強誘電体イオンビームエッチングソリューション『QuaZar』
不活性ガスArエッチングと反応性ガスによるエンハンスドRIBEが可能！
『QuaZar』は、大面積イオンソースと高度なモーションコントロールにより、 強誘電体PZTなどの難削材のエッチングプロセスにおいてプラズマエッチング では実現困難な垂直エッチング性が実現可能なエッチングプロセッシングです。 独自のIon Source、Marathon Grids、Dual PBN(オプション)の採用により、 従来品と比較しMTBMを3倍に(他社の既存装置にも搭載可能)。 また、REDEP Breaker, AUXILIARY Electrodeにより、RFシャント・ アノード消失を防止します。 【特長】 ■PZTエッチング応用では、EPDなしで貴金属電極層でエッチストップが可能 (サイドウォールにおける析出なしで、かつスムーズな表面) ■PZTエッチングにおけるフォトレジストに対する選択性は、不活性IBEの 0.6：1から、RIBE：1.1：1に向上 ■PZTエッチング速度は、不活性IBEの約20nm/minから、RIBEでは 約30nm/minに向上 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。
基本情報
【その他の特長】 ■面内均一性＜2％ 3σ(200mmウェーハ)(スキャニングモーションを取り入れることにより＜0.5％ 3σも達成可能) ■当社のPVD、CVD等とのクラスター化が可能 ■150mm、200mmウェーハに対応可能 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。
価格帯
納期
用途／実績例
【用途】 ■プラズマエッチングプロセスに代替する強誘電体PZT、AlN、AlScNなどの難削材のエッチング ※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。
取り扱い会社
当社は、プラズマ技術を応用したエッチング、成膜、切断装置に加え、 ICP, RIE, DSE, IBE, IBD, PECVD, HDPCVD, HDRF F.A.S.T.-ALD装置の販売、 並びに、当該装置に関するカスタマーサービスの提供しております。 米国フロリダ州に本社を構える、Plasma-Therm LLCは、1974年に設立。 設立以来、48年間プラズマ技術を応用した半導体製造装置の製造・販売を 行っています。 ご用命の際はお気軽にお問い合わせください。 ▼グループ会社Corial 公式サイト https://corial.plasmatherm.com/en
