【MiniLab】 蒸着/スパッタ・デュアルチャンバーシステム
2台の薄膜実験装置をロードロック機構で連結。異なる成膜装置（スパッタ、蒸着、など）をロードロックでシームレスに連結
基本情報
【装置構成事例】 *Chamber-1. MiniLab-E080A（蒸着装置） ・EB蒸着:7ccるつぼ x 6 ・抵抗加熱蒸着 x 2 ・有機蒸着限 x 2 *Chamber-2. MiniLab-S060A（スパッタリング装置） ・Φ2"マグネトロンカソード x 4源同時スパッタ DC, RF両対応 *Chamber-3. Load Lockチャンバー ・プラズマエッチングステージ ロードロック室で「RF/DC基板バイアスステージ」による基板表面のプラズマクリーニング、又、同社独自の『ソフトエッチング』技術による<30W 低出力・ダメージレスプラズマエッチングステージも搭載可能。2D（PMMA等のレジスト除去など）、グラフェン剥離、又、テフロン基板などのダメージを受けやすい繊細なエッチングプロセスも可能。（*メインチャンバーステージへも搭載可能です）
価格情報
お問い合わせください
納期
用途／実績例
電子デバイス・燃料電池・ディスプレイ等の製造工場、大学・研究機関、薬品・化学工場、食品工場、他多数
カタログ（33）
カタログをまとめてダウンロード
この製品に関するニュース（28）
-
★☆★☆【MiniLab（ミニラボ）】シリーズフレキシブル薄膜実験装置★☆★☆
MiniLab薄膜実験装置は、豊富なオプションから必要な成膜方法・材質に応じて都度最適なコンポーネント、制御モジュールを組み込むことにより、セミカスタムメイドで無駄を省いたコンパクトな装置を構築することができます。モジュラー式制御ユニットをPlug&Play 感覚で搭載することにより応用範囲が広がり、様々な薄膜プロセス実験への応用が可能になります。 【MiniLab薄膜実験装置 構成モジュール】 ◎ 製作範囲 抵抗加熱蒸着（TE）、有機蒸着（LTE）、電子ビーム蒸着（EB）、スパッタリング（SP）、CVD、ドライエッチング 【スモールフットプリント・省スペース】 ・シングルラックタイプ（026）：590(W) x 590(D)mm ・デュアルラックタイプ（060）：1200(W) x 590(D)mm ・トリプルラックタイプ（125）：1770(W) x 755(D)mm 【優れた操作性・直観的操作画面】 Windows PC、または７”タッチパネル。熟練度を問わない簡単操作、安全にも最大限配慮しております。チャンバー内部品調整、材料交換以外の全ての操作はPC/HMI画面で行います。
-
ウエハーアニール装置【ANNEAL】Max1000℃ APC自動圧力制御 MFC x3系統 Φ4〜6inch基板対応
Max1000℃、MFC最大3系統、APC圧力制御、4"〜最大6"基板対応、 高真空アニール装置（<5 × 10-7 mbar） [ANNEAL]は、ウエハー等の基板を安定したプロセス雰囲気にて高温熱処理が可能な研究開発用アニール装置です。 高真空水冷式SUSチャンバー内に設置した加熱ステージにより最高1000℃までの高温処理が可能です。チャンバー内にはヒートシールドが設置されインターロックにて安全を確保。マスフローコントローラは最大3系統まで増設が可能、精密に調整されたプロセスガス圧力での焼成作業が可能です（APC自動プロセス制御システムオプション）。 又、フロントビューポート、ドライスクロールポンプ、特殊基板ホルダー、熱電対増設、などオプションも豊富。 チャンバー内加熱ステージは、プロセスガス雰囲気・処理温度により３種類のバリエーションがあります。 ・ハロゲンランプヒーター：Max500℃ ・C/Cコンポジットヒーター：Max1000℃（真空中、不活性ガスのみ） ・SiCコーティングヒーター：Max1000℃（真空、不活性ガス、O2）
-
ホットステージ【基板加熱機構】超高温基板加熱ステージ Max1800℃_Φ2〜Φ6inch
半導体, 電子デバイス等の開発, 真空薄膜プロセス用【高温基板加熱機構】 シリコン基板, サファイア基板, 化合物基板他様々な成膜実験用に活用いただけます。 CVD, スパッタ等の真空装置用超高温Max1800℃基板加熱条件に応じたエレメント、材料の選定が可能 ◉ 超高真空・不活性ガス・O2・各種プロセスガス雰囲気に対応 ◉ 基板上下/回転機構及びRF/DCバイアス印加可能 ◉ 雰囲気に応じたエレメントの選択： NiCr, Inconel, タングステン, グラファイト, CCコンポジット, グラファイト（SiCコーティング, PBNコーティング） CCコンポジット（PGコーティング） ◉ 各種真空フランジ接続：ICF, VF ◉ 熱電対付属 ◉ その他オプション：モーターコントローラ, 温度制御ユニット, トランスボックス
-
【MiniLab-WCF 超高温ウエハーアニール炉】Max 2000℃_ウエハー高温焼成専用（6inch〜8inch）
Max2000℃ Φ6〜8inchウエハー専用高温アニール装置 小規模生産も可能なマルチ雰囲気ウエハーアニール装置 ◾️ Max2000℃ ◾️ 有効加熱範囲：Φ6〜Φ8inch 枚葉式、又はバッチ式（多段5枚カセット） ◾️ ヒーター制御：1ゾーン、又は2ゾーン（カスケード制御） ◾️ ヒーター材質： ・C/Cコンポジット：Φ6〜Φ8inch ・PGコーティング 高純度グラファイト：Φ6〜Φ8inch ◾️ 使用雰囲気： ・真空（1x10-2Pa）、不活性ガス（Ar, N2） ◾️ PLCセミオート運転 ・真空/パージサイクル、ベントの自動シーケンス制御 ・フルオート自動運転（オプション） ・タッチパネル操作、操作が分散せず一元管理が可能です。 ◾️ プロセス圧力制御 ・APCコントロール（MFC流量、又は自動開度調整バルブ PIDループ制御） ・MFC最大3系統流量自動制御、又はフロートメーター/ニードルバルブの手動調整 ◾️ PLOT画面グラフ表示、CSVデータ出力
-
□■□■【Mini-BENCH 】超高温卓上型実験炉 Max2000℃ □■□■
卓上小型サイズ実験炉・省スペース 最高使用温度2000℃ ◆装置構成◆ 予算・目的に応じてご要望の構成をご提案致します。 (A)最小構成：チャンバー + 温度制御ユニット (B)上記最小構成(A) + 真空排気系（ポンプ、ゲージ、バルブ・真空配管類） ◉ 円筒状ヒーター：るつぼ内サンプル焼成（固形物、粉体、粒形、ペレット形状サンプル用） ◉ 面状ヒーター：Φ1"〜Φ6"ウエハー、小片チップ焼成用 ◆基本仕様◆ ・ヒーター：C/Cコンポジット(カーボン炉）, タングステン(メタル炉) ・断熱材：グラファイトフェルト材, タングステン/モリブデン ・温度制御：プログラム温度調節計、C熱電対 ・到達真空度：1x10-2Pascal（*但し空炉の場合） ・電源仕様：AC200V 50/60HZ 三相 6KVA ・冷却水：3L/min, 0.4Mpa 25〜30℃ ◆コントロールボックス仕様◆ ・プログラム温度調節計 ・DC電源装置、又は外付トランスボックス ・電流、電圧計 ・ヒーター回路トリップSW ・主電源SW ◆オプション◆ ・真空排気系 ・特注るつぼ他
取り扱い会社
【Endless possibility_thermal engineering...】 当社は半導体・電子機器基礎研究用真空薄膜装置、CVD基板加熱用超高温ヒーター、実験炉、温度計測機器などを販売しております。 いつの時代でも欠かす事のできない「熱」に対する尽きぬ需要、基礎技術開発分野での様々なご要求にお応えすべく、最新の機器を紹介し、日本の研究開発に貢献してまいりたいと考えます。
