パワーデバイスの逆バイアス試験（最大2000V）
不良基準（電流値）の設定が可能！高温及び高電圧通電によりデバイス劣化及び特性等を評価
株式会社アイテスでは、パワーデバイスの酸化膜及び接合部評価の 高温逆バイアス試験（HTRB）が最大2000Vまで印加できます。 試験中のリーク電流のモニタリングにより､リアルタイムでデバイスの 劣化状況が把握可能｡電源が独立しているために試験中に一つのデバイスが 故障した場合でも他のデバイスに影響を及ぼしません。 また、不良基準（電流値）の設定が可能で不良判定デバイスの電源を 不良判定時に遮断することができます。 【特長】 ■試験中のリーク電流のモニタリングにより､リアルタイムで デバイスの劣化状況が把握出来る ■電源が独立しているために試験中に一つのデバイスが 故障した場合でも他のデバイスに影響を及ぼさない ■不良判定デバイスの電源を不良判定時に遮断することができる ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
基本情報
【仕様・サービス内容】 ■試験電圧：最大DC2000Vまで印加可能 ■印加電流：最大14mA ■試験数量：最大8個（電源独立） ■対応モジュール：TO-247､TO-220 等（その他のパッケージは接続方法など要相談） ■測定内容：リーク電流のモニタリング ■温度範囲：最大200℃（高温高湿の場合85℃/85％）
価格帯
納期
用途／実績例
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
