卓上型 高真空・超高温ウエハーアニール炉 Max1200℃
プロセス条件に合わせて、カスタムチャンバー・基板ヒーター・温度制御ユニットの最小構成でご要望仕様設計製作します。
高真空・大気圧ガス置換雰囲気での高温ウエハーアニール炉です。ご要望の基板・使用雰囲気・温度条件に合わせてカスタムメイド品を製作致します。基礎研究における様々な真空超高温基板加熱の用途に活用いただけます。ご予算に合わせて基板加熱ヒーター・チャンバー・温度制御ユニットの最小構成からご提案致します。
基本情報
・最高温度：1200℃（真空中、不活性ガス中） ・基板サイズ：Φ1inch〜Φ4inch基板（Silicon, Sapphire, GaAs, SIC, 他） ・真空チャンバー（カスタムメイド）：水冷式 トップローディング ・ガス導入系統：1系統 （*2系統、MFC制御など別途協議） ・真空排気：ロータリー（又はドライスクロール）ポンプ、高真空ポンプ（ターボ、又は拡散） ・真空計：ワイドレンジゲージ（大気〜10-9mbar）
価格帯
納期
用途／実績例
高温ウエハーアニールプロセスの実験・基礎研究用途 ・イオン注入後の活性化アニーリング ・オーミックコンタクト・電極の形成（合金化・シリサイド化） ・化合物半導体やパワー半導体の熱処理（SiCやGaNなど） ・MEMS（微小電気機械システム）やセンサーの接合・アニーリング ・薄膜の結晶化・膜質改善 他
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【Endless possibility_thermal engineering...】 当社は半導体・電子機器基礎研究用真空薄膜装置、CVD基板加熱用超高温ヒーター、実験炉、温度計測機器などを販売しております。 いつの時代でも欠かす事のできない「熱」に対する尽きぬ需要、基礎技術開発分野での様々なご要求にお応えすべく、最新の機器を紹介し、日本の研究開発に貢献してまいりたいと考えます。