真空炉『Mini-BENCH-prism 超高温実験炉』
最高使用温度2000℃ セミオート制御 真空・大気圧ガス置換 超高温実験炉（カーボン炉、タングステンメタル炉）実験炉
◉最高使用温度 Max2000℃ ◉カスタマイズ自在なヒーター構造： - 円筒状ヒーター：るつぼ内サンプル焼成（固形物、粉体、粒形、ペレット形状サンプル用） - 面状ヒーター：Φ1"〜Φ6"ウエハー、小片チップ焼成用 ◉PLCセミオートコントロール タッチパネル画面で温度調節計以外の全ての操作を行います。 煩わしいバルブ開閉・ポンプ起動操作が不要、焼成作業前の「真空/パージ」サイクルと焼成作業後の「ベント」を1ボタンで自動シーケンスで行います。 ◉MFC最大3系統 自動流量制御（又は手動調整） ◉APC自動圧力コントロール ◉作業中の安全を確保 冷却水異常・チャンバー温度異常・過圧異常を監視SUS製 堅牢な水冷チャンバー、最高温度で連続使用中でも安全にご使用いただけます。 ◉小型・省スペース 幅603 x 奥行603 x 高さ1,160mm（*ロータリーポンプ筐体内設置） 実験室での小片試料の超高温加熱実験、新素材研究開発などのさまざまな試料加熱実験が、簡単な操作で行えます。 本体は小型でありながらよりさまざまな分野の研究開発にお使いいただけます。
基本情報
◆基本仕様◆ ・最高使用温度 Max2000℃ ・使用雰囲気：真空、大気圧ガス置換（Ar, N2, O2）、APCプロセス圧力制御 ・ヒーター：C/Cコンポジット, PGコートC/Cコンポジット(カーボン炉）, タングステン(メタル炉) ・断熱材：グラファイトフェルト材(カーボン炉）, タングステン/モリブデン,TaCコートグラファイト(メタル炉)、又はW/Mo多層シールド ・面状ヒーター加熱範囲：Φ2inch〜Φ6inch ・円筒状ヒーター加熱範囲：Φ30〜Φ80 x 深さMax100(H)mm ・7inchタッチパネル操作 ・デジタル真空計 ・MFC最大3系統自動調整（又はフロートメーター手動流量調整） ・温度制御：デジタルプログラム調節計、C熱電対 ・到達真空度：10-3Pa台（@1800℃ *但し空炉、高真空ポンプ仕様の場合） ・一次側電源仕様：AC200V 50/60HZ 三相 50A NFB ・冷却水：8L/min, 0.2Mpa 25〜30℃ ◆オプション◆ ・真空排気系：ロータリーポンプ, 高真空ポンプ, バルブ類
価格情報
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納期
型番・ブランド名
Mini-BENCH-prism
用途／実績例
◆主な応用アプリケーション◆ ・新素材開発 ・材料分析 ・その他各種先端材料開発に応用
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この製品に関するニュース（5）
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☆★☆スパッタ・蒸着ソース複合型成膜装置【nanoPVD-ST15A】☆★☆
抵抗加熱蒸着源（金属蒸着）・有機蒸着源（有機材料）・マグネトロンスパッタ（金属・絶縁材）などのソース混在システム。 2種類の成膜コンポーネントをチャンバー内に最大3源まで設置、様々な薄膜実験装置に1チャンバーで対応が可能です。 【仕様】 ◉ 対応基板：〜Φ4inch ◉ スパッタリング：2"カソード x 最大2源 ◉ 真空蒸着：抵抗加熱蒸着（最大2）、有機蒸着（最大2） ◉ 7"タッチパネル操作 PLC自動プロセスコントロール ◉ APC自動圧力制御 ◉ Arガス1系統（標準） + N2, O2 増設可能 ◉ USB端子付 Windows PCに接続し、レシピ作成・保存。PCでデータロギング ◉ 他、多彩なオプションを用意 ◉ 7"タッチパネル簡単操作 PLC自動プロセスコントロール
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VOXIA compact X線CT撮影装置
コンパクト設計、設置場所を選ばない省スペース設計。 コンパクトボディながら高度計算ソフトにより高解像度のデータを生成します。 ＊ X線管電圧：20〜90kV, 又は40〜最大130kV ＊ 焦点径：7μm（5μm@4W） ＊ 検出器画素：89μm、約320万画素！ ＊ サンプルサイズ：Φ120mm ◉ Vcap（制御ソフト）： 撮影対象物、目的に合わせたカスタムメイドの撮影ステージ。撮影から画像出力までの一連の作業をクリック操作だけで行えます。最速20秒で高速連続撮影、撮影開始から画像再構成まで約30秒で処理 ◉ VCT（再構成ソフト）： ご指定の撮影対象物に特化した自動計測・解析ソフトをカスタマイズ可能 撮影画像992 x 992ピクセル、プロジェクション数600の撮影データをわずか3.8秒で高速再構成！ ◉ MolcerPlus（3D表示解析）： 従来他のソフトウエアで困難であった測定条件を可能にするカスタムソフトウエア 画像化した物体を、表示・加工・計測するためのソフトウエア ●高い安全性、 ●多種・多様なサンプルにも対応 ●直感的HMI、簡単操作
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4元マルチスパッタ装置 【MiniLab-S070】自動連続多層膜・同時成膜 RF/DC/PulseDC
Φ2inchカソード x 4搭載 同時成膜：3元同時成膜（RF150W or DC780W）+ HiPIMS（PulseDC 5KW） x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング RIEエッチングステージRF150W（メインチャンバー） + <30Wソフトエッチング（LLチャンバー） 基板加熱：Max500℃, 800℃, 又は1000℃（C/C、又はSiCコート） 基板回転・上下昇降（ステッピングモーター自動制御） APC自動制御：アップストリーム（MFC流量調整）又はダウンストリーム（排気側バルブ自動開度調整） デポレート・膜厚レート制御 寸法：1,120(W) x 800(D) ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。
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多元マルチスパッタリング装置【MiniLab-125】Φ12inch対応 SiCコーティング 1000℃ヒーターステージ 搭載！コンパクトサイズ！
多元マルチスパッタリング装置（Φ12inch基板対応） ・4元同時成膜（RF, DC, 又はPulseDC） ・RF300W, DC1.5KW両電源を4元カソード（Source1, 2, 3, 4）へ自在に配置変更 ・基板加熱ステージ Max800℃（SiCコーティングヒーターでMax1000℃も可能） ・MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング ・メインチャンバー RIEエッチングステージRF300W ・LLチャンバー ＜30W 低出力制御ソフトエッチング ・独自の"Soft-Ething"技術で基板バイアスにより基板のダメージを軽減 ・タッチパネル又はWindows PC操作：操作が分散せず、全ての操作をタッチパネル/PCで行うことができます。 ・装置設置寸法：1,960(W) x 1,100(D) x 1,700(H)mm ・マルチチャンバー式も製作可能です。 ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。
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☆★☆★【nanoCVD-WGP】ウエハースケール・グラフェン合成装置 ☆★☆★
Φ3inch、Φ4inch ウエハーサイズ対応プラズマCVD 装置。不純物を抑制し清浄・高品質なグラフェンを高速合成。 熱CVD、低温～高温プラズマCVD いずれの方法でも利用可能。マスフローガス供給系統、基板加熱ヒーターなどご要望により構成をカスタマイズ致します。 【装置構成例】 ・基板：Cu, Ni, 他..（フィルム, フォイル） ・原料：CH4, C2H4, solids (PMMA), etc.. ・プロセスガス：H2, Ar, N2, etc.. ・基板サイズ：Φ4inch ・150W, 13.56MHz RF電源 ・500℃～Max1100℃基板加熱 ・高精度プロセスガス圧力APC制御 ・マスフローコントローラー最大4ch
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取り扱い会社
【Endless possibility_thermal engineering...】 当社は半導体・電子機器基礎研究用真空薄膜装置、CVD基板加熱用超高温ヒーター、実験炉、温度計測機器などを販売しております。 いつの時代でも欠かす事のできない「熱」に対する尽きぬ需要、基礎技術開発分野での様々なご要求にお応えすべく、最新の機器を紹介し、日本の研究開発に貢献してまいりたいと考えます。