多機能スパッタリング装置 【MiniLab-S070】
コンパクト、70ℓ容積チャンバーにスパッタ・蒸着・EB・アニールなどの薄膜モジュールを組込み、様々な用途に対応するマルチ薄膜装置
Φ2inchカソード x 4基搭載 同時成膜：3元同時成膜（RF500W or DC850W）+ HiPIMS（PulseDC 5KW） x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング RIEエッチングステージRF150W（メインチャンバー） + <30Wソフトエッチング（LLチャンバー） 基板加熱：Max500℃, 800℃, 又は1000℃（C/C、又はSiCコート） 基板回転・上下昇降（ステッピングモーター自動制御） APC自動制御：アップストリーム（MFC流量調整）又はダウンストリーム（排気側バルブ自動開度調整） デポレート・膜厚レート制御 寸法：1,120(W) x 800(D) ●プラズマエッチングはメインチャンバー、ロードロックチャンバーのいずれへも設置可能です。 ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。
基本情報
【主仕様】 ・SUS304 70ℓ容積 438x425x425mm フロントローディングチャンバー ・最大基板サイズ：Φ11inch ・ポンプ：ターボ分子ポンプ, ロータリーポンプ（ドライポンプ可） ・真空排気：真空/ベント自動制御 ・抵抗加熱蒸着：最大4元（Model. TE1～TE4蒸着源） ・有機蒸着：最大4元（Model. LTEC-1cc/5cc) ・EB電子ビーム蒸着：7ccるつぼｘ６（又は4ccるつぼｘ8） ・Φ2〜4inchマグネトロンスパッタリングカソード x 最大４元 ・プロセス制御：手動/自動多層膜・同時成膜、APC自動制御、デポレート・膜厚レート制御 ・膜厚モニタ：水晶振動子センサヘッド ・膜厚制御：Inficon社 SQC-310（又はSQM-160薄膜モニター） 2ch/4ch薄膜コントローラ ・その他オプション：基板加熱, 冷却, 基板昇降・回転, プラズマエッチング, ドライポンプ , ロードロック機構
価格帯
納期
型番・ブランド名
MiniLab-S070A
用途／実績例
電子デバイス・太陽電池・ディスプレイ等の製造工場、大学・研究機関、薬品・化学工場、食品工場、他多数
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この製品に関するニュース（10）
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【MiniLabフレキシブル薄膜実験装置】総合カタログ
この度、MiniLabシリーズ薄膜実験装置のカタログを一新しました。 【MiniLabシリーズの特徴】 ◉スパッタ、蒸着（抵抗加熱・有機・EB）、アニール、プラズマエッチング等に対応 ◉モジュラー式 フレキシブルにコンポーネントの組合せを構成（ソース複合型、マルチチャンバーも可能） ◉コンパクト、省スペース設計（幅1,200 x 奥行560mm） ◉優れた操作性：直感的インターフェイス、操作が分散せず全てをタッチパネルで一元管理できます。 研究開発の現場で、必ずやお役に立てるものと確信しております。 ぜひご検討ください。
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4元マルチスパッタ装置 【MiniLab-S070】自動連続多層膜・同時成膜 RF/DC/PulseDC
Φ2inchカソード x 4搭載 同時成膜：3元同時成膜（RF150W or DC780W）+ HiPIMS（PulseDC 5KW） x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング RIEエッチングステージRF150W（メインチャンバー） + <30Wソフトエッチング（LLチャンバー） 基板加熱：Max500℃, 800℃, 又は1000℃（C/C、又はSiCコート） 基板回転・上下昇降（ステッピングモーター自動制御） APC自動制御：アップストリーム（MFC流量調整）又はダウンストリーム（排気側バルブ自動開度調整） デポレート・膜厚レート制御 寸法：1,120(W) x 800(D) ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。
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蒸着/スパッタ・デュアルチャンバーシステム【MiniLab-E080A/S070A】
2台の薄膜実験装置をロードロック機構で連結。異なる成膜装置（スパッタ - 蒸着、など）をロードロックでシームレスに連結。Moorfield社独自のロードロックシステムにより、左右・後方へのプロセス室への連結も可能（写真下）。 1. MiniLab-E080A（蒸着装置） ・EB蒸着:7ccるつぼ x 6 ・抵抗加熱蒸着 x 2 ・有機蒸着限 x 2 2. MiniLab-S070A（スパッタリング装置） ・Φ2"マグネトロンカソード x 4源同時スパッタ ・DC, RF両電源対応 3. Load Lockチャンバー ・プラズマエッチングステージ ロードロック室では「RF/DC基板バイアスステージ」による基板表面のプラズマクリーニング、又、同社独自の『ソフトエッチング』技術による<30W 低出力・ダメージレスプラズマエッチングステージも搭載可能。2D（PMMA等のレジスト除去など）、グラフェン剥離、又、テフロン基板などのダメージを受けやすい繊細なエッチングプロセスも可能。（*メインチャンバーステージへも搭載可能です）
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ウエハーアニール装置【nanoANNEAL】Max1000℃ APC自動圧力制御 MFC x3系統 Φ4〜6inch基板対応
Max1000℃、MFC最大3系統、APC圧力制御、4"〜最大6"基板対応、 高真空アニール装置（<5 × 10-7 mbar） [nanoANNEAL]は、ウエハー等の基板を安定したプロセス雰囲気にて高温熱処理が可能な研究開発用アニール装置です。 高真空水冷式SUSチャンバー内に設置した加熱ステージにより最高1000℃までの高温処理が可能です。チャンバー内にはヒートシールドが設置されインターロックにて安全を確保。マスフローコントローラは最大3系統まで増設が可能、精密に調整されたプロセスガス圧力での焼成作業が可能です（APC自動プロセス制御システムオプション）。 又、フロントビューポート、ドライスクロールポンプ、特殊基板ホルダー、熱電対増設、などオプションも豊富。 チャンバー内加熱ステージは、プロセスガス雰囲気・処理温度により３種類のバリエーションがあります。 ・ハロゲンランプヒーター：Max500℃ ・C/Cコンポジットヒーター：Max1000℃（真空中、不活性ガスのみ） ・SiCコーティングヒーター：Max1000℃（真空、不活性ガス、O2）
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☆★☆★【nanoCVD-WGP】ウエハースケール・グラフェン合成装置 ☆★☆★
Φ3inch、Φ4inch ウエハーサイズ対応プラズマCVD 装置。不純物を抑制し清浄・高品質なグラフェンを高速合成。 熱CVD、低温～高温プラズマCVD いずれの方法でも利用可能。マスフローガス供給系統、基板加熱ヒーターなどご要望により構成をカスタマイズ致します。 【装置構成例】 ・基板：Cu, Ni, 他..（フィルム, フォイル） ・原料：CH4, C2H4, solids (PMMA), etc.. ・プロセスガス：H2, Ar, N2, etc.. ・基板サイズ：Φ4inch ・150W, 13.56MHz RF電源 ・500℃～Max1100℃基板加熱 ・高精度プロセスガス圧力APC制御 ・マスフローコントローラー最大4ch
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【Endless possibility_thermal engineering...】 当社は半導体・電子機器基礎研究用真空薄膜装置、CVD基板加熱用超高温ヒーター、実験炉、温度計測機器などを販売しております。 いつの時代でも欠かす事のできない「熱」に対する尽きぬ需要、基礎技術開発分野での様々なご要求にお応えすべく、最新の機器を紹介し、日本の研究開発に貢献してまいりたいと考えます。