マグネトロンスパッタリング装置【nanoPVD-S10A】
標準モデル登場!低コスト・短納期で提供可能になりました。 高真空、多層連続膜・同時成膜、RF/DC多目的スパッタ装置。
高機能 多目的 RF/DCマグネトロンスパッタリング装置 タッチパネル簡単操作 熟練度を問わずどなたでも簡単に操作が可能です。 【nanoPVD-S10A標準構成仕様】 ● 基板ステージ:Φ4inch、基板シャッター付 ● 最高到達圧力:5 x 10-5 Pa(10-3paまで10分、10-4paまで20分以内) ● 2"マグネトロンカソード x 2:自動連続多層膜, 2源同時成膜(RF/DCのみ) ● RF150W、DC780W両電源搭載 ● MFC x 3:プロセスガス3系統(Ar, O2, N2) ● 主排気TMP、粗挽RP(*ドライポンプ オプション) ● Windows PCリモートソフトウエア"IntelliLink"付属:システムライブモニター、最大1000layer, 50filmのレシピを作成・保存。PCでデータロギング ● 水晶振動子膜厚センサ付属 【主な用途】 ・酸化膜、絶縁膜 ・金属・合金、導電性膜 ・化合物、反応性膜、他 【オプション】 ◉ 基板加熱ヒーター500℃、磁性材用カソード、ドライスクロールポンプ、など
基本情報
◉ 酸化膜・絶縁膜・導電性膜・化合物、反応性膜も可能な高機能多目的スパッタリング装置 ◉ 装置運転・レシピ管理などの全てを7"タッチパネルで一元管理。 ◉ オペレータが登録したフィルムレシピ、プロセス制御(真空引/ベント、成膜レート、カソード切替、シャッター開閉、加熱・昇降回転調整など)を全自動運転(手動も可能) Windows PC用付属ソフト(IntelliLink)で装置のライブモニター、データロギング、レシピダウン&アップロードができます。 【主な仕様】 ・RF/DCマグネトロン方式 ・2inchマグネトロンカソードx2 ・RF電源:150W 自動マッチング ・DC電源:780W ・対応基板サイズ:〜4inch ・上下昇降 ・プロセスガス制御:MFC x 3(Ar, N2, O2) ・水晶振動子膜厚センサ ・基板シャッター ・寸法:804(W) x 570(D) x 600(H)mm ・重量:約70kg ・電源:200VAC 50.60Hz 20A ・チャンバーサイズ:Φ225(内径)x 250mm ・真空系:TMP + RP(*ドライポンプ オプション)
価格帯
納期
型番・ブランド名
nanoPVD-S10A
用途/実績例
各種電子デバイス薄膜実験 金属薄膜、絶縁膜、化合物薄膜、他多数アプリケーションに対応
詳細情報
関連動画
ラインアップ(2)
| 型番 | 概要 |
|---|---|
| nanoPVD-S10A | |
| nanoPVD-S10A-WA | Φ6inch、Φ8inch基板対応ステージ搭載 |
カタログ(37)
カタログをまとめてダウンロードこの製品に関するニュース(60)
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★nano BenchTopシリーズ 薄膜実験装置★
研究開発の現場で求められる均一性の高い「高品質」な薄膜を作成するための様々な条件を備えます。nanoシリーズはコンパクトボディに機能を凝縮した高性能装置です。 欠陥が少なく良質な成膜に欠かせない要素である高真空環境・十分なT/S調整距離を確保する堅牢で機密性が高いステンレスチャンバー・高真空ポンプを採用。又、全モデルに共通するIntelliDepソフトウエア。直感的で分かりやすいタッチパネル操作で作業者の習熟度を問わずどなたでも操作いただけます。 【nano Benchtopコンパクト薄膜実験装置】 ◉ nanoPVD-S10A:RF/DCマグネトロンスパッタリング装置 ◉ nanoPVD-T15A:有機膜・金属膜蒸着装置 ◉ nanoPVD-ST15A:蒸着・スパッタ混在 複合型薄膜実験装置 ◉ ANNEAL:ウエハーアニール装置 ◉ nanoCVD:グラフェン/CNT合成装置 ※ その他詳細仕様は当社までお問合せ下さい。
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☆★☆スパッタ・蒸着ソース複合型成膜装置【nanoPVD-ST15A】☆★☆
スパッタカソード・蒸着ソース混在型薄膜実験装置 コンパクトフレームに金属蒸着・有機蒸着・スパッタカソードを設置 抵抗加熱蒸着源(金属蒸着)、有機蒸着源(有機材料)、マグネトロンスパッタ(金属・絶縁材)、3種類の成膜コンポーネントをチャンバー内に設置、様々な薄膜実験装置に1チャンバーで対応が可能です。 ◉組み合わせは3種類 1. スパッタカソード + 抵抗加熱蒸着源x2 2. スパッタカソード + 有機蒸着源x2 3. スパッタカソード + 抵抗加熱源x1 + 有機蒸着源x1(*DCスパッタのみ) 【仕様】 ◉ 対応基板:〜Φ4inch ◉ スパッタリング:2"カソード x 最大3源 ◉ 真空蒸着:抵抗加熱蒸着(最大2)、有機蒸着(最大4) ◉ 7"タッチパネル操作 PLC自動プロセスコントロール ◉ APC自動圧力制御 ◉ Arガス1系統(標準) + N2, O2 増設可能 ◉ USB端子付 Windows PCに接続し、レシピ作成・保存。PCでデータロギング ◉ 他、多彩なオプションを用意 ◉ 7"タッチパネル簡単操作 PLC自動プロセスコントロール
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◆nanoANNEAL◆ ウエハーアニール装置
Max1000℃、MFC最大3系統、APC圧力制御、4"〜最大6"基板対応、 高真空アニール装置(<5 × 10-7 mbar) [nanoANNEAL]は、ウエハー等の基板を安定したプロセス雰囲気にて高温熱処理が可能な研究開発用アニール装置です。 高真空水冷式SUSチャンバー内に設置した加熱ステージにより最高1000℃までの高温処理が可能です。チャンバー内にはヒートシールドが設置されインターロックにて安全を確保。マスフローコントローラは最大3系統まで増設が可能、精密に調整されたプロセスガス圧力での焼成作業が可能です(APC自動プロセス制御システムオプション)。 又、フロントビューポート、ドライスクロールポンプ、特殊基板ホルダー、熱電対増設、などオプションも豊富。 チャンバー内加熱ステージは、プロセスガス雰囲気・処理温度により3種類のバリエーションがあります。 ・ハロゲンランプヒーター:Max500℃ ・C/Cコンポジットヒーター:Max1000℃(真空中、不活性ガスのみ) ・SiCコーティングヒーター:Max1000℃(真空、不活性ガス、O2)
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☆★☆★【nanoCVD-8G】グラフェン合成装置 ☆★☆★
◉ コールドウオール式による高効率・高精度プロセスコントロール ◉ 急速昇温:1100℃/約3分間 ◉ 高精度温度制御:±1℃ ◉ 高精度APC自動圧力制御システム:ガス3系統(Ar, H2, CH4) ◉ グラフェン作成用標準レシピ付属 ◉ コンパクトサイズ:405(W) x 415(D) x 280(H)mm ◆特徴◆ ・簡単操作! 5inchタッチパネルによる操作・レシピ管理 ・最大30レシピ,30stepのプログラム作成可能 ・PCソフトウエア付属 USBケーブル接続,PC側でのオフラインレシピ作成→装置へアップ/ダウンロード, CSVデータ出力 ・最大試料サイズ:40 x 40mm:銅(ニッケル)箔, SiO2/Si, Al2O3/Si基板,他 ◆Model. nanoCVD-8G◆ ・グラフェン用標準プログラム付属 ・高真空プロセス, 高精度プロセス圧力制御 ・ロータリーポンプ標準付属 ・ガス供給3系統(Ar, H2, CH4) ・試料加熱ステージ(高純度グラファイト)Max1100℃ ・Kタイプ熱電対
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☆★☆【nanoETCH】ソフトエッチング装置☆★☆
<30W低出力制御によるダメージレスエッチング 出力制御精度10mWで、繊細なエッチング処理を実現。 2010 年に「炭素新素材グラフェンに関する革新的実験」でノーベル物理学賞を受賞したマンチェスター大学グラフェン研究チームとの共同開発技術 【特徴】 • 2D(遷移金属カルゴゲナイド, 材料転写後のグラフェン剥離):表面改質クリーニング • PMMA, PPA等のポリマーレジスト除去 • テフロン基板などのダメージを受けやすい基板での表面改質、エッチング • h-BNサイドウオールエッチング(*『フッ化ガス供給モジュール』オプション, SF6ガス系統要) • SiO2エッチング(*『フッ化ガス供給モジュール』オプション, CHF3ガス系統要) 仕様】 ◉ 対応基板:〜Φ6inch ◉ 7"タッチパネル簡単操作 PLC自動シーケンス ◉ APC自動圧力コントロール ◉ Arガス1系統(標準) + N2, O2 最大3系統まで増設 ◉ USB端子付 Windows PCに接続し、自動エッチングレシピ作成・保存。PCでデータロギング
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取り扱い会社
【Endless possibility_thermal engineering...】 当社は半導体・電子機器基礎研究用真空薄膜装置、CVD基板加熱用超高温ヒーター、実験炉、温度計測機器などを販売しております。 いつの時代でも欠かす事のできない「熱」に対する尽きぬ需要、基礎技術開発分野での様々なご要求にお応えすべく、最新の機器を紹介し、日本の研究開発に貢献してまいりたいと考えます。















































