BHシリーズ【超高温薄膜実験用基板加熱ヒーター】Max1800℃
PVD、CVDなどの薄膜実験用基板加熱ヒーター均一性・昇温特性・制御性に優れたヒーターです。RF/DCバイアス仕様も可能。
高真空対応 多彩なヒーター材質オプション。 PVD（スパッタ、蒸着、EB等）、CVDなどの各種真空薄膜実験、高温真空アニール、高温試料解析用基板ステージ、などに応用いただけます。 様々なご要望仕様にカスタムメイド対応致します。 【特徴】 ●セミカスタム製品です。ご要望に応じて設計製作いたします。 ●予備ヒーター素線との交換が容易 ●設置、メンテナンスが容易（M6スタッドボルト、支柱） ●RF/DCバイアス、基板回転などにも対応 【標準付属品】 ● 熱電対：素線タイプ アルミナ絶縁スリーブ付き ● 取付用スタッドボルト 【オプション】 ● RF（150W）/DC（1KW）バイアス印加 ● 標準外ヒーター素線（Nb, Mo, Pt/Re, WRe他） ● 基板保持クリップ ● 取付ブラケット ● 基板ホルダー ● ホルダー設置用タップ穴加工 ● トッププレート材質変更（PBN, 石英, カーボン, Inconel, 他） ● 過昇温用追加熱電対 ● ベースフランジ、真空導入端子
基本情報
【対応基板サイズ】 ◉ Φ1inch〜Φ6inch 【熱電対】 ◉ Kタイプ、又はCタイプ 【ヒーター素線材質】 ◉ Max 1800℃：Graphite, C/Cコンポジット素線_（真空中, Ar, N2） ◉ Max 1500℃：SiCコーティング素線_（真空中, Ar, N2, O2） ◉ Max 1600℃：タングステン素線_（真空中, Ar, N2, He, H2） ◉ Max 1400℃：タンタル素線_（真空中, Ar, N2, He, H2） ◉ Max 900℃：カンタル 素線（真空中, Ar, N2, He ,O2, H2） ◉ Max 900℃：NiCr素線_（真空中, Ar, N2, He, H2, O2, 大気
価格情報
詳細は当社までお問い合わせください。
価格帯
10万円 ~ 50万円
納期
応相談
仕様により納期が変動します、当社までお問い合わせ下さい。
型番・ブランド名
BHS series
用途／実績例
PVD（スパッタ, ALD, PLDなど）CVD基板加熱ヒーター、分析装置試料加熱用ステージ、高温基板加熱ステージ・ホルダー、など。
詳細情報
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この製品に関するニュース（60）
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★☆【MiniLab（ミニラボ）】シリーズフレキシブル薄膜実験装置★☆
MiniLab薄膜実験装置は、豊富なオプションから必要な成膜方法・材質に応じて都度最適なコンポーネント、制御モジュールを組み込むことにより、セミカスタムメイドで無駄を省いたコンパクトな装置を構築することができます。モジュラー式コンポーネント・制御機器設計による豊富なバリエーション、様々な薄膜プロセス実験への応用が可能になります。 【MiniLab薄膜実験装置 構成モジュール】 ◎ 製作範囲 抵抗加熱蒸着（TE）、有機蒸着（LTE）、電子ビーム蒸着（EB）、スパッタリング（SP）、ドライエッチング、アニール 【スモールフットプリント・省スペース】 ・シングルラックタイプ（026/090）：590(W) x 590(D)mm ・デュアルラックタイプ（070/080）：1200(W) x 590(D)mm ・トリプルラックタイプ（125）：1770(W) x 755(D)mm 【優れた操作性・直観的操作画面】 Windows PC操作画面で一元管理が可能。熟練度を問わない簡単操作、安全にも最大限配慮しております。チャンバー内部品調整、材料交換以外の全ての操作はPC/HMI画面で行います。
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多機能マグネトロンスパッタリング装置 【MiniLab-S070】
Φ2inchカソード x 4元搭載 同時成膜：3元同時成膜（RF150W or DC780W）+ HiPIMS（PulseDC 5KW） x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング RIEエッチングステージRF150W（メインチャンバー） + <30Wソフトエッチング（LLチャンバー） 基板加熱：Max500℃, 800℃, 又は1000℃（C/C、又はSiCコート） 基板回転・上下昇降（ステッピングモーター自動制御） APC自動制御：アップストリーム（MFC流量調整）又はダウンストリーム（排気側バルブ自動開度調整） デポレート・膜厚レート制御 寸法：1,120(W) x 800(D) ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着などとの混在仕様も構成可能です。
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【MiniLab】 蒸着/スパッタ・デュアルチャンバーシステム
2台の薄膜実験装置をロードロック機構で連結。異なる成膜装置（スパッタ - 蒸着、など）をロードロックでシームレスに連結。Moorfield社独自のロードロックシステムにより、左右・後方へのプロセス室への連結も可能（写真下）。 1. MiniLab-E080A（蒸着装置） ・EB蒸着:7ccるつぼ x 6 ・抵抗加熱蒸着 x 2 ・有機蒸着 x 2 2. MiniLab-S070A（スパッタリング装置） ・Φ2"マグネトロンカソード x 4元同時スパッタ ・DC, RF両電源対応 3. Load Lockチャンバー ・プラズマエッチングステージ ロードロック室では「RF/DC基板バイアスステージ」による基板表面のプラズマクリーニング、又、同社独自の『ソフトエッチング』技術による<30W 低出力・ダメージレスプラズマエッチングステージも搭載可能。2D（PMMA等のレジスト除去など）、グラフェン剥離、又、テフロン基板などのダメージを受けやすい繊細なエッチングプロセスも可能。（*メインチャンバーステージへも搭載可能です）
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◆OLED◆ 有機蒸着・高温用金属蒸発源 Max1500℃
OLED蒸発源は最高使用温度1500℃の真空装置用高温加熱ヒーターです。 蒸発温度の高い材料も蒸発することができますので、低温有機蒸着（～ 800℃）セルから、高温抵抗加熱蒸着（～ 1500℃）MBEセルまで、真空高温ヒーター・蒸着セルとして幅広い様々な用途に活用いただけます。 シャッター・アクチュエータ、水冷ジャケットも用意。 800℃以上の高温ヒーターは、内部シールドを備え、断熱・熱遮蔽を考慮した設計。 【主仕様】 ■最高制御温度：800℃、又は1500℃ ■使用環境：真空中・不活性ガス（*O2 は800℃まで） ■ヒーター：タングステンフィラメント ■るつぼ容積：1cc（最大充填量1.5cc） ■るつぼ材質：アルミナ ■ケース材質：SUS304, 又はモリブデン ■熱電対：K、又はC 【オプション】 ⚫︎るつぼ材質：PBN, グラファイト, 石英 ⚫︎ヒーター：NiCr 線, カンタル線（*O2 用） ⚫︎るつぼ容積：10cc（最大充填量15cc） ⚫︎シャッター：空圧式, 又はモーター駆動 ⚫︎水冷ジャケット ⚫︎コントローラー（ヒーター・シャッター制御）
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BHシリーズ【UHV対応 超高温 真空薄膜実験用基板加熱ヒーター】Max1800℃
高真空対応 多彩なヒーター材質オプション。 PVD（スパッタ、蒸着、EB等）、高温真空アニール、高温解析用基板ステージ、などに応用いただけます。 様々なご要望仕様にカスタムメイド対応致します。 【特徴】 ● 予備ヒーター素線との交換が容易 ●設置、メンテナンスが容易（M6スタッドボルト、支柱） 【対応基板サイズ】 ◉ Φ1inch〜Φ6inch 【標準付属品】 ● 熱電対：素線タイプ アルミナ絶縁スリーブ付き ● 取付用スタッドボルト 【オプション】 ● 標準外ヒーター素線（Nb, Mo, Pt/Re, WRe他） ● 基板保持クリップ ● 取付ブラケット ● 基板ホルダー ● ホルダー設置用タップ穴加工 ● トッププレート材質変更（PBN, 石英, カーボン, Inconel, 他） ● 過昇温用追加熱電対 ● ベースフランジ、真空導入端子
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取り扱い会社
【Endless possibility_thermal engineering...】 当社は半導体・電子機器基礎研究用真空薄膜装置、CVD基板加熱用超高温ヒーター、実験炉、温度計測機器などを販売しております。 いつの時代でも欠かす事のできない「熱」に対する尽きぬ需要、基礎技術開発分野での様々なご要求にお応えすべく、最新の機器を紹介し、日本の研究開発に貢献してまいりたいと考えます。