ウィンボンド・エレクトロニクスとインフィニオン・テクノロジー社、 HYPERRAM 3.0によるIoTアプリケーションの帯域幅倍増に向けて協業
ウィンボンド・エレクトロニクス（Winbond Electronics Corp. Japan) 株式会社
～第3世代HYPERRAMにより、IoTデバイスの設計の簡素化と2倍のデータ転送速度による性能向上を実現～ 半導体メモリソリューションの世界的リーディングサプライヤーである、ウィンボンド・エレクトロニクス株式会社と、半導体ソリューション、マイクロエレクトロニクス、そしてIoTの世界的リーダーであるインフィニオン・テクノロジー社は、HYPERRAM製品における協業範囲を拡大し、さらに高帯域化した新たなHYPERRAM 3.0を発表しました。 このHYPERRAM製品群は、従来の擬似SRAMよりもさらに小さなフォームファクタの製品で、外部RAMを必要とし、電力とスペースに制約があるIoTアプリケーションに適しています。HYPERRAM 3.0は、最大周波数200MHz、動作電圧1.8Vで、HyperRAM 2.0やOCTAL xSPI RAMと同じでありながら、データ転送速度は800MBpsと、2倍に向上させています。この新世代のHYPERRAMは、拡張された22ピンによるHyperBusのIOインターフェイスで動作します。 （続きはPDFをご参照ください。）
