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プロセス条件に合わせて、カスタムチャンバー・基板ヒーター・温度制御ユニットの最小構成でご要望仕様設計製作します。

・最高温度：1200℃（真空中、不活性ガス中） ・基板サイズ：Φ1inch〜Φ4inch基板（Silicon, Sapphire, GaAs, SIC, 他） ・真空チャンバー（カスタムメイド）：水冷式 トップローディング ・ガス導入系統：1系統 （*2系統、MFC制御など別途協議） ・真空排気：ロータリー（又はドライスクロール）ポンプ、高真空ポンプ（ターボ、又は拡散） ・真空計：ワイドレンジゲージ（大気〜10-9mbar）

CVD, PVD（蒸着, スパッタ等）均熱性・再現性に優れた高真空 超高温ウエハー加熱用 プレートヒーター

大学・官公庁研究機関で真空薄膜実験用に多数の採用実績がある信頼性高い超高温真空用 プレートヒーターです。独自の方法で高真空用に放電対策絶縁処理された端子部、超高温均一加熱が得られる様工夫された抵抗発熱式加熱ブロックを内蔵、ヒータープレート表面を短時間で高温まで加熱昇温することができます。 ◆ヒーター仕様◆ ◎ 使用発熱体 ・NiCr（SH-IN型）, W/BNコンポジット（SH-BN型） ◎ 最高使用温度 ・850℃（SH-IN型）, 1100℃SH-BN型 ◎ 対応基板サイズ ・1〜6inch（*1, 1.6inchはインコネルタイプのみ） ◎ 使用雰囲気 ・SH-IN：真空（1x10-7Torr）, 不活性ガス, 大気, O2, NH3, SiH4, CH4他 ・SH-BN：真空（1x10-7Torr）, 不活性ガス, H2, He, CH4, C（*O2不可） ◎ 基板固定用サンプルクリップ付属 ◆オプション仕様◆ ◎ 真空フランジ（JIS, ICF, ISO） ◎ 基板回転, 上下昇降機構 ◎ ヒーターコントローラ Model. BWS-PS/HC-Mini

PVD、CVDなどの薄膜実験用基板加熱ヒーター均一性・昇温特性・制御性に優れたヒーターです。RF/DCバイアス仕様も可能。

【対応基板サイズ】 ◉ Φ1inch〜Φ6inch 【熱電対】 ◉ Kタイプ、又はCタイプ 【ヒーター素線材質】 ◉ Max 1800℃：Graphite, C/Cコンポジット素線_（真空中, Ar, N2） ◉ Max 1500℃：SiCコーティング素線_（真空中, Ar, N2, O2） ◉ Max 1600℃：タングステン素線_（真空中, Ar, N2, He, H2） ◉ Max 1400℃：タンタル素線_（真空中, Ar, N2, He, H2） ◉ Max 900℃：カンタル 素線（真空中, Ar, N2, He ,O2, H2） ◉ Max 900℃：NiCr素線_（真空中, Ar, N2, He, H2, O2, 大気

基板上下昇降・回転、RF/DC基板バイアスの機能を備える超高温基板加熱ステージ Max1800℃

◉ 超高真空・不活性ガス雰囲気中・その他各種プロセスガス雰囲気に対応 ◉ ステージ上下昇降（基板又はヒーター昇降、基板・ヒータ二段昇降式） ◉ 基板回転 ◉ RF(1KW)/DC(500V)バイアス印加（逆スパッタ） ◉ 使用環境に応じたエレメントの選択： カンタル, NiCr, グラファイト, CCコンポジット, SiCコーティング ◉ 各種真空フランジ接続：ICF, ISO(KF/LF), JIS(VG/VF)フランジ ◉ K, C熱電対付属 ◉ その他オプション：温度制御ユニット, 特注基板ホルダー

最高使用温度2000℃ セミオート制御 真空・大気圧ガス置換 超高温実験炉（カーボン炉、タングステンメタル炉）実験炉

◆基本仕様◆ ・最高使用温度 Max2000℃ ・使用雰囲気：真空、大気圧ガス置換（Ar, N2, O2）、APCプロセス圧力制御 ・ヒーター：C/Cコンポジット, PGコートC/Cコンポジット(カーボン炉）, タングステン(メタル炉) ・断熱材：グラファイトフェルト材(カーボン炉）, タングステン/モリブデン,TaCコートグラファイト(メタル炉)、又はW/Mo多層シールド ・面状ヒーター加熱範囲：Φ2inch〜Φ6inch ・円筒状ヒーター加熱範囲：Φ30〜Φ80 x 深さMax100(H)mm ・7inchタッチパネル操作 ・デジタル真空計 ・MFC最大3系統自動調整（又はフロートメーター手動流量調整） ・温度制御：デジタルプログラム調節計、C熱電対 ・到達真空度：10-3Pa台（@1800℃ *但し空炉、高真空ポンプ仕様の場合） ・一次側電源仕様：AC200V 50/60HZ 三相 50A NFB ・冷却水：8L/min, 0.2Mpa 25〜30℃ ◆オプション◆ ・真空排気系：ロータリーポンプ, 高真空ポンプ, バルブ類

Φ6〜8inch超高温ウエハーアニール装置（真空・大気圧ガス置換雰囲気）多目的に幅広く対応するハイパフォーマンス機

安全性・操作性を重視した、『ウエハー焼成』専用超高温ウエハーアニール炉。 ◆主仕様◆ ・断熱材：グラファイトフェルト、タングステン、モリブデン、アルミナ、ジルコニアなど（*炉内設計により異なります） ・チャンバー開閉：トップローディング、ダンパー付手動開閉 ・到達真空度：10-3Pa台（@1800℃ *但し空炉、高真空ポンプ仕様の場合） ・使用雰囲気：真空、大気圧ガス置換（Ar, N2, O2） ・真空ポンプ：ロータリー、又はドライスクロールポンプ ・真空計：ワイドレンジ真空計 大気圧〜10-9 mbar ・熱電対：Cタイプ熱電対（設計温度条件によってはKタイプを採用） ・インターロック：過昇温、冷却水断水、チャンバー開閉、真空度 ・用力：200V, 50A（*仕様により異なります）三相 ・冷却水：2L/min, 0.2Mpa ・寸法（筐体部）：1240(W) x 590(D) x 1160(H)mm ◆オプション◆ ・るつぼ内温度測定用熱電対追加 ・高真空ポンプ（ターボ分子ポンプ） ・基板回転ステージ ・通信機能（温調計機能使用）、又はSECS/GEM通信

Max1000℃、MFC最大3系統、APC圧力制御、4"、又は6"基板対応、 高真空アニール装置（<5 × 10-7 mbar）

◉ 基板サイズ：Φ4inch、又は6inch ◉ SUS304水冷式チャンバー ◉ 到達圧力 5x10-5Pascal ◉ 最大3系統プロセスガス入力 ◉ 最大3系統マスフローコントローラ（オプション） ◉ 7"HMIタッチパネル ◉ 高精度ワイドレンジ真空ゲージ 10-9〜1000mbar ◉ USB端子付、PCデータロギング機能 ◉ ターボ分子ポンプ：EXT75DX（Edwards社） ◉ ロータリーポンプ：RV3/RV8（Edwards社）（*ドライポンプへの変更可能） ◉ Kタイプ熱電対（ヒーター制御用）付属