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リモートプラズマ・イオンビームスパッタリング装置 

リアクティブスパッタ、合金スパッタを自在にコントロールしての成膜を実現します

イオン源、ターゲット、基盤それぞれに対して独立した電流制御を行います。 独立した制御により、スパッタレートは勿論、酸化膜・窒化膜などの様々な反応性スパッタも自在にコントロールが可能になります。 これまでのスパッタ装置で成膜が難しいとされる強磁性体成膜、金属ターゲットとセラミックターゲットなどのCo-スパッタ、メタルターゲットからの誘電体・絶縁体成膜など、先端材料研究やプロセス構築研究を強力にサポートする装置です。 イオン供給量とスパッタレートの独立コントロール  →スパッタレート、膜質、結晶構造の制御  →ターゲット材のイオン化率の制御 直進性の高い成膜  →イオンビームスパッタの特徴である直進性の高い成膜 多連装ターゲット機構  →幅広い多層膜成膜 複数ターゲットの独立制御  →各ターゲットのスパッタレートを制御してのCo-スパッタ合金成膜  →ターゲットを切り替えての多層成膜 基盤へのバイアス印加制御によるコンフォーマル成膜  →ディープトレンチ、回り込みなどの悪条件下でもコンフォーマルな成膜

基本情報

独自技術HiTUSテクノロジー ヘリコンイオンソースをプラズマ源とし、そこから得られた高密度なイオンをターゲットへのバイアス電圧印加のみでグリッドレス加速させる画期的なテクノロジーです。 リモートプラズマ方式によるイオンビーム型の成膜法であるため、マグネトロンスパッタ装置が不得意とする強磁性体成膜や誘電体反応膜においても安定した製膜を実現します。 イオン密度とターゲット印加を個別に制御することにより、幅広い成膜条件への対応が可能となるだけでなく、高レートでの成膜も両立させます。 イオン供給量とスパッタレートのコントロールでイオン化したターゲット材を基板まで届かせ、基盤面での成膜時に反応させ るリアクティブ制御も容易です。 2インチから8インチ径までのターゲットを多連装し、切り替えながらの多層膜の成膜はもちろん、複数のターゲットへの同時印加でCo-スパッタ成膜も容易に行えます。 ターゲット付近、基盤付近に独立したガス供給も行えるため、酸化膜・窒化膜をはじめとした様々な多反応多層膜も再現良く成膜可能です。 基盤表面がプラズマに晒されないため、基盤表面を低温に保っての成膜が可能となります。

価格帯

納期

型番・ブランド名

HiTUS 薄膜成膜システム

用途/実績例

各種成膜試験研究用途に 新たな素材探索用途に ・太陽光発電 ・光学薄膜 ・電池・電池材料 ・ウエアラブルディスプレイ ・大容量記憶装置 ・MEMS ・各種センサー ・磁気ヘッド ・薄膜ヘッド ・サーマルヘッド ・スピントロニクス素材 ・ホイスラー合金 ・ScAlNなどの合金反応膜

詳細情報

関連動画

ラインアップ(2)

型番 概要
S500 Thin Film Sputter Deposition Systems 研究用 リモートイオンビームスパッタ装置
受託テスト成膜サービス 高品位反応膜などの試験成膜

リモートプラズマ 成膜装置 HiTUSシステム

技術資料・事例集

リモートプラズマ イオンビームスパッタ「PlasmaQuest HiTUS」

製品カタログ

この製品に関するニュース(6)

取り扱い会社

半導体・電子デバイス・光学薄膜製造装置のことなら当社へ 当社は、2016年3月に真空プロセスに関連する世界の先進技術を有する 海外メーカー数社の代理店業務ならびにこれら装置に係わる保守業務を 提供する目的で設立致しました。 当社の取扱製品・装置は、スパッタリング、高密度プラズマソースおよびパルス電源、 イオンビームエッチング・ミリング、イオンビームスパッタリング、 中性クラスターイオンビームプロセス装置、有機材料昇華精製並びに成膜装置、 液体用各種フィルター、洗浄用ブラシなど多岐にわたっています。

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