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ヘリコンプラズマソースをイオン源とし、そこから得られた高密度なイオンをターゲットへのバイアス電圧印加によって加速させる画期的な方法により、高レートかつ直進性の高い成膜を実現します。 イオン源、ターゲット、基盤それぞれに対して独立した電流制御により、スパッタレートは勿論、酸化膜・窒化膜などの様々な反応性スパッタも自在にコントロールが可能になります。 従前の装置で成膜が難しい強磁性体、メタルターゲットからの誘電体・絶縁体成膜などの成膜を高レートで実現します。 ＜特長＞ ■高速・高効率イオンビームスパッタリング 　誘電体・強磁性ターゲットへの最適解 ■ヘリコンプラズマイオンソースとターゲット印加 　高速スパッタリングと低コンタミの両立 　ターゲット利用効率の向上によるランニングコスト削減 　グリッドレス構造によるメンテナンス低減 　リモートプラズマ構成による、基盤を低温に保ってのスパッタリング ■枚葉処理 　ステップカバレージの向上 　クラスターツールによる複合成膜 ■優れた直進性 　直進性の高いイオンビームにより、均一な膜厚での成膜が可能。 ステップカバレッジの優れた成膜

ヘリコンイオンソースをプラズマ源とし、そこから得られた高密度なイオンをターゲットへのバイアス電圧印加のみでグリッドレス加速させる画期的なテクノロジーです。 リモートプラズマ方式によるイオンビーム型の成膜法であるため、マグネトロンスパッタ装置では低レートとなる強磁性体成膜や誘電体反応膜においても安定・高速での製膜を実現します。 イオン密度とターゲット印加を個別に制御することにより、幅広い成膜条件への対応が可能となるだけでなく、高レートでの成膜も両立させます。 イオン供給量とスパッタレートのコントロールでイオン化したターゲット材を基板まで届かせ、基盤面での成膜時に反応させるリアクティブ制御も容易に実現します。反応用の追加イオンソースの搭載を必要とせずに、酸化膜・窒化膜をはじめとした様々な反応膜を高品位かつ安定して生産できます。 従前のマグネトロンスパッタでは成膜レートが低くなるAl2O3、SiO2などの誘電体、 Feなどの強磁性体をはじめとする反応膜や最新素材でのリアクティブ成膜に最適解となる生産用装置です。

AVP Technology HR-PVD　　ターゲット・バイアス型イオンビーム スパッタリング装置　

高レートリアクティブ成膜、誘電体・強磁性体成膜用途 高い再現性と経時変化のない成膜で安定生産を支えます ・太陽光発電 ・光学薄膜 ・電池・電池材料 ・ウエアラブルディスプレイ ・大容量記憶装置 ・MEMS ・各種センサー ・磁気ヘッド ・薄膜ヘッド ・磁気ディスク ・サーマルヘッド ・スピントロニクス素材 ・ホイスラー合金 ・ScAlNなどの合金反応膜 ・EUVマスクブランクス ・有機半導体 ・樹脂基板成膜