液晶パネルのTFT特性評価
性能確認のための良品特性測定、不良特性測定や信頼性評価をすることが出来ます！
当社では、液晶パネルにおいて特定のTFTに対し、性能確認のための 良品特性測定、不良特性測定や信頼性評価をすることが出来ます。 「TFTの各温度での電気特性測定」では、表示状態のモニターを解体し、 パネル内の画素TFTに対して、電気特性測定が可能。 「DCバイアスストレス試験」では、Gate,Drainに任意のDCバイアスを印加し TFTにストレスを与えたときのVthシフトを測定し、信頼性確認を行います。 【特長】 ＜TFTの各温度での電気特性測定＞ ■パネル内の画素TFTに対して電気特性測定が可能 ■アニール前後、光照射、加温や冷却下で測定できる ■測定結果からIon、Ioff、Vth、移動度の指標を算出 ■良品解析での実力値の確認や不良原因の解明を行う ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
基本情報
【その他特長】 ＜DCバイアスストレス試験＞ ■Gate、Drainに任意のDCバイアスを印加し、TFTにストレスを与えたときの Vthシフトを測定し、信頼性確認を行う ■加速試験として、加温状態でも測定できる ■複数のパネルメーカにて測定を行い、Vthシフト量を比較することで、優位判定も可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
価格帯
納期
用途／実績例
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この製品に関するニュース（2）
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COG実装の導電粒⼦形状観察
COG実装の導電粒⼦形状観察についてご紹介します。 ICと液晶パネルはACF(異⽅性導電フィルム)を⽤いたCOG⽅式により実装。 核に樹脂ボールを使⽤し、その表面に導電のための⾦属層(ニッケルや⾦など) が成膜されており、接続時に粒⼦が適度に変形し、ICとパネルを電気的に接続。 粒⼦の変形具合や接続状態を確認するため、断面観察を⾏ったところ、 粒⼦変形量は「中」であり、適度な変形具合であることがわかりました。 平面⽅向と断面⽅向から導電粒⼦の変形具合を確認することで表⽰不良との関連性 を探ることができます。パネル関連の不具合調査はお気軽にご連絡ください。
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液晶中の微量金属元素分析
信頼性試験前後のパネルを用いてICP測定を行い、定量化を行った事例を ご紹介します。 LCDの液晶分子はパネル内で配向しており、電圧により液晶の配向状態が 変わる事で表示が制御されます。金属元素のようなイオン性物質がパネル 内部に存在すると液晶が正しく駆動せず表示不良が発生。 イオン性物質は、製造時の混入や長期使用で増加することが知られており、 定量化して把握する事がパネル品質として重要です。 金属イオンは、ICP分析を用いることで定量分析を行うことが可能であり、 前処理方法や検出感度の違いにより、ICP-AES/MSを使い分けて行います。 【解析内容】 ■ICP-AES分析による金属元素含有量の比較 ■ICP-MS分析による金属元素含有量の比較 詳しくは下記関連製品・カタログよりご覧いただけます。
