パワーデバイスのHAST試験
パワーデバイスに対して高温･高湿度環境下で最大1000Vの印加が可能！デバイスの劣化状況の推移もモニタリング
株式会社アイテスでは、『パワーデバイスのHAST試験』を承っております。 【特長】 ■最大1000V印加での不飽和蒸気加圧試験が可能 ■高温高湿下での通電により、金属配線の腐食やマイグレーション等の評価を実施 ■試験中のモニタリングにより､リアルタイムでの試料劣化を把握
基本情報
【仕様】 試験電圧 ：最大DC1000Vまで印加可能 (正極コモン･保護抵抗110kΩ) 試験数量 ：最大30個 (正極側) 対応モジュール ：TO-247､TO-220 等 (その他のパッケージは要相談：ソケット調達可) 測定内容 ：漏れ電流のモニタリング 試験装置 ：温度制御範囲 105.0℃～142.9℃ 湿度制御範囲 75%RH～100%RH 圧力範囲 0.020～0.196MPa（ゲージ圧） 【試験条件例】 JESD22-A110E ､ JEITA ED-4701-100A(試験方法302A) 等 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
価格帯
納期
用途／実績例
【用途】 ■HAST試験 ■マイグレーション評価 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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この製品に関するニュース（1）
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パワーデバイスの逆バイアス試験（最大2000V）
株式会社アイテスでは、パワーデバイスの酸化膜及び接合部評価の 高温逆バイアス試験（HTRB）が最大2000Vまで印加できます。 試験中のリーク電流のモニタリングにより､リアルタイムでデバイスの 劣化状況が把握可能｡電源が独立しているために試験中に一つのデバイスが 故障した場合でも他のデバイスに影響を及ぼしません。 また、不良基準（電流値）の設定が可能で不良判定デバイスの電源を 不良判定時に遮断することができます。 【仕様・サービス内容】 ■試験電圧：最大DC2000Vまで印加可能 ■印加電流：最大14mA ■試験数量：最大8個（電源独立） ■対応モジュール：TO-247､TO-220 等（その他のパッケージは接続方法など要相談） ■測定内容：リーク電流のモニタリング ■温度範囲：最大200℃（高温高湿の場合85℃/85％）
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劇物フリーのエポキシ樹脂硬化温度について
当社では、劇物フリーのエポキシ樹脂への変更に伴って、硬化時に 発熱する温度についても再確認するため、測定を行いました。 多量に樹脂を使用する場合、当社では、発熱防止処理を施して樹脂包埋を していますが、発熱防止処理を施さないと、硬化中に138℃まで発熱。 多量の樹脂でも発熱防止処理を施せば、硬化中の発熱を30℃以内に 抑えることができました。
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機械研磨によるトラッキングカメラ断面観察
「機械研磨によるトラッキングカメラ断面観察」についてご紹介いたします。 トラッキングカメラ部品構造について、部品を上から見るとレンズが確認でき X線像では明確には確認できないが凸部にレンズが組み込まれています。 また、断面構造はRGBセンサと同じく裏面照射型CMOS構造をしていますが、 トラッキングカメラに色情報は不要なため、カラーフィルタ層はなし。 フォトダイオード表層の形状にギザギザ状の凸凹形状が観察されました。
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機械研磨によるCMOSイメージセンサ断面観察
当社にて、A社製のVRゴーグルに付随のCMOSイメージセンサ部品について、 部品状態のまま機械研磨にて断面を作製し、CMOSセンサ部品の構造観察を 行いました。 センサ部品構造及びセンサ表面観察では、ガラスフィルタを取り除き CMOSセンサ表面を観察すると、カラーフィルタの配置がベイヤーフィルタと 言われる配置であることが観察されました。 断面作製方法には機械研磨の他、FIBやCPなどイオンビームで加工する方法や ミクロトーム法などがあります。相談は無料ですので、断面作製方法に 迷ったらお気軽にご連絡ください。
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実装基板の各種評価
株式会社アイテスでは、電子部品が搭載された基板(実装基板)の 評価テストについて多角的な技術サービスをご提供いたします。 信頼性試験をはじめ、はんだ接合部観察、ウイスカ観察、断面観察を実施。 IPC-A-610 認証IPCスペシャリストが在籍しており、国際規格に則った 観察のお手伝い、ご相談、様々な観察のお悩みに対応いたします。 その他、X線観察、外観観察、形状測定などのメニューもございますので、 ご用命の際は、お気軽にご相談ください。
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SACはんだとNiパッド界⾯の化合物の解析例
Sn-Ag-Cu系はんだとNiPパッド界⾯に形成される化合物の解析例をご紹介 いたします。 NiPパッドとSn-Ag-Cu系はんだの界面には(Ni,Cu)3Sn4や(Cu,Ni)6Sn5等 の化合物が成⻑しており、EDXによる面分析では化合物中にNiやCu、Snの 分布が⾒られます。 EBSD法は試料の持つ結晶構造の情報を基に解析する手法です。 EDXによる元素分析と合わせて解析することで組成を推定することができ、 Ni3Sn4やCu6Sn5の結晶データを代用して解析することが可能な場合があります。
