パワーデバイスのトータルソリューションサービス
パワーデバイスをあらゆる角度から徹底評価、検証します
基本情報
■パワーデバイスの信頼性試験 ・パワーサイクル試験 定電流600A max.(Vce=10V) 同時に熱抵抗測定も可能 ・180℃対応 液槽熱衝撃試験 温度範囲 -65℃～150℃、-40℃～180℃ 液媒体 Galden D02TS/D03 試料かご（最大） W320ｘH240ｘD320(mm） ・パワーデバイスアナライザによる特性評価 最大電圧 3000V、最大電流 20A 小型の部品からパワーデバイスまで幅広く対応 ・絶縁性評価イオンマイグレーション試験 高温高湿環境下で、実使用条件より高い電圧を印加して加速試験を実施 パワーデバイスの保証寿命範囲内でマイグレーションが発生しないことを確認する試験 ・高温逆バイアス/ゲートバイアス試験 高温高湿環境下の絶縁抵抗値の連続モニター チャネル数 120チャネル ■パワーデバイスの分析・解析 ・パワーチップの故障解析 ・はんだ接合部の解析 ・極低加速特殊SEMによるAlワイヤーのグレイン観察 ・半導体・パッケージ剥離部の非破壊観察
価格帯
納期
用途／実績例
■SiC MOSFET裏面発光解析
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この製品に関するニュース（3）
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パワーデバイス故障箇所・Slice＆View 三次元再構築
FIB-SEMのSlice＆View機能を用いた、故障箇所の三次元再構築について ご紹介いたします。 構造物の連続SEM画像を取得し、得られた像を三次元構築ソフト(Avizo)で、 SEM画像間のパターンの位置ズレを補正し立体的に可視化。 故障箇所に対して断面出しをする位置特定技術とSlice＆View機能を 組み合わせることで不良状態を保持して異常部前後の情報を含めた 連続SEM画像を取得することができます。
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ディスクリート半導体のIOL試験
当社では「ディスクリート半導体のIOL試験」を行っています。 常温環境下にて通電ON/OFFを繰り返し行い、通電時のデバイス自身の発熱により 温度変化によるストレスをデバイスに加えます。通電OFF時(冷却時)は ファンによる強制冷却も行います。 また、試験実施前に代表サンプルを使用し、試験温度条件に到達するように 調整を行います。加熱時の電流/時間、冷却時のファン能力/ 稼働タイミングなどを調整することが可能です。
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パワーデバイスの逆バイアス試験（最大2000V）
株式会社アイテスでは、パワーデバイスの酸化膜及び接合部評価の 高温逆バイアス試験（HTRB）が最大2000Vまで印加できます。 試験中のリーク電流のモニタリングにより､リアルタイムでデバイスの 劣化状況が把握可能｡電源が独立しているために試験中に一つのデバイスが 故障した場合でも他のデバイスに影響を及ぼしません。 また、不良基準（電流値）の設定が可能で不良判定デバイスの電源を 不良判定時に遮断することができます。 【仕様・サービス内容】 ■試験電圧：最大DC2000Vまで印加可能 ■印加電流：最大14mA ■試験数量：最大8個（電源独立） ■対応モジュール：TO-247､TO-220 等（その他のパッケージは接続方法など要相談） ■測定内容：リーク電流のモニタリング ■温度範囲：最大200℃（高温高湿の場合85℃/85％）
