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「MEMS Engineer Forum 2025」 - 技術展示のお知らせ

プラズマ・サーモ・ジャパン株式会社

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2025年4月16日～17日に開催される「MEMS Engineer Forum 2025」の技術展示コーナーに出展致します。 ＜展示内容＞ １　高密度ラジカルによる低温・低ダメージエッチング・クリーニング装置の紹介 特許取得済みのHDRF技術により、MEMSの歩留原因を取り除きます。 ２　これからの高周波デバイスや高速光変調導波路加工に不可欠な加工技術（イオン・ビーム・エッチング）の紹介 　　多層構造物の加工に最適なイオン・ビーム・エッチング。加工面の角度調整、側壁の粗さ調整が可能です。　 ３　化合物半導体のバッチ処理に適したプラズマ・エッチング、成膜装置の紹介 　　「シャトル」（ウエハキャリア）に複数枚のウエハを搭載し、バッチ処理が出来ます。少量量産に適した装置。 ご来場お待ちしております。

  • 開催日時 2025年04月16日（水） ～ 2025年04月17日（木）
    10:00 ～ 16:00
  • 会場 東京・両国　国際ファッションセンタービル（KFC Hall)
  • 参加費 無料

関連製品情報

  • MEMS Engineer Forum - 技術展示のお知らせ

    MEMS加工の精度と効率を向上！高精度エッチング・成膜技術をご紹介いたします。　※4月16日 ～ 4月17日開催

    【展示会概要】 ■開催日時：2025年04月16日（水） ～ 2025年04月17日（木）10:00 ～ 16:00 ■会場：東京・両国　国際ファッションセンタービル（KFC Hall) ■住所：〒130-0015　東京都墨田区横網1-6-1　国際ファッションセンタービル ■参加費：無料 ※詳しくはお気軽にお問い合わせください。

  • 高密度ラジカルクリーニングソリューション

    他社の同様の技術に比べ50～100倍ものラジカルを生成し、ダメージのないプロセスを提供！

    【その他の特長】 ■独自設計のリモートプラズマを用いることにより、他社の同様の技術に比べ50～100倍もの 　ラジカルを生成し、ダメージのないプロセスを提供 ■フォトレジストストリッピング、ビア内のポリマー除去が可能 ■シリコン深堀プロセス(DRIE)後のスカラップの平滑化、ウェーハ接合前の表面活性化、 　及び生体適合材料などのドライクリーニング ※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。

  • 強誘電体イオンビームエッチングソリューション『QuaZar』

    不活性ガスArエッチングと反応性ガスによるエンハンスドRIBEが可能！

    【その他の特長】 ■面内均一性＜2％ 3σ(200mmウェーハ)(スキャニングモーションを取り入れることにより＜0.5％ 3σも達成可能) ■当社のPVD、CVD等とのクラスター化が可能 ■150mm、200mmウェーハに対応可能 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。

関連カタログ

【英語版】プラズマ除去装置『HDRF』

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【英語版】イオンビームエッチング・成膜装置『QuaZar(TM)』

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【英語版】成膜装置『Corial 200 Series』

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