Voxia Box X線CT撮影装置
□◼️X線CT撮影装置（中型）◼️□ Voxiaシリーズ中型サイズ 6軸CT撮影軸構成 用途に合わせたカスタム設計が可能
Voxia boxは、シリーズ中最も汎用性の高い、様々なサンプル解析に対応する密閉型X線CT撮影装置です。 企業の基礎研究〜開発部門、小規模生産まで幅広い用途で活用いただけます。 用途に応じてカスタマイズが可能な撮影ステージ、3D表示解析ソフトウエアにおり、ご要望に応じてフレキシブルな装置構成をご提案致します。 設置場所を選ばない省スペースコンパクト設計。 高度計算ソフトにより高解像度のデータを生成します。 ＊ X線管電圧：20〜最大90kV ＊ 焦点径：7μm（5μm@4W） ＊ 検出器画素：89μm、約320万画素！ ＊ サンプルサイズ：Φ120mm ◉ VCap（データ取得プログラム）： 撮影対象物、目的に合わせたカスタムメイドの撮影ステージ ◉ VCT（CT画像計算プログラム）：ご指定の撮影対象物に特化した自動計測・解析ソフトをカスタマイズ可能 ◉ MolcerPlus（3D表示解析）：従来他のソフトウエアで困難であった測定条件を可能にするカスタムソフトウエア ●高い安全性、 ●多種・多様なサンプルにも対応 ●直感的HMI、簡単操作
基本情報
*Voxia seriesはカスタムメイドです。 下記Voxia box仕様はあくまでも参考構成事例です。 ・X線管電圧：20〜90kV ・焦点寸法：7um、又は5um ・検出器：320万画素 ・検出エリア：159 x 159mm ・6軸ステージ ・最大サンプルサイズ：Φ120mm ・サンプル最大重量：1kg
価格帯
納期
型番・ブランド名
Voxia Box
用途／実績例
・医療 薬品（錠剤など） ・工業製品（機械、電子部品類） ・食品 ・文化財、化石調査など
カタログ（2）
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この製品に関するニュース（3）
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★☆★☆【MiniLab（ミニラボ）】シリーズフレキシブル薄膜実験装置★☆★☆
MiniLab薄膜実験装置は、豊富なオプションから必要な成膜方法・材質に応じて都度最適なコンポーネント、制御モジュールを組み込むことにより、セミカスタムメイドで無駄を省いたコンパクトな装置を構築することができます。モジュラー式コンポーネント・制御機器設計による豊富なバリエーション、様々な薄膜プロセス実験への応用が可能になります。 【MiniLab薄膜実験装置 構成モジュール】 ◎ 製作範囲 抵抗加熱蒸着（TE）、有機蒸着（LTE）、電子ビーム蒸着（EB）、スパッタリング（SP）、CVD、ドライエッチング 【スモールフットプリント・省スペース】 ・シングルラックタイプ（026/090）：590(W) x 590(D)mm ・デュアルラックタイプ（070/080）：1200(W) x 590(D)mm ・トリプルラックタイプ（125）：1770(W) x 755(D)mm 【優れた操作性・直観的操作画面】 Windows PC、または７”タッチパネル。熟練度を問わない簡単操作、安全にも最大限配慮しております。チャンバー内部品調整、材料交換以外の全ての操作はPC/HMI画面で行います。
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【MiniLabフレキシブル薄膜実験装置】総合カタログ
この度、MiniLabシリーズ薄膜実験装置のカタログを一新しました。 【MiniLabシリーズの特徴】 ◉スパッタ、蒸着（抵抗加熱・有機・EB）、アニール、プラズマエッチング等に対応 ◉モジュラー式 フレキシブルにコンポーネントの組合せを構成（ソース複合型、マルチチャンバーも可能） ◉コンパクト、省スペース設計（幅1,200 x 奥行560mm） ◉優れた操作性：直感的インターフェイス、操作が分散せず全てをタッチパネルで一元管理できます。 研究開発の現場で、必ずやお役に立てるものと確信しております。 ぜひご検討ください。
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ウエハーアニール装置【nanoANNEAL】Max1000℃ APC自動圧力制御 MFC x3系統 Φ4〜6inch基板対応
Max1000℃、MFC最大3系統、APC圧力制御、4"〜最大6"基板対応、 高真空アニール装置（<5 × 10-7 mbar） [nanoANNEAL]は、ウエハー等の基板を安定したプロセス雰囲気にて高温熱処理が可能な研究開発用アニール装置です。 高真空水冷式SUSチャンバー内に設置した加熱ステージにより最高1000℃までの高温処理が可能です。チャンバー内にはヒートシールドが設置されインターロックにて安全を確保。マスフローコントローラは最大3系統まで増設が可能、精密に調整されたプロセスガス圧力での焼成作業が可能です（APC自動プロセス制御システムオプション）。 又、フロントビューポート、ドライスクロールポンプ、特殊基板ホルダー、熱電対増設、などオプションも豊富。 チャンバー内加熱ステージは、プロセスガス雰囲気・処理温度により３種類のバリエーションがあります。 ・ハロゲンランプヒーター：Max500℃ ・C/Cコンポジットヒーター：Max1000℃（真空中、不活性ガスのみ） ・SiCコーティングヒーター：Max1000℃（真空、不活性ガス、O2）
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取り扱い会社
【Endless possibility_thermal engineering...】 当社は半導体・電子機器基礎研究用真空薄膜装置、CVD基板加熱用超高温ヒーター、実験炉、温度計測機器などを販売しております。 いつの時代でも欠かす事のできない「熱」に対する尽きぬ需要、基礎技術開発分野での様々なご要求にお応えすべく、最新の機器を紹介し、日本の研究開発に貢献してまいりたいと考えます。