XPSによるバンドギャップの簡易測定
XPSを使用して簡易的に測定することが可能！酸化物系以外の半導体もお問合せください
アイテスでは、『XPSによるバンドギャップの簡易測定』を行っています。 半導体や絶縁物の中で、比較的バンドギャップが広い物質や薄膜の バンドギャップを、XPSを使用して簡易的に測定することが可能。 β-Ga2O3のバンドギャップをO1sのピークを使用して測定を行った際は、 O1sのピーク位置とバンドギャップによるエネルギー損失の端部との差より このβ-Ga2O3のバンドギャップは、約4.9eVと測定されました。 【特長】 ■XPSを使用して簡易的に測定できる ■バンドギャップの広いSiON等の薄膜の簡易測定も可能 ■酸化物系以外の半導体も対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
基本情報
【測定例】 ■Ga2O3のバンドギャップ：O1sを測定 ■SiCのバンドギャップ：Si2pを測定 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
価格帯
納期
用途／実績例
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
