SiC 潜在欠陥拡張検査装置
UVレーザー照射によりバイポーラ劣化を再現！通常2か月かかるサンプル評価を、2日で代替可能です
当製品は、UVレーザー照射によりこれまで通電しなければ顕在化されなかった 欠陥をあぶり出し、研究開発の評価サイクルを短縮するSiC欠陥検査装置です。 【特長】 ■UV照射 ・チップのような小さいサイズからウエハ全面まで均一なレーザ照射を実現 ・エピ厚、ドーピング濃度からホール濃度を計算し、電流密度に相当する放射照度を提案 ■PL測定機能 ・380nm、420nm、over700nmの波長で欠陥を多角的に観測 ・画像処理技術により積層欠陥の発生箇所、分類が可能（バッファー層、ドリフト層、基板界面） ・欠陥発生箇所座標付きマッピング機能付き ※まずはお気軽に、トライアル測定（無償）をご検討ください。 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
基本情報
【通電劣化シミュレーターの特長】 ■通電劣化につながる潜在欠陥を強力なUVレーザー照射で可視化 ■検証工程を2か月から2日に短縮 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
価格帯
納期
用途／実績例
※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
