ◆付属ソフトウエア◆ ・IntelliLink Windows PCリモート監視ソフトウエア ◆オプション◆ ・基板加熱ヒーター Max500℃ ・ドライスクロールポンプ ◆ユーティリティ◆ ・電源：AC200V 単相 50/60HZ 15A ・プロセスガス：0.2Mpa ・ベントガス：0.04Mpa ・圧縮空気：0.6Mpa ・冷却水：2L/min 0.2Mpa ◆主なアプリケーション◆ ・新素材開発 ・燃料電池 ・その他

最高使用温度2000℃ セミオート制御 超高温実験炉（カーボン炉、タングステンメタル炉） 小型・省スペース実験炉

◆基本仕様◆ ・最高使用温度 Max2000℃ ・ヒーター：C/Cコンポジット, PGコートC/Cコンポジット(カーボン炉）, タングステン(メタル炉) ・断熱材：グラファイトフェルト材(カーボン炉）, タングステン/モリブデン,TaCコートグラファイト(メタル炉)、又はW/Mo多層シールド ・面状ヒーター加熱範囲：Φ2inch〜Φ6inch ・円筒状ヒーター加熱範囲：Φ30〜Φ80 x 深さMax100(H)mm ・7inchタッチパネル操作 ・デジタル真空計 ・MFC最大3系統自動調整（又はフロートメーター手動流量調整） ・温度制御：デジタルプログラム調節計、C熱電対 ・到達真空度：1x10-2Pascal（*但し空炉の場合） ・一次側電源仕様：AC200V 50/60HZ 三相 50A NFB ・冷却水：8L/min, 0.4Mpa 25〜30℃ ◆オプション◆ ・真空排気系：ロータリーポンプ, 高真空ポンプ, バルブ類

卓上小型サイズ実験炉・省スペース 最高使用温度2000℃！ 還元雰囲気用メタル炉も製作致します。

◆装置構成◆ ご予算・目的に応じてご要望の構成をご提案致します。 (A)最小構成：チャンバー + 温度制御ユニット (B)上記最小構成(A) + 真空排気系（ポンプ、ゲージ、バルブ・真空配管類） ◆基本仕様◆ ・ヒーター：C/Cコンポジット, PGコートC/Cコンポジット(カーボン炉）, タングステン, TaCコートグラファイト(メタル炉) ・断熱材：グラファイトフェルト材(カーボン炉）, タングステン/モリブデン(メタル炉), 又はタングステン/モリブデン多層シールド(メタル炉) ・温度制御：デジタルプログラム調節計、C熱電対 ・到達真空度：1x10-2Pascal（*但し空炉の場合） ・電源仕様：AC200V 50/60HZ 三相 6〜10KVA（*仕様による） ・冷却水：3L/min, 0.4Mpa 25〜30℃ ◆コントロールボックス仕様◆ ・プログラム温度調節計 ・DC電源装置、又は外付トランスボックス ・電流、電圧計 ・ヒーター回路トリップSW ・主電源SW ◆オプション◆ ・真空排気系（真空ポンプ、真空計、バルブ類） ・特注るつぼ ・架台 他

Φ6〜8inch超高温ウエハーアニール装置 研究開発から小規模生産まで多目的に幅広く対応するハイパフォーマンス機

安全性・操作性を重視した、『ウエハー焼成』専用超高温ウエハーアニール炉。 ◆主仕様◆ ・断熱材：グラファイトフェルト、タングステン、モリブデン、アルミナ、ジルコニアなど（*炉内設計により異なります） ・チャンバー開閉：トップローディング、リニアドライブ駆動（又はダンパー付手動開閉） ・到達真空度：10-6mbar台（空炉の場合） ・真空ポンプ：ドライスクロールポンプ ・真空計：ワイドレンジ真空計 大気圧〜10-9 mbar ・熱電対：Cタイプ熱電対（設計温度条件によってはKタイプを採用） ・インターロック：チャンバー過昇温、ヒーター過昇温、冷却水断水、チャンバー開閉、真空度 ・用力：200V, 50A（*仕様により異なります）3相 ・冷却水:8L/min,0.4Mpa ・寸法（筐体部）：1240(W) x 535(D) x 1100(H)mm ◆オプション◆ ・るつぼ内温度測定用熱電対追加 ・高真空ポンプ（ターボ分子ポンプ） ・フロントビューポート ・フルオートコントロール ・基板回転ステージ ・通信機能（温調計機能使用）、又はSECS/GEM通信

Φ3inch、Φ4inch ウエハーサイズ対応プラズマCVD 装置。不純物を抑制し清浄・高品質なグラフェンを高速合成。

【装置構成例】 ・基板：Cu, Ni, 他..（フィルム, フォイル） ・原料：CH4, C2H4, solids (PMMA), etc.. ・プロセスガス：H2, Ar, N2, etc.. ・基板サイズ：Φ4inch ・150W, 13.56MHz RF電源 ・500℃～Max1100℃基板加熱 ・高精度プロセスガス圧力APC制御 ・マスフローコントローラー最大4ch