ニュース一覧
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★☆★☆【MiniLab-026】R&D開発用 小型薄膜実験装置★☆★☆
必要最小限のモジュール・コントローラをPlug&Play感覚で19"コンパクトラックに組込む事により無駄が無く、小型省スペース・シンプル操作・ハイコストパフォーマンスを実現した、フレキシブルR&D用薄膜実験装置です。 マグネトロンスパッタ(最大3源)もしくは抵抗加熱蒸着(金属源 最大2、有機材料x4)に対応します、又基板加熱ステージを設置しアニール装置、RFエッチングも製作可能。 グローブボックス収納タイプもございます(*要仕様協議)。 フレキシブルにカスタマイズが可能な豊富なオプション部品を揃えております。 ◉ Φ2inchマグネトロンカソード(最大3源) ◉ 抵抗加熱蒸着源フィラメント、ルツボ、ボート式(最大4極 コントローラで自動切替) ◉ 有機蒸着セル:1cc or 5cc ◉ グローブボックス搭載可能(オプション 要仕様協議) ◉ その他オプション: 同時成膜、HiPIMS、自動成膜コントローラ、特注基板ホルダ、ロードロック、基板回転/加熱・冷却などオプション豊富。 ※ まずはご要求の仕様をご連絡下さい、ご要望に合わせシステム構成致します。
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★【MiniLab-060】フレキシブル薄膜実験装置★ テルモセラ・ジャパン
コンパクト/省スペース、ハイスペック 60ℓ容積 蒸着・スパッタ・EB・アニールなどの薄膜モジュールを組込みことができる、様々な用途に対応可能なマルチ薄膜実験装置 コンパクト/省スペース、ハイスペック薄膜実験装置 下記蒸着源から組合せが可能 ・抵抗加熱蒸着源 x 最大4 ・有機蒸着源 x 最大4 ・電子ビーム蒸着 ・2inchマグネトロンスパッタリングカソード x 4 ・プラズマエッチング:メインチャンバー、ロードロックチャンバーのいずれでも設置可能 【スモールフットプリント・省スペース】 ・デュアルラックタイプ(MiniLab-060):1200(W) x 590(D)mm 【優れた操作性・直観的操作画面】 Windows PC、または7”タッチパネル。熟練度を問わない簡単操作、且つ安全に最大限配慮しております。
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◆◆◆ 【Nanofurnace】Model. BWS-NANO 熱CVD装置 ◆◆◆
多目的に使える、高精度プロセスコントロール【ホットウオール式熱CVD装置】 ◉ グラフェン, カーボンナノチューブ ◉ ZnOナノワイヤ ◉ SiO2等の絶縁膜など その他, ホットウオール式熱CVD装置として幅広いアプリケーションに活用いただけます。
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■□■ R&D用小型縦型炉 TVF-110 ■□■
ローコスト 必要最小構成(手動制御)管状炉・拡散炉・熱CVDとして応用可能 小片試料〜3inch waferまでの小基板用 サセプタ手動昇降式縦型実験炉 大学・企業研究室での基礎実験用に最適な基礎実験用ローコスト版縦型炉 【用途】 ◉ 半導体・太陽電池・燃料電池・電子基板等の熱処理 ◉ 基礎実験:縦型管状炉・酸化拡散炉・LPCVD等の簡易熱処理実験 【主な仕様】 ・炉内温度Max1200℃, 試料最大温度Max950℃ ・小片試料:数ミリサイズ〜3inchウエハーサイズまで対応 ・基板枚数:1〜3枚程度 ・石英サセプタ手動昇降式:停止位置目盛、クランパ付き ・炉芯管:Φ100 x Φ95 x 470L mm ・昇降:手動回転ハンドル ・温度調節:PIDプログラム温度調節計 ・熱電対:2対式K熱電対x1(制御用、過昇温用)、Kタイプ素線(炉芯測温用)
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☆★☆スパッタ・蒸着ソース複合型成膜装置【nanoPVD-ST15A】☆★☆
スパッタカソード・蒸着ソース混在型薄膜実験装置 コンパクトフレームに金属蒸着・有機蒸着・スパッタカソードを設置 抵抗加熱蒸着源(金属蒸着)、有機蒸着源(有機材料)、マグネトロンスパッタ(金属・絶縁材)、3種類の成膜コンポーネントをチャンバー内に設置、様々な薄膜実験装置に1チャンバーで対応が可能です。 ◉組み合わせは3種類 1. スパッタカソード + 抵抗加熱蒸着源x2 2. スパッタカソード + 有機蒸着源x2 3. スパッタカソード + 抵抗加熱源x1 + 有機蒸着源x1(*DCスパッタのみ) 【仕様】 ◉ 対応基板:〜Φ4inch ◉ スパッタリング:2"カソード x 最大3源 ◉ 真空蒸着:抵抗加熱蒸着(最大2)、有機蒸着(最大4) ◉ 7"タッチパネル操作 PLC自動プロセスコントロール ◉ APC自動圧力制御 ◉ Arガス1系統(標準) + N2, O2 増設可能 ◉ USB端子付 Windows PCに接続し、レシピ作成・保存。PCでデータロギング ◉ 他、多彩なオプションを用意 ◉ 7"タッチパネル簡単操作 PLC自動プロセスコントロール
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【Lab6放電プラズマ生成 熱電子銃用ヒーター】
真空用 超高温円筒状ヒーターユニット 最高温度1800℃(グラファイト、C/Cコンポジット) ご要望の仕様にて都度製作致します。 さまざまな用途に応用できる高真空中での円筒状加熱ユニットです。 円筒状加熱範囲内に、試料を入れた坩堝の加熱、金属・セラミック・ワイヤー状サンプルの加熱、など目的に応じてカスタムメイド致します。 ◎ 使用可能環境:真空中, 不活性ガス中 etc.. ◎ 発熱体:Graphite, C/Cコンポジットヒーター、SiCコーティング、PGコーティング、タングステン、タンタル、など。 ◎ 製作範囲:ヒーター部(Φ150 x 100mm程度まで)導入フランジ、温度制御ユニット ◎ 用途:各種真空装置プロセスチャンバー内での試料加熱、放電プラズマ生成ユニット熱電子銃(Lab6)用、ガス供給系統配管急速加熱(液体急速気化) その他ご要望に応じ、特注仕様製作致します。詳細は当社までお問い合わせ下さい。
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蒸着/スパッタ・デュアルチャンバーシステム【MiniLab-E080A/S060A】
2台の薄膜実験装置をロードロック機構で連結。異なる成膜装置(スパッタ - 蒸着、など)をロードロックでシームレスに連結。Moorfield社独自のロードロックシステムにより、左右・後方へのプロセス室への連結も可能(写真下)。 1. MiniLab-E080A(蒸着装置) ・EB蒸着:7ccるつぼ x 6 ・抵抗加熱蒸着 x 2 ・有機蒸着限 x 2 2. MiniLab-S060A(スパッタリング装置) ・Φ2"マグネトロンカソード x 4源同時スパッタ ・DC, RF両電源対応 3. Load Lockチャンバー ・プラズマエッチングステージ ロードロック室では「RF/DC基板バイアスステージ」による基板表面のプラズマクリーニング、又、同社独自の『ソフトエッチング』技術による<30W 低出力・ダメージレスプラズマエッチングステージも搭載可能。2D(PMMA等のレジスト除去など)、グラフェン剥離、又、テフロン基板などのダメージを受けやすい繊細なエッチングプロセスも可能。(*メインチャンバーステージへも搭載可能です)
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◇◆◇ nanoPVD-S10A マグネトロンスパッタリング装置 ◇◆◇
研究開発用のRF/DCマグネトロン式スパッタリング装置です。 高性能・多機能にも関わらず、実験室の限られたスペースにもフィットするコンパクトサイズ、7inch前面タッチパネルによる簡単操作。 ● 到達圧力 5x10-5Pa(*1x10-4Paまで最速30分!) ● 膜均一性 ±3% ● 多彩なオプション:上下・回転、ヒータ、磁性材用カソード、他 ● 3源カソード + MFCx3系統、RF/DC電源追加し、多層膜・同時成膜など多目的に活用頂けます。 ・絶縁膜 ・導電性膜 ・化合物、他 【主な特徴】 ◉ 対応基板:2"(〜3源)、又は"(1源) ◉ 2"カソード x 最大3源 ◉ タッチパネル簡単操作 PLC自動プログラム制御 ◉ MFC高精度APC自動プロセス圧力コントロール ◉ MFC 最大3系統 ◉ USB端子付 Windows PC接続、最大1000layer, 50filmのレシピを作成・保存。PCでライブデータロギング。 ◉ 真空系:TMP + RP(*ドライポンプオプション) ◉ 基板回転・上下昇降・加熱(Max500℃) ◉ 水晶振動膜厚モニタ/コントローラ
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高温アニール炉 ◉Mini-BENCH-prism セミオート式 超高温実験炉 Max2000℃
◉最高使用温度 Max2000℃ ◉PLCセミオートコントロール 卓上型Mini-BENCHのセミオート制御式上位機種 「真空/パージサイクル」「ガス置換」「ベント」の各工程を自動制御 最高使用温度2000℃ セミオート制御 超高温実験炉(カーボン炉、タングステンメタル炉) 小型・省スペース実験炉 ◉有効加熱範囲(るつぼ寸法) ・面状ヒーター加熱範囲:Φ2inch〜Φ6inch ・円筒状ヒーター加熱範囲:Φ30〜Φ80 x 深さMax100(H)mm ◉MFC最大3系統 自動流量制御(又は手動調整) ◉APC自動圧力コントロール ◉作業中の安全を確保 冷却水異常・チャンバー温度異常・過圧異常を監視SUS製 堅牢な水冷チャンバー、最高温度で連続使用中でも安全にご使用いただけます。 ◉小型・省スペース 幅603 x 奥行603 x 高さ1,160mm(*ロータリーポンプ筐体内設置) 実験室での小片試料の超高温加熱実験、新素材研究開発などのさまざまな試料加熱実験が、簡単な操作で行えます。 本体は小型でありながらよりさまざまな分野の研究開発にお使いいただけます。
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ウエハーアニール炉【MiniLab-WCF】Max2000℃_超高温ウエハーアニール専用(4inch〜8inch)
Max2000℃ Φ6〜8inchウエハー専用高温アニール装置 小規模生産も可能なマルチ雰囲気ウエハーアニール装置 ◾️ Max2000℃ ◾️ 有効加熱範囲:Φ6〜Φ8inch 枚葉式、又はバッチ式(多段5枚カセット) ◾️ ヒーター制御:1ゾーン、又は2ゾーン(カスケード制御) ◾️ ヒーター材質: ・C/Cコンポジット:Φ6〜Φ8inch ・PGコーティング 高純度グラファイト:Φ6〜Φ8inch ◾️ 使用雰囲気: ・真空(1x10-2Pa)、不活性ガス(Ar, N2) ◾️ PLCセミオート運転 ・真空/パージサイクル、ベントの自動シーケンス制御 ・フルオート自動運転(オプション) ・タッチパネル操作、操作が分散せず一元管理が可能です。 ◾️ プロセス圧力制御 ・APCコントロール(MFC流量、又は自動開度調整バルブ PIDループ制御) ・MFC最大3系統流量自動制御、又はフロートメーター/ニードルバルブの手動調整 ◾️ PLOT画面グラフ表示、CSVデータ出力