受託成膜サービス（高品位反応膜などの試験成膜）
新たな素材探索や成膜プロセスの構築をサポートいたします
基本情報
ー ご研究過程でのアイデアを実現するテクノロジー ー イオン供給量とスパッタレートの独立コントロール →スパッタレート、膜質、結晶構造の制御 →ターゲット材のイオン化率の制御 直進性の高い成膜 →イオンビームスパッタの特徴である直進性の高い成膜 多連装ターゲット機構 →幅広い多層膜成膜 複数ターゲットの独立制御 →各ターゲットのスパッタレートを制御してのCo-スパッタ合金成膜 →ターゲットを切り替えての多層成膜 基盤へのバイアス印加制御によるコンフォーマル成膜 →ディープトレンチ、回り込みなどの悪条件下でもコンフォーマルな成膜 --- リアクティブ成膜時の 広大なプロセスウインドウ --- --- 低温成膜とストレスコントロール---
価格帯
納期
型番・ブランド名
リモートプラズマ・イオンビームスパッタリング装置での高品位試験成膜
用途／実績例
各種成膜試験研究用途に 新たな素材探索用途に ・太陽光発電 ・光学薄膜 ・電池・電池材料 ・ウエアラブルディスプレイ ・大容量記憶装置 ・MEMS ・各種センサー ・磁気ヘッド ・薄膜ヘッド ・サーマルヘッド ・スピントロニクス素材 ・ホイスラー合金 ・AlScN
詳細情報
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--- リアクティブ成膜時の 広大なプロセスウインドウ --- ヘリコンプラズマソースから供給される高密度なイオンにより、スパッタアウトされたターゲット材がイオン化されます。 イオン化されたターゲット材がそのまま基板まで届くため、基盤上での成膜時にピンポイントで反応させることが可能です。 従前のスパッタ制御では実現できなかった、幅広いプロセスウインドウにより、再現性の高い反応膜の成膜を実現します。
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--- 低温成膜とストレスコントロール--- イオン源とスパッタポイントが独立しているため、基盤面はプラズマ照射の熱影響を受けません。 また、スパッタレートのコントロールにより、成膜時のストレスコントロールも自在に行えます。
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--- ヘリコンイオンソースによる高密度なイオン --- 10^13 cm-3にも達する高密度なイオンが、高レートでのスパッタを実現します。グリッドを持たない構造のため、洗浄のメンテナンスが不要となります。
関連動画
カタログ（2）
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この製品に関するニュース（2）
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PlasmaQuest社製 リモートプラズマ イオンビームスパッタリング装置 ページ更新いたしました
ご紹介開始より、各社様からご好評を頂いております、PlasmaQuest社製 リモートプラズマ イオンビームスパッタリング装置のページを更新いたしました。 特に、多くのお客様からのお問い合わせを頂いております「反応性スパッタの制御能力」について記載をいたしております。 ご質問、ご要望等ございましたらお気軽にお問い合わせください。
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受託テスト成膜サービス（高品位反応膜などの試験成膜）のご案内
これまでのスパッタ装置で成膜が難しいとされる強磁性体ターゲットや、金属ターゲットとセラミックターゲットなどの異物質Co-スパッタ研究。 次世代のMEMS用途として注目されるAlScN成膜など、先端材料研究やプロセス構築研究を強力にサポートいたします。 ヘリコンイオンソースをプラズマ源とし、そこから得られた高密度なイオンをターゲットへのバイアス電圧印加によって加速させる画期的なテクノロジーです。 リモートプラズマ方式によるイオンビーム型の成膜法であるため、マグネトロンスパッタ装置が不得意とする強磁性体ターゲットや誘電体ターゲットも安定した製膜を実現します。 イオン源とターゲット印加を個別に制御することにより、幅広い成膜条件への対応が可能となるだけでなく、高レートでの成膜も両立させます。 ターゲット付近、基盤付近に独立したガス供給も行えるため、酸化膜・窒化膜をはじめとした様々な多層薄膜も成膜可能です。 基盤表面がプラズマに晒されないため、基盤表面を低温に保っての成膜が可能となります。
取り扱い会社
半導体・電子デバイス・光学薄膜製造装置のことなら当社へ 当社は、2016年3月に真空プロセスに関連する世界の先進技術を有する 海外メーカー数社の代理店業務ならびにこれら装置に係わる保守業務を 提供する目的で設立致しました。 当社の取扱製品・装置は、スパッタリング、高密度プラズマソースおよびパルス電源、 イオンビームエッチング・ミリング、イオンビームスパッタリング、 中性クラスターイオンビームプロセス装置、有機材料昇華精製並びに成膜装置、 液体用各種フィルター、洗浄用ブラシなど多岐にわたっています。
