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SiCデバイスの裏面発光解析
SiCデバイスの前加工→リーク箇所特定→物理解析/成分分析までスルー対応！
当社では、『SiCデバイスの裏⾯発光解析』を行っております。 SiCは従来のSi半導体と比べ、エネルギーロスの少ない パワーデバイスであり注目を集めていますが、Si半導体とは 物性が異なるため、故障解析も新たな手法が必要となります。 SiC MOSFET裏面発光解析事例では、海外製SiC MOSFETをESDにより、 G-（D,S）間リークを作製、発光解析にて、リーク箇所を示す多数の 発光を検出。 発光箇所をTEM観察したところ、SiO2膜の破壊、SiC結晶にダメージが 認められました。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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アイテスは、日本アイ・ビー・エム野洲事業所の品質保証部門を母体として１９９３年に設立されました。 日本アイ・ビー・エム野洲事業所での最先端電子部品の不良解析・信頼性保証で培った技術力を基盤にして、半導体、ディスプレイ、有機EL、太陽電池、電子部品の開発・製造を支える様々な商品、サービスを国内、海外のお客様へ提供してまいりました。
製品・サービス一覧 (339)
ゴム熱老化試験
株式会社アイテス
有機物の成分分析(FT-IRとGC/MS)
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液晶化合物のNMR分析
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光学フィルムの光透過特性
恒温恒湿試験中の槽内撮影
SACはんだとNiパッド界⾯の化合物の解析例
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CP加工装置Arblade5000_ワイドエリア断面ミリング
ディスクリート半導体のIOL試験
薬液処理による⾦属組織観察
顕微FT-IR
機械研磨による半導体の観察例
冷熱衝撃試験のひずみ測定
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基板実装部品の断面観察(1)～(6)
ポアソン比測定
基板実装部品の断面観察
化学分析 おまかせサービス
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スイッチ接点不良の解析事例
ラマンUV硬化樹脂
不織布シートの細孔分布評価
ダイナミックSIMS
引張試験
GC/MS分析のための誘導体化
酸化物系全固体電池の故障解析事例
GC/MSを⽤いたマイカシート接着剤成分分析
赤外分光法とラマン分光法の比較
全固体電池用原料の組成分析
海外製 液晶ディスプレイの良品解析
異物分析・成分分析 顕微ラマンとFTIR比較
ポリウレタンゴムの動的粘弾性測定
SDGsへ貢献 材料／リサイクル原料比較分析
積層セラミックコンデンサ連続通電試験
加圧繰り返し試験
材料と熱の関係＜熱分析の紹介＞
液晶ディスプレイの輝度・色度ムラ評価
促進耐候性試験＜キセノンウェザーメーター＞
エッチング処理による金属間化合物の観察例
