ソフトエッチング装置【nanoETCH】
＜30W ローパワー・エッチング制御精度10mW ダメージレス・繊細なエッチング処理を実現
【nanoETCH（ナノエッチ）】Model. ETCH5A ＜30W（制御精度10mA）低出力RFエッチングによる、精細でダメージレスなエッチング処理を実現。 2010 年に「炭素新素材グラフェンに関する革新的実験」でノーベル物理学賞を受賞したマンチェスター大学グラフェン研究チームとの共同開発技術。
基本情報
【特徴・主なアプリケーション】 • 2D（遷移金属カルゴゲナイド, 材料転写後のグラフェン剥離）：表面改質クリーニング • PMMA, PPA等のポリマーレジスト除去 • テフロン基板などのダメージを受けやすい基板での表面改質、エッチング • h-BNサイドウオールエッチング（*『フッ化ガス供給モジュール』オプション, SF6ガス系統要） • SiO2エッチング（*『フッ化ガス供給モジュール』オプション, CHF3ガス系統要） 【仕様】 ◉ 対応基板：〜Φ6inch ◉ 7"タッチパネル簡単操作 PLC自動シーケンス ◉ APC自動圧力制御 ◉ ガス最大3系統（Ar, O2標準付属） *N2、又はフッ化ガス系増設 ◉ PCソフトウエア付属：自動エッチングレシピ作成・保存・保存、データロギング 【寸法・ユーティリティ】 寸法：750（W） x 500（D） x 400（H）mm 電源：200V 単相 15A プロセスガス：0.17Mpa 99.99%推奨 ベントガス：34-41kpa 冷却水：1L/min, 400kpa, 18-20℃ 圧縮空気：413-550Kpa
価格情報
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納期
型番・ブランド名
nanoETCH Model.ETCH5A
用途／実績例
グラフェン・TMDC等の2Dアプリケーション PPA・PPMA等のレジスト除去 テフロン基板などへのダメージレスエッチング、など。
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この製品に関するニュース（43）
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【SH 基板加熱用 高温真空ホットプレート_Max 1100℃】CVD, PVD 真空薄膜用
テルモセラ・ジャパン【基板加熱ヒーター】CVD, PVD等の薄膜実験用に最適な1inch〜4inch超高温基板加熱ヒーターのカタログの最新版に更新しました。 ◉ 最高使用温度850℃（SH-IN）、1100℃（SH-BN） 基板ホルダ、上下昇降機構・基板回転機構・RFバイアスなどのカスタマイズ品ご要求にも対応致します。 又、ヒーターコントローラは従来の据置型に加え19inchラックマウントも取扱います。
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BHシリーズ【UHV対応 超高温 真空薄膜実験用基板加熱ヒーター】Max1800℃
PVD（スパッタ、蒸着、EB等）、CVDなどの各種真空薄膜実験、高温真空アニール、高温試料解析用基板ステージ、などに応用いただけます。 様々なご要望仕様にカスタムメイド対応致します。 【特徴】 ●セミカスタム製品です。ご要望に応じて設計製作いたします。 ●予備ヒーター素線との交換が容易 ●設置、メンテナンスが容易（M6スタッドボルト、支柱） ●RF/DCバイアス、基板回転などにも対応 【標準付属品】 ● 熱電対：素線タイプ アルミナ絶縁スリーブ付き ● 取付用スタッドボルト 【オプション】 ● RF（150W）/DC（500V）バイアス印加 ● 標準外ヒーター素線（Nb, Mo, Pt/Re, WRe他） ● 基板保持クリップ ● 取付ブラケット ● 基板ホルダー ● ホルダー設置用タップ穴加工 ● トッププレート材質変更（PBN, 石英, カーボン, Inconel, 他） ● 過昇温用追加熱電対 ● ベースフランジ、真空導入端子
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ホットステージ【基板加熱機構】超高温基板加熱ステージ Max1800℃_Φ2〜Φ6inch
半導体, 電子デバイス等の開発, 真空薄膜プロセス用【高温基板加熱機構】 シリコン基板, サファイア基板, 化合物基板他様々な成膜実験用に活用いただけます。 CVD, スパッタ等の真空装置用超高温Max1800℃基板加熱条件に応じたエレメント、材料の選定が可能 ◉ 超高真空・不活性ガス・O2・各種プロセスガス雰囲気に対応 ◉ 基板上下/回転機構及びRF/DCバイアス印加可能 ◉ 雰囲気に応じたエレメントの選択： NiCr, Inconel, タングステン, グラファイト, CCコンポジット, グラファイト（SiCコーティング, PBNコーティング） CCコンポジット（PGコーティング） ◉ 各種真空フランジ接続：ICF, VF ◉ 熱電対付属 ◉ その他オプション：モーターコントローラ, 温度制御ユニット, トランスボックス
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★【マグネトロンスパッタリングカソード】★ テルモセラ・ジャパン
不純物なく金属・絶縁物等を堆積するRF, DC, パルスDC対応高効率マグネトロンスパッタカソード。メンテナンス性にも優れます。 【特徴】 ・高真空対応 ・Φ2inch、Φ3inch、Φ4inchサイズ ・クランプリング式を採用、ボンディングが不要 ・メンテナンス性に優れ、容易にターゲットの交換が可能 ・シャッター、チムニーポート、ガスインジェクション、磁性材用高強度マグネット、などのオプションが豊富 ・各種フランジサイズ接続に対応 【主仕様】 ■RF, DC, パルスDC対応 ■ターゲット厚さ：1/16"〜1/4" ■N型同軸コネクター接続 ■水冷式：4ℓ/min, 0.35Mpa Φ6mmチューブ接続 ■ケース材質：SUS304 ■ターゲットクランプ材質：Al, or SUS304 ■ベローズ（*Flexi-headタイプ）材質：SUS316 ■絶縁材：PEEK/PTFE ■シール材：Viton ■高強度マグネットパック：NiFe
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☆★☆★【nanoCVD-8G】グラフェン合成装置 ☆★☆★
◉ コールドウオール式による高効率・高精度プロセスコントロール ◉ 急速昇温：1100℃/約3分間 ◉ 高精度温度制御：±1℃ ◉ 高精度APC自動圧力制御システム：ガス3系統（Ar, H2, CH4） ◉ グラフェン作成用標準レシピ付属 ◉ コンパクトサイズ：405(W) x 415(D) x 280(H)mm ◆特徴◆ ・簡単操作! 5inchタッチパネルによる操作・レシピ管理 ・最大30レシピ，30stepのプログラム作成可能 ・PCソフトウエア付属 USBケーブル接続，PC側でのオフラインレシピ作成→装置へアップ/ダウンロード, CSVデータ出力 ・最大試料サイズ：40 x 40mm：銅（ニッケル）箔, SiO2/Si, Al2O3/Si基板，他 ◆Model. nanoCVD-8G◆ ・グラフェン用標準プログラム付属 ・高真空プロセス, 高精度プロセス圧力制御 ・ロータリーポンプ標準付属 ・ガス供給3系統（Ar, H2, CH4） ・試料加熱ステージ（高純度グラファイト）Max1100℃ ・Kタイプ熱電対
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取り扱い会社
【Endless possibility_thermal engineering...】 当社は半導体・電子機器基礎研究用真空薄膜装置、CVD基板加熱用超高温ヒーター、実験炉、温度計測機器などを販売しております。 いつの時代でも欠かす事のできない「熱」に対する尽きぬ需要、基礎技術開発分野での様々なご要求にお応えすべく、最新の機器を紹介し、日本の研究開発に貢献してまいりたいと考えます。