SiCにおけるPL発光箇所のTEM観察
PLによる欠陥箇所特定・全体像把握から、TEMによる欠陥部の詳細な観察が可能！
「SiCにおけるPL発光箇所のTEM観察」についてご紹介いたします。 SiC基板中に存在する基底面転位(BPD)は、順バイアス時に欠陥を拡大させ、 デバイス特性を劣化させることで知られています。今回、微小なBPDを PL(フォトルミネッセンス)にて特定し、発光部をTEMにて観察しました。 PLによる欠陥箇所特定・全体像把握から、TEMによる欠陥部の詳細な観察が 可能です。詳細は、資料よりご確認いただけますので、ぜひご覧ください。 【装置概要(一部)】 ■PL(フォトルミネッセンス) ■使用装置：自社製PLイメージング装置 ■励起光：超高圧水銀ランプ UV光源(285～350nm) ■捉えたい欠陥の種類によって観察波長を選択できる ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
基本情報
【その他の装置概要】 ■TEM(透過型電子顕微鏡) ■使用装置：JEOL JEM-4000FX ■加速電圧：400kV ■高電圧で加速された電子線を試料に照射し、透過してきた電子を結像させ拡大像を得る ■独自の位置出し技術を駆使する事で、光学像では認識できない極微小なものでも、 高い確率SEM,TEMで可視化する事が可能となる ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
価格帯
納期
用途／実績例
※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
