量子コンピューターは、今後10年以内に、今日の暗号化アルゴリズムの多くを 破るほど強力になり、さまざまなシステムを危険にさらすと予測されています。 したがって、電子パスポート(ePassport)、IoTデバイス、セキュアエレメント などの長寿命製品には、今日すでに耐量子暗号(PQC)対応のハードウェアが 必要とされています。 これに対処するため、インフィニオンテクノロジーズは現在、PQCアルゴリズム ML-KEMおよびML-DSAを採用し、コモンクライテリア認定を受けた暗号化ライブラリ を搭載したSLC27セキュリティコントローラーを提供します。 TEGRIONセキュリティコントローラーファミリーの1つとして、Integrity Guard 32セキュリティアーキテクチャをベースとしたSLC27は、多くの アプリケーションに対して、標準化されたPQCの実装をサポートし、 OEMが耐量子セキュリティを設計に統合できるようにします。

インフィニオン テクノロジーズは、NVIDIAがComputex 2025で発表した AIインフラストラクチャ向け800V直流(VDC)電力アーキテクチャをサポートします。 AIの急激な成長は、現行の54Vデータセンター電力インフラストラクチャの容量を 急速に上回りつつあります。集中型の800VDCアーキテクチャへの移行により、 電力損失の低減、効率性および信頼性の向上が可能となります。 ただし、この新アーキテクチャには、例えば保守やメンテナンスに起因する、 潜在的な危険性や高コストなサーバーダウンタイムを防止するための、 新たな電力変換ソリューションと安全機構が必要となります。

インフィニオン テクノロジーズは本日、48VスマートeFuseファミリーと、 AIデータセンターの400V/800V電源アーキテクチャ向けホットスワップ コントローラーのリファレンスボードを発表しました。 開発者はこれにより、エネルギーフローを保護および監視するための 信頼性が高く、堅牢でスケーラブルなソリューションを設計できるように なります。

インフィニオンテクノロジーズは、トップサイド冷却(上面放熱、TSC) Q-DPAKパッケージのCoolSiC MOSFET 1200V G2を発表しました。 この新デバイスは最適化された熱性能、システム効率、電力密度を提供します。 これは、EV充電器、太陽光発電インバーター、無停電電源装置(UPS)、 モータードライブ、ソリッドステートサーキットブレーカー(SSCB)など、 高い性能と信頼性に対する要求の厳しい産業用アプリケーション向けに 設計されています。

インフィニオン テクノロジーズ(FSE：IFX/OTCQX：IFNNY)は、 AURIX TC4xマイクロコントローラー(MCU)ファミリー専用に 設計された包括的なソフトウェアポートフォリオを発表しました。 これにより、AUTOSARのMCALおよび安全ソフトウェア向け量産対応 ASIL-Dドライバーを備えた自動車の安全性に関するアプリケーションを 実現できます。 ソフトウェアの分割(パーティショニング)とシステムレベルの 安全論証に費やす労力を軽減し、仮想ECUを簡素化することによって、 市場投入までの時間を短縮します。

世界中で自動車の電動化が進むにつれ、乗用車だけでなく電動二輪車に おいても、効率および信頼性の高い小型電力システムに対する需要が 高まり続けています。これらの車両は、xEV向けHVLV DC/DCコンバーターや、 電動二輪車向けトラクションインバーターなどの特殊なシステムを 必要とします。 これらのシステムは、高い品質基準を満たすだけでなく、技術、商業、 製造上の大きな課題も解決しなければなりません。これらの要求に 応えるため、インフィニオン テクノロジーズ(FSE：IFX/OTCQX：IFNNY)は、 車載用150V MOSFETファミリーを導入してOptiMOS 6のポートフォリオを 拡張しました。

大量の電力を消費するアプリケーションがさまざまな業界において急速に 増加していることにより、電力密度、効率、信頼性の面で前例のない要求が パワーエレクトロニクスに課されています。 この状況で極めて重要な役割を果たすのが、ディスクリートパワーMOSFETです。 アプリケーション向けに最適化するアプローチにより、すでに高度なMOSFET テクノロジーをさらに改善する新たな可能性が開かれます。 インフィニオンテクノロジーズは、このユースケース中心のアプローチを 活用して、産業および民生市場向けにOptiMOS 7 パワーMOSFETファミリー を発売し、既存の車載用OptiMOS 7ポートフォリオを拡張します。

インフィニオンテクノロジーズは、AIデータセンターおよびサーバー アプリケーション専用に設計された高性能なパワーサプライユニット(PSU)の 12kWリファレンスデザインを発表しました。 このリファレンスデザインは高い効率と高電力密度をもたらし、シリコン(Si)、 炭化ケイ素(SiC)、窒化ガリウム(GaN)など、関連するすべての半導体材料を 利用しています。 これは、研究開発エンジニア、ハードウェア設計者、パワーエレクトロニクス システム開発者を対象とするものです。

インフィニオンテクノロジーズとローム株式会社は、SiCパワーデバイスの パッケージに関する協力体制構築についての覚書を締結しました。 これは、車載充電器、太陽光発電、エネルギー貯蔵システム、AIデータセンター などで採用されるSiCパワーデバイスのパッケージにおいて、両社が相互に供給する セカンドソース体制の構築を目指すものです。 将来的には、ロームとインフィニオンの両社から互換性のある製品の調達が可能と なるため、ユーザーニーズに応じて、製品を併用するほか、切替も容易になります。 今回の協業により、ユーザーの設計や調達における利便性向上に貢献します。

インフィニオン テクノロジーズ(FSE：IFX/OTCQX：IFNNY)は、新しい PSOC Control C3 Performance Lineファミリーのマイクロコントローラー (MCU)が、Commercial National Security Algorithm(CNSA)Suite2.0で 概要が規定されたファームウェア保護のための耐量子計算機暗号(PQC)要件に 適合することを発表しました。 このMCUは、PSA(Platform Security Architecture)のレベル3にも 適合しています。

インフィニオン テクノロジーズは、NVIDIAのテクノロジーを活用して ヒューマノイドロボット(ヒト型ロボット)の開発を加速しています。 この統合は、インフィニオンのマイクロコントローラー、センサー、 スマートアクチュエーターの専門知識と、先進のNVIDIA Jetson Thor Series モジュールを組み合わせることで、オリジナル機器メーカー(OEM)と オリジナルデザインメーカー(ODM)が、ヒューマノイドロボット向けにより 効率的かつ強力でスケーラブルなモーター制御ソリューションを 生み出すことを可能にします。 ヒト型ロボットは、製造、物流、ヘルスケアなど、精密な動作のために、効率的で 信頼性の高いソリューションが求められる様々な重要な分野でますます活用されています。

インフィニオンテクノロジーズは、2025会計年度第3四半期(至2025年6月30日) の業績を発表しました。 インフィニオンの最高経営責任者(CEO)は「インフィニオンは、かなり不安定な 環境下でも第3四半期に再び堅調な業績を達成しました。当社のターゲット市場に おける在庫調整は大きく進展しました。当社は、パワー半導体、アナログ＆2センサー、 さらにはコントロール＆コネクティビティを網羅するポートフォリオを通じて、 各市場の開拓で役割を果たせる理想的なポジションにいます」と述べています。

インフィニオンテクノロジーズは、磁気位置センサーの専門知識を活用し、 TLE493D-W3B6-Bx、TLE493D-P3B6、TLE493D-P3I8の3つの製品シリーズで 構成される第3世代のXENSIV 3D磁気ホール効果センサーファミリーを 発売しました。 ISO 26262に準拠して開発されたこのセンサーファミリーは、ASIL-Bまでの 機能安全アプリケーションに対応する診断機能を統合しています。 これらのデバイスは高い柔軟性を備えているため、長ストロークのリニア 位置測定、角度位置測定、自動車制御、ペダルやバルブの位置検出など、 幅広い車載、産業、民生用アプリケーションに適しています。 車載アプリケーションでは、3次元測定機能と高温耐性を利用して車内や ボンネット下の制御を可能にします。

窒化ガリウム(GaN)半導体の需要が拡大し続ける中、インフィニオンテクノロジーズ はこの潮流をとらえ、GaN市場における垂直統合型デバイスメーカー(IDM)としての 地位を盤石なものにするための態勢を整えています。 当社は、300mmウエハーでのスケーラブルなGaN製造が順調に進んでいることを 発表しました。 また、シリコン(Si)、炭化ケイ素(SiC)、GaNという3つの半導体材料すべての 利用に習熟しています。 GaN半導体は、電力密度の向上、スイッチングの高速化、電力損失の低減によって、 スマートフォンの充電器、産業用ロボットやヒューマノイドロボット、太陽光 インバーターのような電子機器の設計の小型化、電力消費と発熱の低減を実現します。

インフィニオン テクノロジーズは、株式会社シーアイエスの新しいUSB 5Gbit/s および10Gbit/sカメラ向けにEZ-USB FX5およびFX10コントローラーを供給します。 これらのデバイスは、広く採用されているUSBペリフェラルコントローラーである EZ-USB FX3に、高速USB 10Gbit/sおよびLVDSインターフェースのサポートを追加 したものです。 この進歩によって、総データ帯域幅が前世代より最大275％増加し、データ転送の 大幅な高速化とシステム性能の改善が可能になりました。

インフィニオンテクノロジーズ(FSE：IFX/OTCQX：IFNNY)は、PSOC 4 HVMS 製品ファミリーを発表して、PSOC 4 HV マイクロコントローラー(MCU) プラットフォームを拡張します。 この新しいファミリーは、高電圧機能と高度なアナログセンシング機能を 標準マイクロコントローラーに統合することにより、最小限の外部コンポーネント によって自動車のバッテリーと車両ネットワークに接続する、スペースに 制約があるセンシング用途やアクチュエータ用途に最適化されています。 このリリースは、独インフィニオンテクノロジーズ社が6月12日付けで発表した 資料の日本語訳です。原文(英語版、ドイツ語版)は、インフィニオンの ドイツ本社のホームページに掲載しております。

インフィニオンテクノロジーズ(FSE：IFX/OTCQX：IFNNY)は、新たなソリッド ステート電力供給システムを実現するために、新しいCoolSiCJFET製品 ファミリーを追加して炭化ケイ素(SiC)ポートフォリオを拡張します。 CoolSiCJFETは、堅牢な短絡機能、線形モードでの熱安定性、正確な過電圧制御 機能により、ソリッドステート サーキット ブレーカー(SSCB)、AIデータセンター ホットスワップ、eFuse、モーター ソフトスターター、産業用安全リレー、車載用 バッテリー切断スイッチなど、幅広い産業および車載用途で信頼性が高く効率的な システム性能を発揮します。 このリリースは、独インフィニオン テクノロジーズ社が5月5日付けで 発表した資料の日本語訳です。原文(英語版、ドイツ語版)は、 インフィニオンのドイツ本社のホームページに掲載しております。

インフィニオン テクノロジーズ (FSE： IFX / OTCQX： IFNNY) は、 双方向の電圧と電流をアクティブにブロックできる窒化ガリウム(GaN) スイッチである、CoolGaN双方向スイッチ(BDS)650 VG5を発表しました。 ダブルゲート構造を持つ共通ドレイン設計のこの製品は、インフィニオンの 堅牢なゲート注入トランジスタ(GIT)技術を利用し、インフィニオンの CoolGaN技術によって実現されるモノリシック双方向スイッチを提供します。 このデバイスは、コンバーターにおいて一般的に使用される従来の バックツーバック構成の極めて効率的な代替品として機能します。 このリリースは、独インフィニオン テクノロジーズ社が5月12日付けで 発表した資料の日本語訳です。原文(英語版、ドイツ語版)は、 インフィニオンのドイツ本社のホームページに掲載しております。

インフィニオン テクノロジーズ(FSE：IFX/OTCQX：IFNNY)は、マルチセンス 機能を搭載したArm Cortex-M0＋マイクロコントローラー(MCU)である PSOC 4100T Plusを発表しました。 この新しいMCUは、128Kフラッシュ、32K SRAMのほか、CAPSENSE、 誘導センシング、液面レベルセンシングといったインフィニオンの 高性能マルチセンステクノロジーを搭載して、アナログ機能と デジタル機能を豊富に組み合わせています。 PSOC 4100T Plusは信頼性も向上し、さまざまな機能強化と高度な センシング機能によってシステム制御およびヒューマンマシン インターフェース(HMI)アプリケーション向けの完全なソリューションを 形成します。

インフィニオン テクノロジーズ(FSE：IFX/OTCQX：IFNNY)は、炭化ケイ素 (SiC)パワーデバイスとSiC MOSFET向けのトレンチテクノロジーを導入し、 優れた性能を高い堅牢性を実現してきました。 現在では、CoolSiC製品は400V～3.3kVの範囲にわたり、自動車のドライブ トレイン、EV充電、太陽光エネルギーシステム、エネルギー貯蔵、高出力 トラクションインバーターなどの幅広い用途をカバーしています。 SiC事業開発における確固たる実績を基にして、また、シリコンでの 電荷補償デバイス(CoolMOS)のイノベーターとしての地位を活かし、 インフィニオンは現在、トレンチベースのSiCスーパージャンクション(TSJ) 技術の構想を導入しています。

インフィニオンテクノロジーズ(FSE：IFX/OTCQX：IFNNY)は、 リヴィアン(Rivian)のR2プラットフォームにトラクションインバーター用 パワーモジュールを供給します。 インフィニオンのHybridPACK Drive G2ファミリーの炭化ケイ素(SiC)および シリコン(Si)のモジュールが使用され、2026年の供給開始を予定しています。 インフィニオンは、AURIX TC3x マイクロコントローラーや電源管理IC などの製品も供給します。

インフィニオン テクノロジーズは、その野心的な温室効果ガス排出量削減 目標が「科学に基づく目標設定イニシアチブ (SBTi)」から認定され、 脱炭素化の取り組みにおける新しいマイルストーンを達成しました。 この認定は、インフィニオンによる排出量(スコープ1および2)だけでなく、 サプライチェーン全体の排出量(スコープ3)にも及びます。 スコープ1および2の目標は、地球の気温上昇を1.5℃に抑えるというパリ協定に 沿ったものであり、CO2削減の短期目標の野心的なSBTiカテゴリーを満たして います。インフィニオンはさらに、サプライチェーンを対象とした公式な スコープ3目標も設定しました。

AIデータセンターの急速な成長、電気自動車の増加、そして世界的な デジタル化と再工業化が継続する傾向により、世界の電力需要が急増すると 予測されています。 この課題に対処するため、インフィニオン テクノロジーズは、 EasyPACK CoolGaN トランジスタ650Vモジュールを追加し、 GaNパワー製品ポートフォリオを拡大します。 Easyパワーモジュールプラットフォームに基づくこのモジュールは、 データセンター、再生可能エネルギーシステム、EV急速充電ステーションなどの 高出力アプリケーション向けに開発されました。

インフィニオンテクノロジーズは、次世代AIデータセンターに必要とされる 電力供給アーキテクチャに変革をもたらします。NVIDIAと協業し、800V高電圧 直流の新しいアーキテクチャに基づく電力システムを共同で開発します。 この新しいシステムアーキテクチャは、データセンター全体のエネルギー効率を 大幅に向上させ、サーバーボード内のAIチップ(GPU)で直接電力変換を可能にします。 インフィニオンは、シリコン(Si)、炭化ケイ素(SiC)、窒化ガリウム(GaN)の すべての半導体素材による、グリッドからコアまでの電力変換ソリューションに おける専門知識を有しており、本格的なHVDCアーキテクチャへのロードマップを 加速しています。

インフィニオンテクノロジーズは、85～305VACのユニバーサル入力電圧範囲で 最大60Wの高効率電力供給を実現する、コンパクトな完全統合型システム電源 コントローラーである新しいCoolSETシステムインパッケージ(SiP)を発表しました。 小型の表面実装型(SMD)パッケージに収納された低オン抵抗の高耐圧MOSFETは 外部ヒートシンクを必要としないため、システムが小型化するとともに複雑さが 軽減されます。 CoolSET SiPはゼロ電圧スイッチング(ZVS)フライバック動作をサポートするため、 スイッチング損失とEMIシグネチャを低減できるだけでなく、システムの信頼性と 堅牢性も向上させます。 そのため、CoolSET SiPは主要な家電製品やAIサーバーなどのアプリケーションに 好適なソリューションとなります。

インフィニオン テクノロジーズは、インフィニオンのSEMPER NOR フラッシュ メモリが、機能安全の最高認証レベルであるASIL-D 認証を SGSTUVから取得したことを発表しました。 この大手保証組織の外部専門家は、ISO 26262:2018 規格に基づく 製品安全性文書を詳細に分析した結果、SEMPER デバイスが車載用途の 最も厳格な安全性能目標を満たしていることを認証しました。 マイクロエレクトロニクス部品で車両の機能、性能、安全性を制御する ソフトウェア定義車両(SDV)が急速に台頭する中、世界中のOEMや規制当局は、 モーター制御やバッテリー管理から高度な運転支援や自動運転に至るまで、 電子システムに対して最高レベルの安全性を要求します。

インフィニオン テクノロジーズは、車載および産業用電力変換アプリケーションの システム効率を向上させ、電力密度を向上するように設計された、新しいCoolSiC MOSFET 750 V G2テクノロジーを発表しました。 25℃で最大60mΩの標準オン抵抗値のきめ細かなポートフォリオを提供するため、 オンボードチャージャー、DC-DCコンバーター、電気自動車用補助装置のほか、 EV充電、ソーラーインバーター、蓄電システム、通信、SMPSなどの産業用アプリ ケーションを含む幅広いアプリケーションに適しています。 4および7mΩという超低オン抵抗値は静的スイッチングアプリケーションにおいて 優れた性能を実現するため、eFuse、高電圧バッテリ切断スイッチ、ソリッドステート サーキットブレーカー、ソリッドステートリレーなどのアプリケーションに好適です。

インフィニオンテクノロジーズ(FSE：IFX/OTCQX：IFNNY)は、ドレスデンの 新工場(スマートパワーファブ)への公的資金申請の最終承認をドイツ連邦経済省から 受けました。 インフィニオンは、再生可能エネルギー、効率的なデータセンター、電気自動車 などに対するお客様の需要を満たすために施設を拡張しています。 インフィニオンは、50億ユーロの自己資金を投資し、1,000人の新規雇用を 創出する予定です。この数字には、投資のエコシステムに付加的に生じる雇用は 含まれていません。 専門家は、プラスの雇用効果が1：6になると予測しています。さらに、インフィニオンは 合弁会社であるEuropean Semiconductor Manufacturing Company(ESMC)GmbHへの 参加を通じてもドレスデンに投資しています。

インフィニオンテクノロジーズ(FSE：IFX/OTCQX：IFNNY)は、2025会計年度 第2四半期(至2025年3月31日)の業績を発表しました。 インフィニオンの最高経営責任者(CEO)は「インフィニオンの第2四半期業績は 好調でした。1ユーロ＝1.125ドルの不利な為替レートであっても当社が軌道から 外れることはなく、発表済みの当会計年度通期見通しは維持されます。依然として 受注が減速する兆しは全く見られず、関税問題の影響については、臆測する程度の ことしかできません。そのため当社は、2025会計年度第4四半期の予想売上高を 10％引き下げる調整を行いました。現時点で、売上高は前年度比で若干減少すると 予想しています」と述べています。

インフィニオンテクノロジーズ(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)は、ショットキー ダイオードを内蔵した産業用窒化ガリウム(GaN)パワートランジスタを 発表しました。 ショットキーダイオードを内蔵した中電圧CoolGaN トランジスタG5 製品ファミリーは、望ましくないデッドタイム損失を削減して電力システムの 性能を向上させ、システム全体の効率をさらに高めます。 その上、内蔵ソリューションによりパワーステージの設計が簡素化され、 部品コストが削減されます。