半導体製品の信頼性トータル・ソリューション
半導体製品に関わる部品・装置・材料の開発評価の困難をサポート
【試験・評価・分析・解析】 ●信頼性試験 ■温度サイクル試験 ■冷熱衝撃試験 ■高温保存試験 ■高度加速寿命試験 ■プリコンディショニング ■ホットオイル試験 ■In-situ常時測定 ■イオンマイグレーション試験 ■エレクトロマイグレーション試験 ■テストコンサルティンング ●評価試験 ■接合強度試験：プル/ シェア試験 ■機械的強度試験：振動・衝撃／落下試験／圧縮強度・ズレ強度 ■ESD / Latch Up / CDM試験 ■電気特性計測 ■塩水噴霧試験 ●分析・解析 ■X線透過観察 ■超音波顕微鏡観察 ■発光解析（EMS/IR-OBIRCH） ■走査型電子顕微鏡（SEM） ■透過型電子顕微鏡(TEM) ■表面汚染分析(TOF-SIMS） ■異物分析（FT-IR)
基本情報
半導体製品の一連の工程のサンプル作製から信頼性評価試験、分析故障解析までトータルのソリューションを提供します。必要なサービスを必要なだけ、ご利用いただけます。 トータルソリューションとは、半導体製品に関わる部品・装置・材料の開発評価の困難（評価試料が準備できない／評価方法が不明、事前データが無い等）試料作製から、評価・解析まで御支援します。 【試料作製】 ●ウェハ工程 ■汎用TEGの手配 ■ダイシング ■チップソート ■外観検査 ■梱包（チップトレイ・エンボステーピング） ●パッケージング工程 ■ダイボンディング ■ワイヤボンディング ■フリップチップ実装 ■バンプ接合 ■パッケージ組立
価格情報
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納期
用途／実績例
■ＩＣチップ実装 ウエハー工程から実装まで試料作製を行います。 ■信頼性評価試験 In-Situ常時モニター実施例・・・各種信頼性試験から分析・故障解析まで行います。
カタログ（19）
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この製品に関するニュース（4）
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パワーモジュールパッケージ樹脂のひずみ測定
当社にて、基板に実装された状態のパワーモジュールと、実装していない 状態のパワーモジュールの表面にそれぞれひずみゲージと温度計を貼り付け、 ひずみ測定を実施した結果をご紹介いたします。 実装モジュールではやや温度変化が遅く、呼応してひずみの変化も 遅い様子が観察されました。実装されることで、モジュールへの熱の 伝わり方が遅くなっているためと考えられます。 アイテスでは温度サイクル試験や温湿度サイクル試験を行い、その際に 実装部品に生じるひずみを同時に測定することが可能です。お気軽に ご相談ください。
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ディスクリート半導体のIOL試験
当社では「ディスクリート半導体のIOL試験」を行っています。 常温環境下にて通電ON/OFFを繰り返し行い、通電時のデバイス自身の発熱により 温度変化によるストレスをデバイスに加えます。通電OFF時(冷却時)は ファンによる強制冷却も行います。 また、試験実施前に代表サンプルを使用し、試験温度条件に到達するように 調整を行います。加熱時の電流/時間、冷却時のファン能力/ 稼働タイミングなどを調整することが可能です。
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COG実装の導電粒⼦形状観察
COG実装の導電粒⼦形状観察についてご紹介します。 ICと液晶パネルはACF(異⽅性導電フィルム)を⽤いたCOG⽅式により実装。 核に樹脂ボールを使⽤し、その表面に導電のための⾦属層(ニッケルや⾦など) が成膜されており、接続時に粒⼦が適度に変形し、ICとパネルを電気的に接続。 粒⼦の変形具合や接続状態を確認するため、断面観察を⾏ったところ、 粒⼦変形量は「中」であり、適度な変形具合であることがわかりました。 平面⽅向と断面⽅向から導電粒⼦の変形具合を確認することで表⽰不良との関連性 を探ることができます。パネル関連の不具合調査はお気軽にご連絡ください。
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パワーデバイスの逆バイアス試験（最大2000V）
株式会社アイテスでは、パワーデバイスの酸化膜及び接合部評価の 高温逆バイアス試験（HTRB）が最大2000Vまで印加できます。 試験中のリーク電流のモニタリングにより､リアルタイムでデバイスの 劣化状況が把握可能｡電源が独立しているために試験中に一つのデバイスが 故障した場合でも他のデバイスに影響を及ぼしません。 また、不良基準（電流値）の設定が可能で不良判定デバイスの電源を 不良判定時に遮断することができます。 【仕様・サービス内容】 ■試験電圧：最大DC2000Vまで印加可能 ■印加電流：最大14mA ■試験数量：最大8個（電源独立） ■対応モジュール：TO-247､TO-220 等（その他のパッケージは接続方法など要相談） ■測定内容：リーク電流のモニタリング ■温度範囲：最大200℃（高温高湿の場合85℃/85％）
