EB蒸着/スパッタ・デュアルチャンバーシステム【MiniLab】
2台の薄膜実験装置をロードロック機構で連結。異なる成膜装置（スパッタ、蒸着、など）をロードロックでシームレスに連結
2台の薄膜実験装置をロードロック機構で連結。異なる成膜装置（スパッタ - 蒸着、など）をロードロックでシームレスに連結。Moorfield社独自のロードロックシステムにより、左右・後方へのプロセス室への連結も可能です。
基本情報
【装置構成事例】 1. MiniLab-E080A（EB/抵抗加熱/有機 複合蒸着装置） ・基板サイズ：Φ4inch〜最大Φ8inch ・EB蒸着:7ccるつぼ x 6 ・抵抗加熱蒸着 x 2 ・有機蒸着 x 2 2. MiniLab-S070A（スパッタリング装置） ・基板サイズ：Φ4inch〜最大Φ8inch ・Φ2"マグネトロンカソード x 4元同時スパッタ ・DC780W, RF150W両電源対応 3. Load Lockチャンバー ・プラズマエッチングステージ ロードロック室では「RF/DC基板バイアスステージ」による基板表面のプラズマクリーニング、又、同社独自の『ソフトエッチング』技術による<30W 低出力・ダメージレスプラズマエッチングステージも搭載可能。2D（PMMA等のレジスト除去など）、グラフェン剥離、又、テフロン基板などのダメージを受けやすい繊細なエッチングプロセスも可能。（*メインチャンバーステージへも搭載可能です）
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この製品に関するニュース（8）
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★nano BenchTopシリーズ 薄膜実験装置★
研究開発の現場で求められる均一性の高い「高品質」な薄膜を作成するための様々な条件を備えます。nanoシリーズはコンパクトボディに機能を凝縮した高性能装置です。 欠陥が少なく良質な成膜に欠かせない要素である高真空環境・十分なT/S調整距離を確保する堅牢で機密性が高いステンレスチャンバー・高真空ポンプを採用。又、全モデルに共通するIntelliDepソフトウエア。直感的で分かりやすいタッチパネル操作で作業者の習熟度を問わずどなたでも操作いただけます。 【nano Benchtopコンパクト薄膜実験装置】 ◉ nanoPVD-S10A：RF/DCマグネトロンスパッタリング装置 ◉ nanoPVD-T15A：有機膜・金属膜蒸着装置 ◉ nanoPVD-ST15A：蒸着・スパッタ混在 複合型薄膜実験装置 ◉ ANNEAL：ウエハーアニール装置 ◉ nanoCVD：グラフェン/CNT合成装置 ※ その他詳細仕様は当社までお問合せ下さい。
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□■□【MiniLab-080】フレキシブル薄膜実験装置□■□ 蒸着・スパッタ・EB蒸着・有機蒸着等ご要望によりフレキシブルに構成可能。
80ℓ容積 400(W)x400(D)x570(H)mm D型ボックスチャンバーで構成されるML-080は、070と同等の構成で更にチャンバーを高くすることによりTS距離調整範囲が長く、大口径基板での蒸着時の膜均一性が向上、真空蒸着に最適なモデルです。ロードロック機構も追加できるML-070の上位機種。070同様に、コンパクトながら抵抗加熱蒸着（金属/絶縁物/有機材料）、EB蒸着、RF/DC/PulseDC兼用マグネトロン式スパッタ、RIEプラズマエッチング、アニールなどの幅広い目的にも対応。 ・最大基板サイズ：Φ11inch ・抵抗加熱蒸着源 x 最大4元 ・有機蒸着源 x 最大4元 ・マグネトロンスパッタリングカソード x 4元 ・電子ビーム蒸着 ・基板加熱ステージ（標準500℃、Max1000℃） ・*プラズマエッチング/<30Wソフトエッチング *プラズマエッチングはメインチャンバー、ロードロックチャンバーいずれも設置可能
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【MiniLab】 蒸着/スパッタ・デュアルチャンバーシステム
2台の薄膜実験装置をロードロック機構で連結。異なる成膜装置（スパッタ - 蒸着、など）をロードロックでシームレスに連結。Moorfield社独自のロードロックシステムにより、左右・後方へのプロセス室への連結も可能（写真下）。 1. MiniLab-E080A（蒸着装置） ・EB蒸着:7ccるつぼ x 6 ・抵抗加熱蒸着 x 2 ・有機蒸着 x 2 2. MiniLab-S070A（スパッタリング装置） ・Φ2"マグネトロンカソード x 4元同時スパッタ ・DC, RF両電源対応 3. Load Lockチャンバー ・プラズマエッチングステージ ロードロック室では「RF/DC基板バイアスステージ」による基板表面のプラズマクリーニング、又、同社独自の『ソフトエッチング』技術による<30W 低出力・ダメージレスプラズマエッチングステージも搭載可能。2D（PMMA等のレジスト除去など）、グラフェン剥離、又、テフロン基板などのダメージを受けやすい繊細なエッチングプロセスも可能。（*メインチャンバーステージへも搭載可能です）
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【MiniLab-WCF 超高温ウエハーアニール炉】Max 2000℃_ウエハー高温焼成専用（6inch〜8inch）
Max2000℃ Φ6〜8inchウエハー専用高温アニール装置 小規模生産も可能なマルチ雰囲気ウエハーアニール装置 ◾️ Max2000℃ ◾️ 有効加熱範囲：Φ6〜Φ8inch 枚葉式 ◾️ ヒーター制御：1ゾーン、又は2ゾーン（カスケード制御） ◾️ ヒーター材質： ・C/Cコンポジット ・SiCコーティング グラファイト ・TaCコーティング グラファイト ・タングステン ◾️ 使用雰囲気： ・真空中、又は不活性ガス（Ar, N2） ◾️ 到達真空度：10-3 Pa台（@1800℃ *但し空炉、高真空ポンプ仕様の場合） ◾️ PLCセミオート運転 ・真空/パージサイクル、自動ベントシーケンス制御 ・タッチパネル操作、操作が分散せず一元管理が可能です。 ◾️ プロセス圧力制御 ・APCコントロール（MFC流量、又は自動開度調整バルブ PIDループ制御） ・MFC最大3系統流量自動制御、又はフロートメーター/ニードルバルブの手動調整 ◾️ PLOT画面グラフ表示、CSVデータ出力（オプション）
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□■【Mini-BENCH furnace】超高温卓上型実験炉 Max2000℃ □■
卓上小型サイズ実験炉・省スペース 最高使用温度2000℃ ◆装置構成◆ 予算・目的に応じてご要望の構成をご提案致します。 (A)最小構成：チャンバー + 温度制御ユニット (B)上記最小構成(A) + 真空排気系（ポンプ、ゲージ、バルブ・真空配管類） ◉ 円筒状ヒーター：るつぼ内サンプル焼成（固形物、粉体、粒形、ペレット形状サンプル用） ◉ 面状ヒーター：Φ2"〜Φ4"ウエハー、小片チップ焼成用 ◆基本仕様◆ ・ヒーター：C/Cコンポジット(カーボン炉）, タングステン(メタル炉) ・断熱材：グラファイトフェルト材, タングステン/モリブデン ・温度制御：プログラム温度調節計、C熱電対 ・到達真空度：10-3 Pa台（@1800℃ *但し空炉、高真空ポンプ仕様の場合） ・電源仕様：AC200V 50/60HZ 三相 6〜10KVA ・冷却水：3L/min, 0.2Mpa 18〜20℃ ◆コントロールボックス仕様◆ ・プログラム温度調節計 ・DC電源装置 ・電流、電圧計 ◆オプション◆ ・真空排気系（真空ポンプ、真空計、バルブ類） ・特注るつぼ ・架台 他
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取り扱い会社
【Endless possibility_thermal engineering...】 当社は半導体・電子機器基礎研究用真空薄膜装置、CVD基板加熱用超高温ヒーター、実験炉、温度計測機器などを販売しております。 いつの時代でも欠かす事のできない「熱」に対する尽きぬ需要、基礎技術開発分野での様々なご要求にお応えすべく、最新の機器を紹介し、日本の研究開発に貢献してまいりたいと考えます。