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リモートソース型イオンビームスパッタ装置　リモートプラズマソースの開発メーカー

高密度イオンソースの開発製造 ターゲットバイアス印加によるスパッタ装置の開発製造

ヘリコンプラズマソースをイオン源として、ターゲット、基盤へのバイアス印加で高品位かつフレキシブルな成膜をする装置です

独自技術HiTUSテクノロジー ヘリコンイオンソースをプラズマ源とし、そこから得られた高密度なイオンをターゲットへのバイアス電圧印加によって加速させる画期的なテクノロジーです。 リモートプラズマ方式によるイオンビーム型の成膜法であるため、マグネトロンスパッタ装置が不得意とする強磁性体ターゲットや誘電体ターゲットも安定した製膜を実現します。 イオン源とターゲット印加を個別に制御することにより、幅広い成膜条件への対応が可能となるだけでなく、高レートでの成膜も両立させます。 ２インチから８インチ径までのターゲットを多連装し、切り替えながらの多層膜の成膜はもちろん、複数のターゲットへの同時印加でCo-スパッタ成膜も容易に行えます。 ターゲット付近、基盤付近に独立したガス供給も行えるため、酸化膜・窒化膜をはじめとした様々な多層光学薄膜も成膜可能です。 基盤表面がプラズマに晒されないため、基盤表面を低温に保っての成膜が可能となります。

誘電体、強磁性体成膜を高レートかつ高品位に高速成膜

リモートプラズマイオンソース採用 グリッドレスソースとターゲットバイアスを組み合わせた画期的スパッタ法 ▸高い直進性による異方性成膜の実現 ▸リモートプラズマによる低温成膜の実現 ▸グリッドレス構造によるメンテナンスコスト低減の実現 ▸ターゲット利用効率の向上によるランニングコスト削減を実現