スパッタリング装置 多機能スパッタ装置MiniLab-S070A
コンパクト、70ℓ容積チャンバーにスパッタ・蒸着・EB・アニールなどの薄膜モジュールを組込み、様々な用途に対応するマルチ薄膜装置
Φ2inchカソード x 4基搭載 同時成膜：3元同時成膜（RF500W or DC780W）+ HiPIMS（PulseDC 5KW） x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング プラズマエッチングステージRF150W（メインチャンバー） + <30Wソフトエッチング（LLチャンバー） 基板加熱：Max500℃, 800℃, 又は1000℃（C/C、又はSiCコート） 基板回転・上下昇降（ステッピングモーター自動制御） APC自動制御：アップストリーム（MFC流量調整）又はダウンストリーム（排気側バルブ自動開度調整） デポレート・膜厚レート制御 寸法：1,120(W) x 800(D) ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着などの混在仕様も構成可能です。
基本情報
【主仕様】 ・SUS304 70ℓ容積 438x425x425mm フロントローディングチャンバー ・最大基板サイズ：Φ11inch ・ポンプ：ターボ分子ポンプ, ロータリーポンプ（ドライポンプ可） ・真空排気：真空/ベント自動制御 ・抵抗加熱蒸着：最大4元（Model. TE1～TE4蒸着元） ・有機蒸着：最大4元（Model. LTEC-1cc/5cc) ・電子ビーム蒸着源：7ccるつぼｘ６（又は4ccるつぼｘ8） ・Φ2〜4inchマグネトロンスパッタリングカソード x 最大４元 ・プロセス制御：手動、又は自動連続多層膜・同時成膜、APC自動制御、デポレート・膜厚レート制御 ・膜厚モニタ：水晶振動子センサヘッド ・膜厚制御：Inficon社 SQC-310 2ch/4ch薄膜コントローラ ・その他オプション：基板回転/昇降, 基板加熱（Max500℃、又は800℃）, プラズマエッチングステージ, ドライポンプ , ロードロック機構
価格帯
納期
型番・ブランド名
MiniLab-S070A
用途／実績例
電子デバイス・太陽電池・ディスプレイ等の製造工場、大学・研究機関、薬品・化学工場、食品工場、他多数
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この製品に関するニュース（10）
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☆★☆★【nanoCVD-8G】グラフェン合成装置 ☆★☆★
◉ コールドウオール式による高効率・高精度プロセスコントロール ◉ 急速昇温：1100℃/約3分間 ◉ 高精度温度制御：±1℃ ◉ 高精度APC自動圧力制御システム：ガス3系統（Ar, H2, CH4） ◉ グラフェン作成用標準レシピ付属 ◉ コンパクトサイズ：405(W) x 415(D) x 280(H)mm ◆特徴◆ ・簡単操作! 5inchタッチパネルによる操作・レシピ管理 ・最大30レシピ，30stepのプログラム作成可能 ・PCソフトウエア付属 USBケーブル接続，PC側でのオフラインレシピ作成→装置へアップ/ダウンロード, CSVデータ出力 ・最大試料サイズ：40 x 40mm：銅（ニッケル）箔, SiO2/Si, Al2O3/Si基板，他 ◆Model. nanoCVD-8G◆ ・グラフェン用標準プログラム付属 ・高真空プロセス, 高精度プロセス圧力制御 ・ロータリーポンプ標準付属 ・ガス供給3系統（Ar, H2, CH4） ・試料加熱ステージ（高純度グラファイト）Max1100℃ ・Kタイプ熱電対
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真空蒸着装置□■□【MiniLab-LT080A】□■□抵抗加熱・有機蒸着・電子ビーム蒸着など様々な用途の蒸着が可能
80ℓ容積 400(W)x400(D)x570(H)mm D型ボックスチャンバーで構成されるML-080は、070と同等の構成で更にチャンバーを高くすることによりTS距離調整範囲が長く、大口径基板での蒸着時の膜均一性が向上、真空蒸着に最適なモデルです。ロードロック機構も追加できるML-070の上位機種。070同様に、コンパクトながら抵抗加熱蒸着（金属/絶縁物/有機材料）、EB蒸着、RF/DC/PulseDC兼用マグネトロン式スパッタ、RIEプラズマエッチング、アニールなどの幅広い目的にも対応。 ・最大基板サイズ：Φ11inch ・抵抗加熱蒸着源 x 最大4元 ・有機蒸着源 x 最大4元 ・マグネトロンスパッタリングカソード x 4元 ・電子ビーム蒸着 ・基板加熱ステージ（標準500℃、Max1000℃） ・*プラズマエッチング/<30Wソフトエッチング *プラズマエッチングはメインチャンバー、ロードロックチャンバーいずれも設置可能
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多機能マグネトロンスパッタリング装置 【MiniLab-S070】
Φ2inchカソード x 4元搭載 同時成膜：3元同時成膜（RF150W or DC780W）+ HiPIMS（PulseDC 5KW） x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング RIEエッチングステージRF150W（メインチャンバー） + <30Wソフトエッチング（LLチャンバー） 基板加熱：Max500℃, 800℃, 又は1000℃（C/C、又はSiCコート） 基板回転・上下昇降（ステッピングモーター自動制御） APC自動制御：アップストリーム（MFC流量調整）又はダウンストリーム（排気側バルブ自動開度調整） デポレート・膜厚レート制御 寸法：1,120(W) x 800(D) ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着などとの混在仕様も構成可能です。
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【MiniLab】 蒸着/スパッタ・デュアルチャンバーシステム
2台の薄膜実験装置をロードロック機構で連結。異なる成膜装置（スパッタ - 蒸着、など）をロードロックでシームレスに連結。Moorfield社独自のロードロックシステムにより、左右・後方へのプロセス室への連結も可能（写真下）。 1. MiniLab-E080A（蒸着装置） ・EB蒸着:7ccるつぼ x 6 ・抵抗加熱蒸着 x 2 ・有機蒸着 x 2 2. MiniLab-S070A（スパッタリング装置） ・Φ2"マグネトロンカソード x 4元同時スパッタ ・DC, RF両電源対応 3. Load Lockチャンバー ・プラズマエッチングステージ ロードロック室では「RF/DC基板バイアスステージ」による基板表面のプラズマクリーニング、又、同社独自の『ソフトエッチング』技術による<30W 低出力・ダメージレスプラズマエッチングステージも搭載可能。2D（PMMA等のレジスト除去など）、グラフェン剥離、又、テフロン基板などのダメージを受けやすい繊細なエッチングプロセスも可能。（*メインチャンバーステージへも搭載可能です）
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BHシリーズ【UHV対応 超高温 真空薄膜実験用基板加熱ヒーター】Max1800℃
高真空対応 多彩なヒーター材質オプション。 PVD（スパッタ、蒸着、EB等）、高温真空アニール、高温解析用基板ステージ、などに応用いただけます。 様々なご要望仕様にカスタムメイド対応致します。 【特徴】 ● 予備ヒーター素線との交換が容易 ●設置、メンテナンスが容易（M6スタッドボルト、支柱） 【対応基板サイズ】 ◉ Φ1inch〜Φ6inch 【標準付属品】 ● 熱電対：素線タイプ アルミナ絶縁スリーブ付き ● 取付用スタッドボルト 【オプション】 ● 標準外ヒーター素線（Nb, Mo, Pt/Re, WRe他） ● 基板保持クリップ ● 取付ブラケット ● 基板ホルダー ● ホルダー設置用タップ穴加工 ● トッププレート材質変更（PBN, 石英, カーボン, Inconel, 他） ● 過昇温用追加熱電対 ● ベースフランジ、真空導入端子
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【Endless possibility_thermal engineering...】 当社は半導体・電子機器基礎研究用真空薄膜装置、CVD基板加熱用超高温ヒーター、実験炉、温度計測機器などを販売しております。 いつの時代でも欠かす事のできない「熱」に対する尽きぬ需要、基礎技術開発分野での様々なご要求にお応えすべく、最新の機器を紹介し、日本の研究開発に貢献してまいりたいと考えます。