パワー半導体の解析サービス
故障箇所→拡散層評価を含めた物理解析/化学分析までスルー対応いたします！
基本情報
【故障箇所特定から拡散層評価や結晶構造などの物理解析まで対応】 ■裏面発光/ OBIRCH解析による故障箇所特定 ■故障箇所への高精度位置特定、FIB加工 ■不良箇所のFIB/LV-SEM観察、EBIC解析による拡散層形状評価 ■TEM観察による結晶構造観察、元素分析 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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この製品に関するニュース（3）
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パワーモジュールパッケージ樹脂のひずみ測定
当社にて、基板に実装された状態のパワーモジュールと、実装していない 状態のパワーモジュールの表面にそれぞれひずみゲージと温度計を貼り付け、 ひずみ測定を実施した結果をご紹介いたします。 実装モジュールではやや温度変化が遅く、呼応してひずみの変化も 遅い様子が観察されました。実装されることで、モジュールへの熱の 伝わり方が遅くなっているためと考えられます。 アイテスでは温度サイクル試験や温湿度サイクル試験を行い、その際に 実装部品に生じるひずみを同時に測定することが可能です。お気軽に ご相談ください。
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パワーデバイス故障箇所・Slice＆View 三次元再構築
FIB-SEMのSlice＆View機能を用いた、故障箇所の三次元再構築について ご紹介いたします。 構造物の連続SEM画像を取得し、得られた像を三次元構築ソフト(Avizo)で、 SEM画像間のパターンの位置ズレを補正し立体的に可視化。 故障箇所に対して断面出しをする位置特定技術とSlice＆View機能を 組み合わせることで不良状態を保持して異常部前後の情報を含めた 連続SEM画像を取得することができます。
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ディスクリート半導体のIOL試験
当社では「ディスクリート半導体のIOL試験」を行っています。 常温環境下にて通電ON/OFFを繰り返し行い、通電時のデバイス自身の発熱により 温度変化によるストレスをデバイスに加えます。通電OFF時(冷却時)は ファンによる強制冷却も行います。 また、試験実施前に代表サンプルを使用し、試験温度条件に到達するように 調整を行います。加熱時の電流/時間、冷却時のファン能力/ 稼働タイミングなどを調整することが可能です。
