真空蒸着装置『MiniLab-090』（グローブボックス用）
グローブボックス収納可能 PVDフレキシブル薄膜実験装置 高さ570mmトールチャンバー採用 蒸着時の均一性向上に寄与
80ℓ大容積MiniLab-080チャンバーをグローブボックスベンチ内に収納可能な構造にしたMiniLab-080のグローブボックスモデル。作業ベンチを最大限活用できるスライド開閉式チャンバー、メンテナンス性を考慮した背面開閉ドアを採用。プロセス処理後の試料を大気・水分に露出せずグローブボックス内の管理された環境内で一貫した処理ができます。GB, ガス精製機はGBモデルの仕様を参照下さい。 ◉ 抵抗加熱蒸着源 x 最大4元 ◉ 有機蒸着源 x 最大4元 ◉ マグネトロンスパッタリングカソード x 4元 ◉ 電子ビーム蒸着 ◉ ドライエッチング ◉ アニール
基本情報
【主仕様】 ・最大基板サイズ：Φ11inch ・SUS304 80ℓ容積 400x400x570mm フロントローディングチャンバー ・ポンプ：ターボ分子ポンプ, ロータリーポンプ（ドライポンプも可） ・真空排気：真空/ベント自動制御 ・抵抗加熱蒸着：最大4元（Model. TE1～TE4蒸着源） ・有機蒸着：最大4元（Model. LTEC-1cc/5cc) ・EB電子ビーム蒸着：7ccるつぼｘ６（又は4ccるつぼｘ8） ・Φ2〜4inchマグネトロンスパッタリングカソード x 最大４ ・プロセス制御：手動/自動連続多層膜・同時成膜、APC自動制御、デポレート・膜厚レート制御 ・膜厚モニタ：水晶振動子センサヘッドｘ4 ・膜厚制御：Inficon社 SQC-310（又はSQM-160薄膜モニター） 2ch/4ch薄膜コントローラ ・ユーティリティ：電源200V ３相 20A, 水冷1ℓ/min, N2ベント0.1Mkpa ・その他オプション：基板回転/昇降, プラズマエッチング, ドライポンプ
価格情報
本装置はカスタマイズ品です、都度構成により変わりますのでお問合せ下さい。
納期
型番・ブランド名
MiniLab-080
用途／実績例
大学・研究期間・企業研究室での各種基礎実験用途 ・光学薄膜 ・電極膜, 半導体膜, 配線膜, 絶縁膜 他
関連動画
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この製品に関するニュース（7）
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【MiniLab】 蒸着/スパッタ・デュアルチャンバーシステム
2台の薄膜実験装置をロードロック機構で連結。異なる成膜装置（スパッタ - 蒸着、など）をロードロックでシームレスに連結。Moorfield社独自のロードロックシステムにより、左右・後方へのプロセス室への連結も可能（写真下）。 1. MiniLab-E080A（蒸着装置） ・EB蒸着:7ccるつぼ x 6 ・抵抗加熱蒸着 x 2 ・有機蒸着 x 2 2. MiniLab-S070A（スパッタリング装置） ・Φ2"マグネトロンカソード x 4元同時スパッタ ・DC, RF両電源対応 3. Load Lockチャンバー ・プラズマエッチングステージ ロードロック室では「RF/DC基板バイアスステージ」による基板表面のプラズマクリーニング、又、同社独自の『ソフトエッチング』技術による<30W 低出力・ダメージレスプラズマエッチングステージも搭載可能。2D（PMMA等のレジスト除去など）、グラフェン剥離、又、テフロン基板などのダメージを受けやすい繊細なエッチングプロセスも可能。（*メインチャンバーステージへも搭載可能です）
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【MiniLab-WCF 超高温ウエハーアニール炉】Max 2000℃__超高温ウエハーアニール専用（6inch〜8inch）真空・大気圧ガス置換（Ar, N2, O2）
◾️Max2000℃ ◾️有効加熱範囲：Φ6〜Φ8inch 枚葉式、又はバッチ式 ◾️ヒーター制御：1ゾーン、又は2ゾーン ◾️ヒーター材質： ・C/Cコンポジット ・SiCコーティンググ ・TaCコーティング ・タングステン ◾️使用雰囲気： ・真空（10-3Pa台@1800℃（*但し空炉、高真空ポンプ仕様の場合）、大気圧ガス置換（Ar, N2, O2）、APCプロセス圧力制御 ◾️PLCセミオート運転 ・真空/パージサイクル、ベントの自動シーケンス制御 ・タッチパネル操作 ◾️ プロセス圧力制御 ・APCコントロール（MFC流量、又は自動開度調整バルブ（PIDループ制御） ・MFC最大3系統流量自動制御、又はフロートメーター/ニードルバルブの手動調整 ◆主な応用アプリケーション◆ ・ワイドギャップ半導体 結晶成長およびデバイス作製プロセス中での高温アニール ・窒化物半導体結晶 エピタキシャル成長プロセス中での高温アニール ・SiC、GaN（窒化ガリウム）パワー半導体高温アニール ・薄膜ニオブ酸リチウム ・他各種先端材料基礎開発に応用
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4元マルチスパッタ装置 【MiniLab-S070】自動連続多層膜・同時成膜 RF/DC/PulseDC
Φ2inchカソード x 4搭載 同時成膜：3元同時成膜（RF150W or DC780W）+ HiPIMS（PulseDC 5KW） x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング RIEエッチングステージRF150W（メインチャンバー） + <30Wソフトエッチング（LLチャンバー） 基板加熱：Max500℃, 800℃, 又は1000℃（C/C、又はSiCコート） 基板回転・上下昇降（ステッピングモーター自動制御） APC自動制御：アップストリーム（MFC流量調整）又はダウンストリーム（排気側バルブ自動開度調整） デポレート・膜厚レート制御 寸法：1,120(W) x 800(D) ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。
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多元マルチスパッタリング装置【MiniLab-125】Φ12inch対応 SiCコーティング 1000℃ヒーターステージ 搭載！コンパクトサイズ！
多元マルチスパッタリング装置（Φ12inch基板対応） ・4元同時成膜（RF, DC, 又はPulseDC） ・RF300W, DC1.5KW両電源を4元カソード（Source1, 2, 3, 4）へ自在に配置変更 ・基板加熱ステージ Max800℃（SiCコーティングヒーターでMax1000℃も可能） ・MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング ・メインチャンバー RIEエッチングステージRF300W ・LLチャンバー ＜30W 低出力制御ソフトエッチング ・独自の"Soft-Ething"技術で基板バイアスにより基板のダメージを軽減 ・タッチパネル又はWindows PC操作：操作が分散せず、全ての操作をタッチパネル/PCで行うことができます。 ・装置設置寸法：1,960(W) x 1,100(D) x 1,700(H)mm ・マルチチャンバー式も製作可能です。 ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。
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☆★☆★【nanoCVD-WGP】ウエハースケール・グラフェン合成装置 ☆★☆★
Φ3inch、Φ4inch ウエハーサイズ対応プラズマCVD 装置。不純物を抑制し清浄・高品質なグラフェンを高速合成。 熱CVD、低温～高温プラズマCVD いずれの方法でも利用可能。マスフローガス供給系統、基板加熱ヒーターなどご要望により構成をカスタマイズ致します。 【装置構成例】 ・基板：Cu, Ni, 他..（フィルム, フォイル） ・原料：CH4, C2H4, solids (PMMA), etc.. ・プロセスガス：H2, Ar, N2, etc.. ・基板サイズ：Φ4inch ・150W, 13.56MHz RF電源 ・500℃～Max1100℃基板加熱 ・高精度プロセスガス圧力APC制御 ・マスフローコントローラー最大4ch
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取り扱い会社
【Endless possibility_thermal engineering...】 当社は半導体・電子機器基礎研究用真空薄膜装置、CVD基板加熱用超高温ヒーター、実験炉、温度計測機器などを販売しております。 いつの時代でも欠かす事のできない「熱」に対する尽きぬ需要、基礎技術開発分野での様々なご要求にお応えすべく、最新の機器を紹介し、日本の研究開発に貢献してまいりたいと考えます。