三菱マテリアル株式会社は、高熱伝導性・低熱膨張性を持ち、優れた加工性を有する金属－セラミックス複合材料を開発しました。 当社は、これまで培ってきた粉末冶金技術を駆使し高度に材料組織を制御することで、高熱伝導性と低熱膨張性を両立させながら、優れた加工性も有する新しい金属－セラミックス複合材料を開発することに成功しました。 この金属－セラミックス複合材料は、複合材料中の金属マトリックスがセラミックス粒子により分断されず連続的につながるように組織構造（金属マトリックスの三次元ネットワーク構造）を設計しています。 例えば、このうち新開発したAl-SiCは、アルミニウム合金以上の熱伝導率を持ちながら、極めて低い熱膨張係数を実現しています（図2、3参照）。また、炭化ケイ素（セラミックス）の含有量が少ないため、アルミニウム（金属）に近い優れた加工性を有し、一般的な金属加工方法が適用可能です。

三菱マテリアル株式会社は、xEVや近年急速に発展するAIサーバー用電源など、高い安全性や安定した運用が求められる電子機器の異常電圧（サージ）対策のため、高速応答かつ高サージ耐量を備えた高性能雷害対策部品（サージアブソーバ）「DH53」シリーズを開発しました。 これまで当社はxEV（充電器や車載OBC）や各種電源のサージ対策用にサージアブソーバを供給し、高い評価をいただいてきました。昨今、地球温暖化の進行により異常気象となることが増え、雷雨日が増加するなど、電子機器が予期せぬサージに晒される危険が高まっています。このことから、高い安全性や安定した運用が求められる電子機器には、これまで以上に高い応答性やサージ耐量を備えたサージアブソーバが求められています。 このたび当社は、サージ耐量3,000Aまでであった従来品に対し、高サージ寿命を維持しつつ高速応答かつサージ耐量を5,000Aまで向上させたサージアブソーバ「DH53」シリーズの開発に成功しました。 今後ますます高性能化が求められるxEVの充電機器やAIサーバー用電源などの電子機器の設計自由度の向上や安定的な運用に貢献します。

三菱マテリアル株式会社は、高平坦度かつ低表面粗さを実現した世界最大級の四角形状のシリコン基板「角型シリコン基板」を開発しました。 近年注目を集めているチップレット技術を採用した次世代半導体パッケージは、100mm角程度まで大型化が進んでいます。半導体パッケージの製造工程において、半導体チップを配置するキャリア基板に従来のφ300mmシリコンウェーハなどを利用するWLP（Wafer-Level-Packageでは、ウェーハの面積が小さく円形状であるため、効率よくパッケージをウェーハ基板に収められないことが課題となっています。 この課題を解決するため、当社は、従来から当社グループで培ってきた大型シリコンインゴットの鋳造技術と、当社独自の加工技術を組み合わせた大面積かつ四角形状の「角型シリコン基板」を開発しました。 「角型シリコン基板」は、半導体製造工程におけるキャリア基板としての活用や、半導体パッケージのインターポーザー材料としての適用など、半導体分野における生産性向上に貢献します。

三菱マテリアル株式会社及びその連結子会社である三菱マテリアル電子化成株式会社は、従来の無機黒色顔料「NITRBLACK（ナイトブラック）UB-1」の技術をさらに発展させ、紫外線（以下「UV」）の透過率を従来比50%以上向上させた「NITRBLACK UB-2」を開発しました。 このたび、お客様からのさらなる性能向上のご要望に応えるべく、「NITRBLACK UB-1」の技術を発展させることにより、可視光域の吸収性能は維持しつつ、UV域の透過性を50%以上向上させた「NITRBLACK UB-2」の開発に成功しました。「NITRBLACK UB-2」を用いることにより、樹脂硬化のためのUV照射時間を従来比で4分の1以下（当社試験結果）に短縮でき、より厚い樹脂膜の硬化が可能となります。今後更なる高性能化が進む液晶ディスプレイや光学式センサー、レンズ等向けでの利用拡大のほか、遮光性を有する接着剤等、幅広い用途への展開を見込んでおり、お客様のご使用時のエネルギー効率の改善や温室効果ガスの削減も期待されます。

三菱マテリアル株式会社は、次世代のxEV用高出力急速充電器に対応するため、雷害対策部品（サージアブソーバ）「DA53」シリーズの新製品を開発し、ラインナップ拡充をいたしました。 世界各国で、CO2をはじめとする温室効果ガスの排出量削減の取り組みが進展し、電気自動車をはじめとしたxEVの普及が進むなか、従来よりも短時間でxEVを充電できる急速充電器の普及が求められています。こうした充電器を安定的に運用するためには、落雷などの異常電圧（サージ）から機器を保護する「雷害対策」が極めて重要になります。 今後拡大するxEV市場に対応するため、このたび、より充電電圧が高い急速充電器向けに、「DA53」シリーズの新製品「DA53-102M」、「DA53-152M」を開発し、同シリーズのラインナップを拡充いたしました。これにより、「DA53」シリーズは、主要な規格（CHAdeMO、GBT、CCS、Supercharger）全てに対応可能となり、OBC（On-Board Charger）や普通充電器向けを中心にお客様のご要望に合わせたきめ細かなソリューションをご提供可能となりました。

三菱マテリアル株式会社高機能製品カンパニーは、従来製品よりも高速応答・高精度・薄型で、さらに曲げても動作するフレキシブルなサーミスタセンサを開発しましたので、お知らせいたします。本製品のサンプル出荷は7月より開始しております。 当社では、2019年に車載用バッテリモジュール向けの高速応答サーミスタセンサを開発しておりますが、新製品は、従来品と比べ約7倍の高速応答性を有し、熱測定の精度も約2倍を実現しております。また、従来品はチップサーミスタを樹脂ケース部に内蔵していたことで製品の厚みが4ミリありましたが、新製品はチップサーミスタを基板の表面に搭載し、無駄な部品をなくしたことで製品厚み0.5ミリを実現しました。これによって新製品は従来品と比べ屈曲性が高くなり、狭い部位や湾曲した部位など、複雑な形状や薄さが必要な製品への取り付けが可能となりました。さらに、新製品は、部材に鉛フリーはんだを使用するなどRoHS適合製品※を用いることで、自動車用途はもとより、医療用機器や人体に接触するウエアラブル機器まで、幅広い用途での使用を期待しております。

サージアブソーバーの動作原理、サージアブソーバーの効果など分かりやすく解説した動画を公開しました。 この機会に雷サージについて、動画でご確認いただき、電化製品や産業装置などの回路設計にお役に立ちましたら幸いです。

弊社は、光通信用レーザーダイオードに使用されているサーモエレクトリッククーラーの高精度温度制御用にフレーク（表裏電極型）サーミスタVHシリーズを開発し、その量産を10月より開始しますので、お知らせいたします。 当社では、これまでも光通信市場向けに高速、高精度な温度制御が可能なフレークサーミスタFHシリーズを販売してきました。このたび開発したVHシリーズは、材料技術と精密加工技術を駆使し、更なる小型化と高信頼性を同時に実現しました。シリーズ最小のVH02では実装面積を43％に縮小（当社従来比）しており、光通信モジュールの軽薄短小化に大きく貢献します。小型化と高信頼性を実現するために、特に高温環境下で起こる熱膨張に対し、サーミスタ材料と金電極の接合面の密着性向上を図ることで熱ストレスを克服し、過酷な環境での長期信頼性試験で、抵抗値変化がほとんど無い"ZERO SHIFT"を実現しました。 当社は、今後も成長する通信関連市場に対応すべく、長期信頼性の向上や保証温度領域の拡大に対応したサーミスタ製品の開発・供給を続けてまいります。

従来の黒色顔料で課題であった紫外領域（UV）の透過性を大幅に向上、 かつ可視光領域で高い遮光性能を単一で満たす黒色顔料です。

世界で初めて洗浄工程を必要としない金錫（AuSn）合金ペースト（以下「新製品」）を開発し、サンプル出荷を開始しましたので、お知らせいたします。

当社は、半導体素子の動作に悪影響を与えるα線放出量を従来品に比べて約50％低減した世界最高レベルのはんだ材料を開発し、10月から量産を開始しましたので、お知らせいたします。

当社は、DBA基板※1とアルミニウム（以下、Al）ヒートシンクを直接接合することにより、放熱性能が大幅に向上した自動車用LEDヘッドライト向けAlヒートシンク一体型基板モジュール（以下、新製品）を開発し、サンプル提供を開始しましたので、お知らせいたします。

＜AuSn合金＞ 20wt%Sn （融点 280℃） と90wt%Sn （融点 217℃） に共晶点を有しております。 特にAu-20Snは、高い熱伝導性を有します。 （Au-20Sn合金とAu-22Sn合金で、物性値に大きな違いはないと考えております。） ＜薄膜形成用AuSnペースト＞ スパッタ、蒸着膜の代替として、必要な個所のみに、短時間でAuSnペーストを供給でき、リフロー処理することで容易にAuSn薄膜を形成できます。ステンシルマスク及びペースト仕様を選定することで<5µm厚のAuSn薄膜が得られます。 熱硬化性Agエポキシ樹脂ペーストでは難しいセルフアライメント効果による接合を、AuSnペーストで実現しております。 詳細は、 特設ページ「取扱製品一覧」→「金錫（AuSn）合金を」よりご覧ください。

フッ素メーカーである当社は、 ・独自のフッ素合成技術によるユニークなアニオンを多種有していることから、多様なアニオン、カチオンの組み合わせが可能です。また、お客様のニーズに合わせ最適な物性を兼ね備えたイオン液体のご提供も可能です。 ・高純度イオン液体を得るためのアルカリ金属、ハロゲンフリーな合成法を確立し、電解液分野等の高純度が必要とされる用途にも適しています。 ・ラボスケールの対応はもちろんのこと工業スケールの対応も可能です。 ・カチオン構造の合成修飾や豊富なアニオン種のバリエーションとの組み合せなど、ご希望に合わせたカスタム合成が可能です。 詳細は、 特設ページ「取扱製品一覧」→「イオン液体」よりご覧ください。

三菱マテリアル株式会社（取締役社長：竹内　章、資本金：1,194億円）は、従来の鉛はんだの代替材料である導電性接着剤を用いて自動車のエンジン周辺等の高温環境下で実装が可能な、200℃動作保証の完全モノリシック構造「高温環境対応チップサーミスタ」を世界で初めて開発し、本年12月から量産を開始しますので、お知らせいたします。 近年の自動車・産業機器市場では、安全性および環境性能の向上のため、各種センシング部品（センサーを利用して計測・判別する部品）を用いた電子化が進んでおります。なかでもエンジンやトランスミッション周辺に搭載される電子機器は150℃を超える過酷な環境で動作するため、電子部品の動作保証温度の高温化要求がより高まっております。当社がこれに対応するために開発した「高温環境対応チップサーミスタ TAシリーズ」は、完全モノシリック構造とすることにより、製品サイズを柔軟に変えられることから、今後携帯電話はもちろんのこと、自動車、産業用モータ・電源に至るまで、さまざまな用途で活用いただくことが可能です。 詳しくは、下記リンクをクリックしてください。

チップ型非接触温度センサを開発 三菱マテリアル株式会社は、自動表面実装が可能で、高温耐熱性に優れた小型で低価格のチップ型非接触温度センサを開発しましたので、お知らせいたします。 今回当社が開発したチップ型非接触温度センサは、１．チップ型で自動実装とはんだリフローに対応が可能であること、２．使用温度上限が150℃と高温耐熱性を持つこと、３．サーモパイルの価格に比べ低価格である点で大きく優れております。また、本センサの特徴として、温度検出対象物から放射される赤外線を非接触の状態で検出し温度を測定することができますが、これは、本センサが受光した赤外線量に応じて、センサ内の2つの感熱素子の抵抗値が異なる値を示す構造になっており、簡単な電気回路により検出回路を構成することができます。微細な半導体加工技術を用いていた従来の非接触温度センサと比べ、本センサは、当社が持つサーミスタセンサ開発技術を活用し、独自の構造及び材料技術による小型で高精度の感熱素子を開発したため、簡単な構造で赤外線を検出できる新たなセンサとなります。