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【IGBT,パワーMOSFET評価用】高電圧試験ボックス

高電圧試験環境での安全性を確保するために開発された高電圧試験ボックス!

パワーエレクトロニクスやパワー半導体素子の高電圧実験時に、感電から身を守るための適した試験環境を提供します。 この高電圧試験ボックスは、IGBTやパワーMOS FET、ダイオード、トランジスタなど、さまざまな半導体デバイスを対象に、 安全に高電圧実験を行うために設計されています。 本製品は、九州工業大学の大村先生の 「パワーデバイス評価実験において、学生の安全を最優先に考えた試験環境を整えたい」 という熱い想いから生まれました。 【特長】 1. 扉の完全ロック機能:100V以上の高電圧試験中、扉が自動的にロックされ、誤って開けてしまうリスクを排除します。 2. 残留電圧の完全放電機能:試験後、扉を開放する前にコンデンサの残留電圧を完全に放電し、安全性を確保します。 3. 金属絶縁されたラック筐体:高い安全性を提供する金属絶縁された筐体を採用し、外部からの影響を最小限に抑えます。 4. 柔軟な対応が可能:卓上型ボックスへの変更や、実験の規模に応じたボックスの連結が可能で、様々なニーズに対応します。 ※詳細はPDFをダウンロードいただくか直接お問い合わせください。 

基本情報

※詳細はPDFをダウンロードいただくか直接お問い合わせください。

価格帯

100万円 ~ 500万円

納期

応相談

用途/実績例

パワエレ、パワー半導体素子などの高電圧実験用途。 (九州工業大学へ多くの納入実績アリ。)

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取り扱い会社

1973年創業以来、電子機器の販売や受託開発を通じて、九州のものづくり産業に貢献してきました。 アナログ回路設計の技術を強みにこれまで多くのオーダーメイドの計測システムやソフトウェアを手がけています。 現在は、培った技術を活かした自社製品の開発にも注力しています。 また、国内外メーカーの代理店として九州全域に計測機器を提供しています。 今後も計測技術を通じて、お客様の課題解決に貢献してまいります。