パワーデバイスの故障解析
ダイオード、MOS-FET、IGBT等のパワーデバイスの不良箇所特定・観察を行います。
あらゆるサイズ・形状のダイオード・MOS FET・IGBT等の パワーデバイスに対し最適な前処理を行い 裏面IR-OBIRCH解析や裏面発光解析により不良箇所を特定し観察いたします。 ■解析の前処理－裏面研磨－ 各種サンプル形態に対応します。 Siチップサイズ：200um～15mm角 ■不良箇所特定－裏面IR-OBIRCH解析・裏面エミッション解析－ IR-OBIRCH解析：～100mA/10V ～100uA/25V まで対応 エミッション解析：～2kV まで対応 ＊低抵抗ショート、微小リーク、高電圧耐圧不良など幅広い不良特性に対応 ■リーク箇所のピンポイント断面観察－SEM・TEM－ 予測される不良に合わせてSEM観察・TEM観察を選択し リーク不良箇所をピンポイントで物理観察/元素分析を実施可能
基本情報
・パッケージ状態・開封済みチップ・チップ単体・Wafer状態の裏面研磨 Siチップサイズ：200um～15mm ・IR-OBIRCH解析： ～100mA/10V ～100uA/25V まで対応 感度：数十pA 低倍最大視野：6.5mm角 ・エミッション解析： ～2kV まで対応 感度：数nA 低倍最大視野：6.5mm角 ・特定位置精度： ±0.3um、試料厚1.5um～0.1um ・機械研磨SEM観察： 大きな破壊箇所・異物・広範囲の観察 ・拡散層観察： TEM試料加工前に不良箇所近傍にて観察可能 構造により前処理が必要な場合あり ・FIB-SEM観察： クラック・形状異常・拡散層観察（～×50k） ・断面TEM観察： ゲート酸化膜の破壊・転位（～400k）
価格情報
内容により御見積致します。
納期
用途／実績例
・ボンディング起因の不良 異物のアタック、応力によるクラック ・ICプロセス起因の不良 各層パターンニング、ソースAl不良、異物混入、ゲート酸化膜破壊、転位 ・FIB-SEMによる拡散層観察
