TEMによる電子部品・材料の解析
TEM（透過型電子顕微鏡）は電子部品の故障部位観察、長さ測定、元素分析、結晶構造の解析等や材料評価の幅広い要求にお応えします。
基本情報
■エミッション発光にて特定した故障部位は FIBにより薄片化しながら観察します。 ■電子の透過力の大きい加速電圧400kVのTEMにて 故障部位を試料厚内に閉じ込めた状態での透過観察とFIB加工を繰り返し 最適な像を得ることができます。 ■TEM像倍率をあらかじめ校正しておき 2%以下の誤差で測長することもできます。
価格情報
内容により都度、御見積致します。
納期
用途／実績例
・特定部位のTEM観察（半導体故障部位への応用） ・元素分析、電子線回折（EDS、EELS、電子線回折像） ＊TFT不良解析、MOS FET不良解析など半導体製品の解析 ＊LSIの構造解析
